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闭环 di/dt 和 dv/dt IGBT 栅极驱动器
Closed-Loop di/dt and dv/dt IGBT Gate Driver
| 作者 | Yanick Lobsiger · Johann W. Kolar |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2015年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 组串式逆变器 储能变流器PCS |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGBT 门极驱动器 开关特性 开关损耗 EMI 感性负载 硬开关 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种在感性负载硬开关条件下实现IGBT确定性开关行为的新概念。该技术是优化开关损耗与电磁干扰（EMI）的关键前提。文中首先回顾了现有的IGBT开关瞬态控制驱动技术，并针对其局限性提出了改进方案，旨在通过闭环控制实现对开关过程的精确调节。
English Abstract
This paper proposes a new concept for attaining a defined switching behavior of insulated-gate bipolar transistors (IGBTs) at inductive load (hard) switching, which is a key prerequisite for optimizing the switching behavior in terms of switching losses and electromagnetic interference (EMI). First, state-of-theart gate driver concepts that enable a control of the IGBT's switching transients are r...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。在组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）中，IGBT的开关损耗与EMI水平直接决定了整机的功率密度与电磁兼容性能。通过采用闭环di/dt和dv/dt驱动技术，可以有效抑制开关过程中的电压电流尖峰，在不牺牲开关速度的前提下降低EMI，从而优化滤波器设计并提升系统效率。建议研发团队在下一代高功率密度PCS及大功率组串式逆变器中评估该驱动方案，以进一步提升产品在复杂电网环境下的可靠性与电磁性能。