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系统并网技术
★ 4.0
具有阳极自对准台面终端的金刚石垂直肖特基势垒二极管实现超过450 V的击穿电压
Over 450 V breakdown voltage in diamond vertical Schottky barrier diodes with anodic self-aligned mesa termination
| 作者 | Xixiang Zhao · Shumiao Zhang · Guoqing Shao · Qi Li · Genqiang Chen |
| 期刊 | Applied Physics Letters |
| 出版日期 | 2025年1月 |
| 卷/期 | 第 127 卷 第 3 期 |
| 技术分类 | 系统并网技术 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 金刚石 垂直肖特基势垒二极管 阳极自对准台面终端 击穿电压 450V |
语言:
中文摘要
本文报道了一种采用阳极氧化自对准台面终端结构的金刚石垂直肖特基势垒二极管，实现了超过450 V的高击穿电压。该终端结构通过电化学阳极氧化工艺形成，有效钝化台面侧壁并抑制表面电场集中，显著提升器件的耐压能力。器件采用n型衬底上的金刚石外延层制备，具备低泄漏电流和良好整流特性。该方法无需高精度光刻，工艺简单且与金刚石材料兼容性好，为高性能金刚石功率器件的规模化制备提供了可行路径。
English Abstract
Xixiang Zhao, Shumiao Zhang, Guoqing Shao, Qi Li, Genqiang Chen, Jiali Wang, Feng Wen, Yanfeng Wang, Hongxing Wang; Over 450 V breakdown voltage in diamond vertical Schottky barrier diodes with anodic self-aligned mesa termination. _Appl. Phys. Lett._ 21 July 2025; 127 (3): 032107.
S
SunView 深度解读
该金刚石肖特基二极管技术对阳光电源的功率器件升级具有重要参考价值。450V以上的高击穿电压特性可应用于SG系列光伏逆变器和ST系列储能变流器的功率模块设计，尤其适合1500V高压系统。阳极自对准台面终端工艺的低成本优势与阳光电源追求的规模化生产理念契合。该技术启发我们在SiC/GaN功率器件的终端结构优化方向，有助于提升逆变器的功率密度和效率。建议在下一代高压功率模块中考虑类似的终端结构设计，以实现更高性能的电力电子系统。