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通过低温氮化处理有效抑制AlGaN/GaN MISHEMT中的电流崩塌
Effective Reduction of Current Collapse in AlGaN/GaN MISHEMT via Low-Temperature Nitriding Treatment
Sheng-Yao Chou · Yan-Chieh Chen · Cheng-Hsien Lin · Yan-Lin Chen 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月
采用180°C下1小时的低温超临界流体氮化(SCFN)处理,成功将AlGaN/GaN MISHEMT在高场驱动条件(VD=300 V)下的电流崩塌减少了72%。经SCFN处理后,器件关态栅漏电流显著降低,击穿电压提升至710 V(@1 μA/mm),远高于未处理样品的110 V。同时,最大漏极电流、最大跨导分别提升4.6%和2.9%,导通电阻降低11.1%。性能改善归因于AlGaN表面悬键修复及Al2O3/AlGaN界面缺陷态减少。结合XPS、界面态密度(Dit)和栅漏电输运机制分析验证了该机理...
解读: 该低温氮化处理技术对阳光电源GaN功率器件应用具有重要价值。通过SCFN工艺将电流崩塌抑制72%、击穿电压提升至710V,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的GaN功率模块设计。电流崩塌的有效抑制能提升器件动态特性,降低开关损耗,对1500V高压系统和三电平拓扑尤为关键。导通电阻降低...
揭示永磁体封装二极管的表面形貌及反向电流抑制
Revealing Surface Morphology and Suppression of Backward Current in Diodes Packaged With Permanent Magnet
Tian-Ze Miao · Ren-Zhen Xiao · Yan-Chao Shi · Jun Cheng 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年11月
目前,二极管中的反流是限制永磁封装高功率微波(HPM)器件应用的一个重要因素。本文通过实验观察了反流导致的二极管典型形态变化,如阴极杆表面的附着形态、微损伤以及溅射产物的成分。结合粒子模拟,揭示了反流与典型形态变化之间的联系,阐明了阳极对二极管稳定性的重要影响。最后,从减缓阳极等离子体运动的角度出发,在阳极上设计了一种静电屏蔽槽结构(ESGS)。实验证明,该方法能有效抑制反流,提高二极管的稳定性。
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于抑制二极管反向电流的研究虽然聚焦于高功率微波器件领域,但其底层技术原理对我们在功率电子器件可靠性提升方面具有重要的借鉴意义。 在光伏逆变器和储能变流器等核心产品中,功率二极管作为关键器件,其反向漏电流特性直接影响系统效率和长期可靠性。该研究通过实验观察和粒子模拟揭...
采用电压安全带抑制肖特基型p-GaN栅HEMT漏极偏压诱导的阈值电压不稳定性
Suppression of Drain-Bias-Induced VTH Instability in Schottky-Type p-GaN Gate HEMTs With Voltage Seatbelt
Junting Chen · Haohao Chen · Yan Cheng · Jiongchong Fang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月
本文提出了一种经济高效的方法,用于抑制肖特基型 p 型氮化镓(GaN)栅高电子迁移率晶体管(HEMT)中漏极偏置引起的阈值电压( ${V} _{\text {TH}}$ )不稳定性。所提出的器件在栅极到漏极的访问区域内的介电层上有一个与源极相连的金属层,该金属层起到电压安全带的作用,将从漏极到 p-GaN 区域的电压耦合限制在一个确定的范围内。通过调整所提出结构中的介电层厚度,在漏极电压( ${V} _{\text {DS}}$ )为 400 V 时,p-GaN 区域所承受的电压电位被限制在 3...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项p-GaN栅极HEMT器件的阈值电压稳定性改进技术具有重要的战略价值。该技术通过创新的"电压安全带"结构,有效解决了GaN功率器件在高压应用中的核心痛点,这与我们在光伏逆变器和储能变流器领域对高可靠性功率半导体的需求高度契合。 在技术价值层面,该方案展现出三个关键优势...
基于具有局部可变先验矩阵的变分贝叶斯自适应卡尔曼滤波算法的直流母线电容状态监测新方法
A Novel DC-Link Capacitor Condition Monitoring Method Based on VBAKF Algorithm With Locally Variable Prior Matrix
Xun Wu · Dandan Wang · Youqiang Wu · Wenlong Zhu 等7人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2025年10月 · Vol.73
针对轨道交通中直流母线电容在严苛工况下易失效的问题,提出一种基于变分贝叶斯自适应卡尔曼滤波(VBAKF)的电容值在线估计方法,引入局部可变先验矩阵提升抗噪性与精度。实测平均误差仅0.74%,在信噪比、电压偏移及电阻漂移范围内具备鲁棒性。
解读: 该VBAKF电容状态监测算法可直接迁移至阳光电源ST系列PCS、PowerTitan储能系统及组串式逆变器的直流母线电容健康评估模块,提升长期运行可靠性预警能力。建议在iSolarCloud平台中集成该算法,实现对PCS/逆变器中薄膜电容的老化趋势智能诊断,降低现场运维成本;尤其适用于高湿、高温等恶...
电弹簧的无差拍预测有功和无功功率控制
Deadbeat Predictive Active and Reactive Power Control of Electric Spring
Qingsong Wang · Songhao Chen · Fujin Deng · Ming Cheng 等5人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年6月
随着电力系统可再生能源比例增长,电网稳定性需要专用能量消纳技术。电弹簧(ES)是新型电力电子装置,通过将用户负荷分为关键负荷(CL)和可调节非关键负荷(NCL),将CL功率波动转移至NCL解决功率波动问题。研究典型电压源型ES拓扑,提出ES系统无差拍预测功率控制策略,通过应用计算的ES参考电压到逆变器分别控制系统有功和无功功率,具有良好动态性能、无稳态误差、无需参数整定和无需锁相环(PLL)。为解决基于模型控制的参数敏感性问题,实现基于递归最小二乘(RLS)的集成在线参数辨识方法。仿真和实验验证...
解读: 该电弹簧无差拍预测功率控制技术对阳光电源储能系统的电网友好型控制有创新启发。无PLL有功无功独立控制方法可应用于ST储能变流器的功率波动平抑功能,提高动态响应速度和控制精度。在线参数辨识技术对阳光电源逆变器的鲁棒性提升有借鉴价值。该技术对PowerTitan储能系统参与电网调峰调频和可再生能源消纳有...
基于数据驱动特征提取的并网电压源换流器阻抗特性预测
Impedance Profile Prediction for Grid-Connected VSCs With Data-Driven Feature Extraction
Yang Wu · Heng Wu · Li Cheng · Jianyu Zhou 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月
数据驱动方法在预测并网电压源变流器(VSC)在广泛运行点(OP)下的阻抗特性方面具有良好前景。然而,传统方法依赖于运行点与阻抗特性之间的一一映射,正如本文所指出的,这种方法在多变流器系统中可能失效。为应对这一挑战,本文提出了一种基于堆叠自编码器的机器学习框架用于预测并网VSC的阻抗特性,并给出了详细的设计指南。所提出的方法使用特征而非运行点来表征阻抗特性,因此可扩展应用于多变流器系统。该方法的另一个优点是能够预测电网 - VSC系统在不稳定运行点处的VSC阻抗特性。仅基于稳定运行期间收集的数据即...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于数据驱动的阻抗特性预测技术对我们在光伏并网逆变器和储能系统领域具有重要战略价值。 该技术的核心突破在于解决了多变流器系统中阻抗预测的可扩展性难题。传统方法采用工作点与阻抗曲线的一对一映射,在我们日益复杂的光储一体化项目中存在明显局限。论文提出的堆叠自编码器框架通过...
具有原位GaN钝化层的p-GaN栅HEMT器件同步提升Baliga品质因数与动态导通电阻鲁棒性
In-situ GaN Passivation p-GaN Gate HEMT with Synchronously Improved Baliga’s Figure-of-merit and Superior Dynamic RON Robustness
Cheng Yu · Wanjun Chen · Guojian Ding · Fangzhou Wang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年11月
本文通过实验提出了一种采用原位氮化镓(GaN)钝化技术的新型 p 型 GaN 栅高电子迁移率晶体管(ISGP - HEMT),该晶体管可同步提高巴利加品质因数(B - FOM),并具有出色的动态导通电阻($R_{ON}$)鲁棒性。ISGP - HEMT 的特点是在沟道区采用高电阻率的原位 GaN 钝化层,以线性化表面电位,这不仅能在关断状态下实现更均匀的电场分布,还能在导通状态下提高二维电子气(2DEG)密度。因此,该晶体管可同时实现击穿电压($BV$)的提高和导通电阻($R_{ON}$)的降低...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项原位GaN钝化p-GaN栅极HEMT技术具有重要的战略价值。该技术通过在沟道接入区引入高阻原位GaN钝化层,实现了表面电势线性化,在关断态优化电场分布的同时增强了导通态的二维电子气密度,这种双重优化机制使得器件的击穿电压和导通电阻同步改善,Baliga品质因数提升494...
无基板功率半导体封装的可回收性潜力
Substrate-Less Power Semiconductor Packaging for the Potential of Recyclability
Jinxiao Wei · Jinpeng Cheng · Yuxiang Chen · Li Ran 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年2月
功率电子领域正致力于提升可回收性。功率半导体器件与模块制造能耗高、材料成本大,但使用寿命有限。本文探索一种有望提高其可回收性的封装结构,聚焦无基板设计中的散热与电气绝缘问题。采用定制三分段热管替代难回收的陶瓷覆铜(DBC)或活性金属钎焊(AMB)基板,并假设以可回收聚醚酰亚胺(PEI)封装替代常规热固性塑料外壳与硅凝胶。提出设计流程,匹配热管性能与器件热耗散及绝缘需求。结果显示,结至散热器热阻显著低于传统基板,且通过比较不同工质的绝缘强度,确定了可行的绝缘方案。
解读: 该无基板功率半导体封装技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中,功率模块占据成本和能耗的显著比例,采用热管替代DBC/AMB基板可显著降低结至散热器热阻,提升SiC/GaN器件的散热性能,支撑更高功率密度设计。可回收PEI封装材料符合储能系统全生命周期绿色化...
结合内部电池物理特性的最优构网型储能系统管理
Optimal grid-forming BESS management incorporating internal battery physics
Yuanbo Chen · Kedi Zheng · Cheng Feng · Junling Huang 等6人 · Applied Energy · 2025年5月 · Vol.385
摘要 通过电池储能系统(BESS)提供构网服务(GFS)对于现代电网中日益增长的可再生能源并网至关重要。然而,GFS响应与电池物理特性之间的快速交互给构网型BESS运行管理带来了重大挑战。本文研究了考虑内部电池物理特性的构网型BESS管理方法。我们首先建立了一个基于物理机理的模型,以准确刻画BESS在提供GFS过程中的可用功率能力及老化动态特性。基于该物理模型,本文提出了一种两阶段随机优化问题,用于在日前阶段确定GFS控制系数并制定BESS功率调度计划,同时考虑电网频率的不确定性。进一步地,设计...
解读: 该研究对阳光电源ST系列储能变流器及PowerTitan系统的构网型控制策略具有重要参考价值。通过建立电池物理模型优化GFM服务系数,可提升我司储能系统在高比例新能源电网中的频率支撑能力和经济性。研究中的两阶段随机优化方法可集成至iSolarCloud平台,实现日前调度与实时功率调节的协同优化,同时...
基于多功能MoOx/TiON层的高存储、低变异性、低功耗读写后读取超晶格HfO2/ZrO2铁电场效应晶体管存储器件
High-Storage, Low-Variability, and Low-Power Read-After-Write Superlattice HfO2/ZrO2 FeFET Memory Device by Using a Multifunctional MoOx/TiON Layer
Zheng-Kai Chen · Miau-Hua Hsiung · Zi-Rong Huang · Sheng-Min Wang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年5月
在本研究中,我们提出了一种与现有商用半导体器件完全兼容的多功能栅极氧化物铁电晶体管技术。与单电极不同,该电极采用了 TiN/Mo(30 纳米)/TiN 阻挡层(BL - TiN)(2.5 纳米)结构,其绝缘体由埃级层叠的 HfO₂/ZrO₂ 结构组成,每层厚度为 6.5 埃。基于界面态密度($D_{\text {it}}$)和 X 射线光电子能谱(XPS)结果,MoOx/TiOxNy 层的引入极大地抑制了金属 - 铁电体 - 绝缘体 - 半导体(MFIS)铁电场效应晶体管(FeFET)的电荷俘获...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于HfO2/ZrO2超晶格结构的铁电场效应晶体管(FeFET)存储技术虽然属于半导体存储领域,但其核心性能突破对我司光伏逆变器和储能系统的智能控制芯片具有重要的潜在应用价值。 该技术通过引入MoOx/TiOxNy多功能层实现的三大技术突破与我司产品需求高度契合:首先...
受脑启发的协作式自动发电控制与大规模电动汽车集成
Brain-Inspired Collaborative Automatic Generation Control With Large-Scale Electric Vehicles Integration
Zhihong Liu · Lei Xi · Yue Quan · Chen Cheng 等5人 · IEEE Transactions on Sustainable Energy · 2024年10月
分布式能源、负荷与储能设备具有间歇性和强随机性,接入电网后易引发显著的频率波动。现有基于多智能体协同神经网络的控制算法易遭遇灾难性遗忘问题,难以在强随机扰动下实现最优控制。本文提出一种基于正交权重修正策略网络更新的近端受脑启发策略优化(PBPO)算法,赋予网络类脑上下文感知能力,从而加速多区域协同控制的收敛速度,有效抑制电网严重随机扰动引起的频率波动。通过大规模电动汽车接入场景下的两个负荷频率控制模型仿真验证,所提PBPO算法在收敛速度、频率稳定性及控制性能方面均优于多种强化学习算法。
解读: 该脑启发协同控制技术对阳光电源储能与充电桩产品具有重要应用价值。针对PowerTitan大型储能系统参与电网AGC调频场景,PBPO算法的抗遗忘特性可显著提升多储能站点协同响应能力,解决ST系列储能变流器在强随机扰动下的频率稳定问题。对于新能源汽车业务,该算法可优化大规模充电桩V2G协同控制策略,实...
理解平面SiC功率MOSFET在雪崩击穿后第三象限工作期间反向导通电压正向偏移的机制
Toward Understanding the Positive Shift of Reverse Turn-on Voltage in the Third Quadrant Operation in Planar SiC Power MOSFETs After Avalanche Breakdown
Wei-Cheng Lin · Yu-Sheng Hsiao · Chen Sung · Chu Thị Bích Ngọc 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年2月
本研究探讨了平面SiC功率MOSFET在超过雪崩击穿条件的高漏极偏压下第三象限特性的稳定性。通过实验测量与TCAD仿真,分析了第三象限运行中反向导通电压(Vrev,on)正向漂移的机理。当漏极偏压从1500 V增至1620 V时,观察到阈值电压(VTH)明显负向漂移,同时Vrev,on出现正向漂移。TCAD仿真表明,该现象源于p阱区高电场引发的碰撞电离效应。进一步引入位于SiO2/SiC界面附近栅氧化层中的正固定电荷作为空穴陷阱后,仿真结果与实验一致。结果表明,雪崩击穿以上高漏压导致的空穴俘获会...
解读: 该研究揭示的SiC MOSFET雪崩击穿后第三象限特性退化机理,对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST储能变流器和SG光伏逆变器中,SiC MOSFET常工作在硬开关和体二极管续流模式,第三象限反向导通特性直接影响系统效率和可靠性。研究指出的栅氧界面空穴俘获导致Vrev,on正漂移现象,为优化器...
快速图解法推导双向多端口DC-DC变换器拓扑
Fast Graphical Analysis for Deriving Bidirectional Multi-Port DC-DC Converter Topologies
Liping Mo · Guipeng Chen · C. Q. Jiang · Xiaosheng Wang 等6人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年8月
在可再生能源系统和电动汽车等应用中,对多端口双向直流 - 直流转换器(MP - BDC)的需求日益增长。然而,目前的拓扑推导方法严重依赖手动分析,导致新拓扑的推导速度缓慢,且现有的 MP - BDC 数量有限。为应对这些挑战,本文提出了一种基于图论的快速图形分析(FGA)方法来替代手动分析,引入了一种用于推导单电感多端口双向直流 - 直流转换器(SIMP - BDC)拓扑的快速且系统的方法。该方法包括两个步骤:对 SIMP - BDC 的组件进行穷举组合,并使用 FGA 对这些组合进行分析,以自...
解读: 该图论化拓扑推导方法对阳光电源多端口应用场景具有重要价值。在ST储能系统中,可系统化设计光伏-储能-电网三端口变流器,优化PowerTitan的多能源接入架构;在车载OBC产品线,可推导高压电池-低压电池-充电口多端口拓扑,提升集成度;在光储充一体化充电桩中,可构建光伏-储能-车辆多向能量流动的高效...
基于体接地耦合效应的GaN基MIS-HEMT绝缘层击穿分析
Analysis of Insulator Breakdown Induced by Body-Grounded-Coupling Effect in GaN-Based MIS-HEMT
Cheng-Hsien Lin · Chien-Hung Yeh · Po-Hsun Chen · Ting-Chang Chang 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年1月
本研究聚焦于D模式氮化镓基金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS - HEMT)实际运行过程中出现的异常击穿问题。测量统计结果显示,体浮空器件的击穿电压( ${V}_{\text {BD}}\text {)}$ 达到1653 V;然而,体接地器件在1161 V时就发生了早期击穿。通过高温反向偏置(HTRB)退化机制,发现由于体接触导致沟道层能带存在差异。实验结果表明,该现象与漏致势垒降低(DIBL)相对应,导致沟道提前开启。技术计算机辅助设计(TCAD)仿真表明,与体浮空状态相比,体接地...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项关于GaN基MIS-HEMT器件绝缘层击穿机理的研究具有重要的工程应用价值。GaN功率器件凭借其高频、高效、高功率密度特性,正成为我们新一代光伏逆变器和储能变流器的核心技术方向,直接影响系统的功率密度提升和成本优化。 该研究揭示的体接地耦合效应对我们的产品设计具有关键...
基于机器学习增强的大规模并行暂态仿真方法用于大规模可再生能源电力系统
Machine-Learning-Reinforced Massively Parallel Transient Simulation for Large-Scale Renewable-Energy-Integrated Power Systems
Tianshi Cheng · Ruogu Chen · Ning Lin · Tian Liang 等5人 · IEEE Transactions on Power Systems · 2024年6月
可再生能源系统(RESs)在向绿色智能电网转型中起关键作用,但其受光照、风速等自然因素影响,具有复杂性与不确定性,给并网带来挑战。电磁暂态(EMT)仿真可有效研究RES并网问题,但现有方法受限于模型非线性和计算复杂度,难以实现大规模精细化仿真。本文提出一种面向数据、结合机器学习的CPU-GPU大规模并行EMT仿真方法,采用人工神经网络构建数据驱动的RES模型,并基于实体-组件-系统架构集成。模型训练依托传统物理EMT模型生成的数据,并通过MATLAB/Simulink验证。将RES元件组建成微网...
解读: 该机器学习增强的大规模并行EMT仿真技术对阳光电源具有重要战略价值。在PowerTitan储能系统和大型光伏电站并网设计中,可快速仿真数百万级SiC逆变器的暂态交互特性,400倍加速性能显著缩短产品开发周期。对ST系列储能变流器的构网型GFM控制策略优化尤为关键,能高效评估微电网场景下多台设备的协同...
脉冲阶梯调制高压电源驱动电路能量供给与控制协调方法研究
Research on the Energy Supply and Control Coordination Method of Drive Circuit in Pulse-Step-Modulation High-Voltage Power Supply
Linxiang Ou · Wenguang Chen · Tianyi Duan · Cheng Yang 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年8月
脉冲阶梯调制(PSM)电源是一种多模块串联输出的高压电源,广泛应用于加速器、微波发生器等装置。当前PSM电源存在动态响应慢、控制光纤多、模块供电电路复杂等问题,导致电气结构复杂、体积庞大。本文提出采用LLC谐振变换器为各模块主电路提供直流电压,并在驱动电路中将电源与控制信号合成一路信号,通过高压电缆协调传输,接收端再将其分离为直流电源和控制信号。研制了15级模块样机,实现了重复频率达33 kHz的阶梯三角波、准方波及调制波输出,上升时间可调。该方法可拓展应用于级联多电平变换器与Marx发生器。
解读: 该PSM电源的能量供给与控制协调方法对阳光电源储能与功率变换产品具有重要借鉴价值。其LLC谐振变换器供电方案可应用于ST系列储能变流器的多模块供电优化,降低辅助电源复杂度;电源与控制信号合成传输技术可简化PowerTitan大型储能系统的模块间通信架构,减少光纤数量和布线成本。多级串联快速响应控制思...
适用于电池集成光伏系统中非对称双直流端口直-交流变换器的广义载波调制功率控制方案
Generalized Carrier-Based Modulated Power Control Scheme for Asymmetrical Dual-DC-Port DC-AC Converter in Battery Integrated PV Systems
Jiangfeng Wang · Jingtian Shi · Cheng Xue · Xin Li 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年2月
在电池集成光伏(PV)系统中,非对称双直流端口直-交流变换器因实现光伏与电池的单级功率变换而具备高集成度、高效率和低成本优势。然而,光伏与电池电压的变化导致变换器呈现非对称特性,增加了调制策略的设计难度,且需灵活调控各端口间的功率流动。为此,本文提出一种广义载波调制功率控制方案(GCBM-PCS),包含外环功率控制与内环带零序注入的改进载波脉宽调制(CB-PWM)。外环调节合适的零序分量,引入非对称载波使调制自适应直流端口电压变化。文中定量分析了端口电压与可控零序分量对多端口功率分配的影响。所提...
解读: 该非对称双直流端口DC-AC变换器技术对阳光电源ST系列储能变流器和SG系列光储一体机产品具有重要应用价值。所提GCBM-PCS方案通过自适应载波调制和零序分量注入,可有效解决光伏与储能电池电压不对称时的功率协调控制难题,实现单级功率变换,相比传统双级拓扑可降低系统成本15-20%并提升效率1-2%...
用于并网光伏电站选址的分段变异粒子群优化算法
PSO with segmented mutation for site selection in grid-connected photovoltaic power generation system
Xiao Zhang · Yujiang Chen · Linhui Cheng · Shasha Tian 等5人 · Applied Energy · 2025年1月 · Vol.377
摘要 本文提出了一种新型的分段变异粒子群优化(SMPSO)算法,用于解决并网光伏发电系统规划阶段中光伏(PV)阵列场址与电力变压器场址的选址问题。光伏阵列和电力变压器的选址过程直接影响系统的发电效率与建设运行成本。然而,该选址任务对优化算法提出了严峻挑战。粒子群优化(PSO)是一种应用广泛的基于种群的优化器,具有众多应用场景。但由于标准PSO在处理选址问题时存在早熟收敛和易陷入局部最优的缺陷,本文提出一种分段变异的PSO算法:在迭代初期采用全局粒子变异操作以增强全局搜索能力;在迭代后期则对较优粒...
解读: 该SMPSO算法对阳光电源光伏电站规划具有重要应用价值。在大型地面电站设计中,可优化SG系列逆变器和箱变布局,降低线损和建设成本。算法的分段变异策略可集成到iSolarCloud平台的智能选址模块,结合地形、辐照和电网接入条件,实现光伏阵列与ST系列储能系统的协同优化配置。其快速收敛特性适用于多场景...
首次实验证明采用TiNxOy电阻场板的p-GaN HEMT器件实现BV与Ron的同时提升
First Experimental Demonstration of TiNxOy Resistive Field Plate on p-GaN HEMTs With Simultaneously Enhanced BV and Ron
Zhuocheng Wang · Wanjun Chen · Fangzhou Wang · Cheng Yu 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年6月
本研究展示了采用电阻场板(RFP)的 p - GaN 高电子迁移率晶体管(HEMT),该晶体管可同时改善导通态和关断态性能。RFP - HEMT 的特点是具有高电阻率的氮氧化钛(TiNₓOᵧ)电阻钝化层,该层从源极向漏极延伸。由于表面电场(E 场)调制效应和二维电子气(2 - DEG)增强效应,所设计的 RFP - HEMT 不仅在阻断状态下实现了更高的击穿电压(BV),而且在导通状态下实现了更低的导通电阻($R_{\text {on}}$)。与传统的绝缘钝化器件相比,栅极 - 漏极间距为 20...
解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于TiNxOy电阻场板的p-GaN HEMT技术具有重要的战略价值。该技术通过创新的电阻钝化层设计,突破了传统功率器件击穿电压与导通电阻之间的权衡限制,实现了1860V击穿电压提升111%的同时,导通电阻降低25%,功率优值(BFOM)提升近5倍,这对我们的光伏逆变器...
基于跨域自适应生成对抗网络的多退化水平光伏阵列故障诊断
Fault diagnosis of photovoltaic arrays with different degradation levels based on cross-domain adaptive generative adversarial network
Peijie Lin · Feng Guo · Yaohai Lin · Shuying Cheng 等7人 · Applied Energy · 2025年5月 · Vol.386
摘要 近年来,由于光伏电站运行与维护的重要性,光伏(PV)阵列故障诊断(FD)取得了令人瞩目的进展。然而,由于运行工况复杂,光伏阵列不可避免地会发生渐进式退化,导致输出数据出现域偏移,这对故障诊断性能产生显著的负面影响。为解决上述问题,本研究提出了一种两阶段跨域自适应生成对抗网络深度学习方法,用于不同退化水平下的光伏阵列故障诊断。在第一阶段,利用源域(即无性能退化的光伏阵列)中的正常数据进行训练;随后,在对抗训练过程中将最大均值差异(MMD)损失引入故障生成器,以生成源域故障数据的高层特征表示。...
解读: 该跨域自适应GAN故障诊断技术对阳光电源SG系列光伏逆变器及iSolarCloud智慧运维平台具有重要应用价值。针对光伏阵列性能衰减导致的数据域偏移问题,该方法通过MMD损失函数实现跨域特征对齐,仅需健康状态数据即可生成故障样本进行诊断,准确率达98.34%。可集成至iSolarCloud平台的预测...
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