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具有闭环 di/dt 和 dv/dt 控制的有源电流源IGBT栅极驱动
Active Current Source IGBT Gate Drive With Closed-Loop di/dt and dv/dt Control
| 作者 | Lu Shu · Junming Zhang · Fangzheng Peng · Zhiqian Chen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2017年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 组串式逆变器 储能变流器PCS |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGBT 栅极驱动 有源电流源 VCCS dv/dt控制 di/dt控制 开关损耗 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于压控电流源（VCCS）反馈控制策略的高功率IGBT有源电流源驱动（ACSD）方法。与传统的电压源驱动不同，该方法通过提供恒定的驱动电流来充放电IGBT栅极。通过较大的驱动电流，实现了更高的开关速度和更低的开关损耗，同时通过闭环控制有效抑制了电压和电流的变化率（dv/dt和di/dt）。
English Abstract
This paper proposes an active current source gate drive (ACSD) method based on voltage controlled current source(VCCS) feedback control strategy for high-power IGBTs. Unlike the common voltage source gate drive, the proposed ACSD method provides constant drive current to charge and discharge an IGBT. With a large gate drive current, high switching speed and low switching losses can be achieved in ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。在PowerTitan储能系统及大功率组串式逆变器中，IGBT的开关损耗与电磁干扰（EMI）的平衡是提升功率密度的关键。该ACSD驱动方案能够通过闭环控制精确调节开关过程，在不牺牲EMI性能的前提下显著降低开关损耗，从而提升整机效率。建议研发团队在下一代高功率密度逆变器及PCS模块中评估该驱动电路的可行性，以应对更高电压等级和电流密度下的散热与电磁兼容挑战，进一步巩固阳光电源在电力电子变换效率方面的领先地位。