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基于p-GaN HEMT的紫外探测器在低温下的光响应特性
Photoresponsivity of _p_-GaN HEMT-based ultraviolet photodetectors at low temperatures
| 作者 | Haodong Wang · Meixin Feng · Yaozong Zhong · Xin Chen |
| 期刊 | Applied Physics Letters |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 卷/期 | 第 126 卷 第 19 期 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | p-GaN HEMT 紫外光探测器 光响应度 低温 应用物理快报 |
语言:
中文摘要
本文研究了基于p型GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的紫外光电探测器在低温环境下的光响应性能。通过变温光电测试，系统分析了器件在不同温度下的光电流、响应度及探测机制的变化规律。结果表明，随着温度降低，器件的暗电流显著抑制，光暗电流比大幅提升，同时响应度增强，归因于低温下载流子复合减少与能带结构优化。该工作为高性能紫外探测器在极端环境中的应用提供了实验依据与理论支持。
English Abstract
Haodong Wang, Meixin Feng, Yaozong Zhong, Xin Chen, Hongwei Gao, Qian Sun, Hui Yang; Photoresponsivity of _p_-GaN HEMT-based ultraviolet photodetectors at low temperatures. _Appl. Phys. Lett._ 12 May 2025; 126 (19): 192101.
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SunView 深度解读
该研究对阳光电源的GaN功率器件应用具有重要参考价值。p-GaN HEMT在低温环境下光响应性能的提升，可用于优化我司SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器中的GaN器件温控设计。特别是在-40℃低温工况下，通过抑制暗电流提升光暗电流比的方法，有助于提高GaN器件的开关特性和可靠性。这对于提升极寒地区光伏储能产品的转换效率和稳定性具有实际指导意义。建议在PowerTitan大型储能系统的GaN功率模块设计中借鉴该温控优化方案。