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一种自动均衡两个并联SiC MOSFET漏极电流的单输入双输出数字栅极驱动IC
Single-Input Dual-Output Digital Gate Driver IC Automatically Equalizing Drain Current Variations of Two Parallel-Connected SiC MOSFETs
| 作者 | Kohei Horii · Katsuhiro Hata · Shin-Ichiro Hayashi · Keiji Wada · Ichiro Omura · Makoto Takamiya |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 组串式逆变器 储能变流器PCS |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 数字栅极驱动器 电流均衡 并联连接 寄生电感 电力电子 IC集成 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种单输入双输出数字栅极驱动（DGD）IC，旨在解决两个并联SiC MOSFET在器件特性差异及PCB寄生电感不匹配导致的电流不均问题。该方案首次实现了传感器信号处理、驱动逻辑与控制器的全集成，能够实时检测并自动均衡漏极电流，提升并联系统的可靠性与效率。
English Abstract
A single-input, dual-output digital gate driver (DGD) IC is proposed, to solve the device characteristic variation problem and the parasitic inductance variation problem on PCBs in two parallel-connected SiC mosfets. This article is the first in the world to achieve all of 1) fully integrated two sensor output processing circuits, two DGDs and a controller required to detect and equalize the drain...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。在组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器中，为了提升功率密度，常采用多管并联方案，SiC器件的电流不均是制约可靠性的关键瓶颈。该集成化驱动IC方案能有效解决并联均流难题，减少对PCB布局的严苛要求，降低系统损耗，并提升SiC模块的长期运行可靠性。建议研发团队关注该IC的集成度与响应速度，评估其在兆瓦级储能变流器及高功率密度组串式逆变器中的应用潜力，以进一步优化整机效率与热管理设计。