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具有自触发归零算法的模拟dv/dt和di/dt控制栅极驱动器

Analog dv/dt and di/dt Controlled Gate Driver With Self-Triggered Hold-at-Zero Algorithm for High-Power IGBTs

作者 Osman Tanrverdi · Deniz Yildirim
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2024年1月
技术分类 功率器件技术
技术标签 IGBT 功率模块 组串式逆变器 储能变流器PCS
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 IGBT 门极驱动器 dv/dt控制 di/dt控制 开关损耗 电力电子 自触发算法
语言:

中文摘要

针对高功率IGBT模块开关特性差异,传统栅极驱动器通过固定电阻调节开关过程,导致开关损耗增加。本文提出一种模拟dv/dt和di/dt控制的栅极驱动方案,引入自触发归零算法,旨在优化开关暂态过程,在降低电磁干扰的同时有效平衡开关损耗,提升高功率电力电子系统的整体效率。

English Abstract

Since each insulated-gate bipolar transistor (IGBT) module has a unique characteristic switching form, the turn-on and turn-off periods can be adjusted to suit certain usages. Gate resistors are employed for the conventional gate drivers (CGDs) to modify the turn-on and turn-off periods, which alter switching losses that significantly increase total losses. Both the collector-current rate of chang...
S

SunView 深度解读

该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。在PowerTitan储能系统及大功率组串式逆变器中,IGBT作为核心功率开关器件,其开关暂态的精细化控制直接决定了整机的效率与EMI性能。该驱动方案通过动态控制dv/dt和di/dt,能够有效降低高功率密度设计下的开关损耗,并缓解电压尖峰,从而提升产品可靠性。建议研发团队评估该自触发算法在兆瓦级PCS及大型地面光伏逆变器中的应用潜力,以进一步优化系统热管理并提升转换效率。