找到 602 条结果

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可靠性与测试 故障诊断 可靠性分析 三相逆变器 ★ 4.0

一种基于无刷直流电机电流路径的逆变器开路故障快速诊断策略

A Fast Diagnosis Strategy for Inverter Open-Circuit Faults Based on the Current Path of Brushless DC Motors

Xinmin Li · Shaozhen Li · Wei Chen · Tingna Shi 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年8月

本文提出了一种针对无刷直流电机逆变器开路故障的快速诊断策略。通过检测电流路径的变化,该方法能够实现故障的快速定位,确保电机系统的安全运行。该技术显著提升了故障诊断速度,且不受负载突变等瞬态工况影响,具有较高的鲁棒性。

解读: 该研究提出的电流路径检测法在逆变器故障诊断领域具有重要参考价值。阳光电源的组串式逆变器及风电变流器产品在复杂工况下对功率模块的可靠性要求极高。该诊断策略能够缩短故障响应时间,有效防止因单管开路导致的二次损坏。建议研发团队关注该方法在三相逆变器拓扑中的移植潜力,将其集成至iSolarCloud智能运维...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

一种低寄生电感与低热阻的倒装嵌入式SiC功率模块设计与评估

Design and Evaluation of a Face-Down Embedded SiC Power Module With Low Parasitic Inductance and Low Thermal Resistance

Xinnan Sun · Min Chen · Bodong Li · Fengze Hou 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年3月

本文提出了一种用于高频、高温应用场景的嵌入式碳化硅(SiC)功率模块。通过采用倒装结构及铜连接块,显著降低了寄生电感并提升了散热性能。仿真结果表明,该设计有效优化了开关特性,为提升功率密度提供了技术路径。

解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。在组串式逆变器和PowerTitan系列储能PCS中,高频化与高功率密度是核心竞争力。倒装嵌入式SiC模块能显著降低开关损耗和寄生电感,有助于减小磁性元件体积,提升整机效率。建议研发团队关注该封装技术在下一代高压、大电流PCS产品中的应用,以解决高频化带来的散...

拓扑与电路 DC-DC变换器 功率模块 ★ 3.0

一种采用堆叠MOSFET驱动技术的单电感双输出变换器,用于实现低静态电流和交叉调节

A Single-Inductor Dual-Output Converter With the Stacked mosfet Driving Technique for Low Quiescent Current and Cross Regulation

Hsin Chen · Chao-Jen Huang · Chun-Chieh Kuo · Li-Chi Lin 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年3月

本文提出了一种堆叠MOSFET驱动(SMD)技术,旨在解决低压器件在构建堆叠结构时面临的瞬态响应差或占用面积大的问题。该技术利用自稳定特性有效驱动功率级,显著降低了开关节点的噪声,从而实现了低静态电流和优异的交叉调节性能。

解读: 该技术主要针对集成电路层面的驱动优化,对阳光电源的户用光伏逆变器及储能系统(如PowerStack)中的辅助电源模块(Auxiliary Power Supply)具有参考价值。在追求高功率密度和低待机功耗的趋势下,该SMD技术可提升辅助电源的转换效率并降低EMI噪声,有助于优化小型化功率模块的设计...

拓扑与电路 LLC谐振 三电平 功率模块 ★ 4.0

混合钳位三电平全桥LLC谐振变换器的开关器件热平衡调制

Thermal Balance Modulation of Switching Devices for Hybrid-Clamped Three-Level Full-Bridge LLC Resonant Converter

Junjie Qin · Zongjian Li · Zhixing He · Zhijie Weng 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年5月

混合钳位三电平全桥LLC谐振变换器因软开关特性和低电压应力,广泛应用于轨道交通及船舶电力系统。然而,现有的宽电压范围调制模式会导致开关器件热分布不均,限制了其应用潜力。本文提出了一种热平衡调制策略,旨在优化变换器在宽电压范围下的热性能。

解读: 该研究针对三电平LLC拓扑的热平衡优化,对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack系列)及大功率光伏逆变器具有重要参考价值。随着储能系统向高压化、高功率密度发展,三电平拓扑的应用日益广泛。该文提出的热平衡调制策略可有效解决高功率密度下功率模块局部过热问题,提升变换器在宽电压范...

可靠性与测试 故障诊断 机器学习 功率模块 ★ 4.0

一种用于电力牵引系统逆变器输出过流故障诊断的事件集模式识别方法

An Event Set Mode Recognition Method for Fault Diagnosis of Inverter Output Overcurrent in Electric Traction System

Qiang Ni · Zhikai Chen · Aiyu Gu · Yang Meng 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月

逆变器输出过流(IOO)是电力牵引系统中的常见异常,会导致系统停机及维护需求。为提升维护效率与智能化水平,本文提出了一种事件集模式识别方法,用于追踪过流故障的根源,从而实现精准的故障诊断与运维优化。

解读: 该研究提出的事件集模式识别方法在故障溯源和智能化运维方面具有极高参考价值。阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan储能系统在复杂工况下同样面临过流保护挑战,引入此类基于事件模式的诊断算法,可显著提升iSolarCloud平台的故障预警准确率,减少误报,实现从“被动维修”向“主动运维”的转型。建议...

拓扑与电路 SiC器件 三相逆变器 多电平 ★ 4.0

一种具有改进调制方案的硅/碳化硅混合五电平有源中点钳位逆变器

A Si/SiC Hybrid Five-Level Active NPC Inverter With Improved Modulation Scheme

Li Zhang · Zhongshu Zheng · Chushan Li · Ping Ju 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年5月

本文提出了一种2-SiC混合五电平有源中点钳位(5L-ANPC)全桥逆变器。该方案通过结合硅基(Si)与碳化硅(SiC)功率器件,在性能与成本之间取得了平衡,旨在优化多电平逆变器的效率与功率密度,并提出了相应的改进调制策略。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及大型集中式逆变器产品线具有重要参考价值。通过采用Si/SiC混合拓扑,可以在不大幅增加成本的前提下,显著提升逆变器的转换效率和功率密度,这对于追求极致效率的PowerTitan储能变流器及新一代大功率光伏逆变器具有显著的竞争优势。建议研发团队评估该五电平拓扑在降低开关...

拓扑与电路 双向DC-DC 功率模块 有限元仿真 ★ 2.0

一种用于胶囊机器人无线供电的新型双层亥姆霍兹线圈设计与优化

Design and Optimization of a Novel Double-Layer Helmholtz Coil for Wirelessly Powering a Capsule Robot

Jinyang Gao · Siyu Tian · Changshun Yuan · Ziyu Ma 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年1月

感应耦合无线电能传输(IWPT)为胶囊机器人提供持续动力。针对传统单层亥姆霍兹线圈(SHC)在工作空间内功率传输效率(PTE)低的问题,本文提出了一种新型双层亥姆霍兹线圈设计方案,通过优化线圈结构提升磁场均匀性与能量传输效率。

解读: 该研究聚焦于无线电能传输(WPT)的磁场优化与效率提升,虽主要应用于医疗胶囊机器人,但其核心的磁耦合机理、高效率线圈设计及多物理场仿真优化方法,对阳光电源的电动汽车充电桩(尤其是无线充电技术储备)及未来微型化储能设备的无线通讯/供电具有参考价值。建议关注其磁场均匀性控制算法,可作为公司在功率电子磁性...

拓扑与电路 SiC器件 三电平 功率模块 ★ 5.0

用于高功率密度不同Si/SiC混合三电平有源NPC逆变器的评估

Evaluation of Different Si/SiC Hybrid Three-Level Active NPC Inverters for High Power Density

Li Zhang · Xiutao Lou · Chushan Li · Feng Wu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年8月

相比全SiC MOSFET转换器,Si/SiC混合方案是平衡性能与成本的有效途径。本文提出了一种系统性方法,基于续流路径排列,从两种开关单元生成了2-SiC和4-SiC混合三电平有源中点钳位(3L-ANPC)逆变拓扑,旨在实现高功率密度设计。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心竞争力——高功率密度逆变器设计。3L-ANPC拓扑广泛应用于阳光电源的组串式逆变器及大型集中式逆变器中。通过Si/SiC混合技术,公司可以在保持高性能的同时,显著降低大功率光伏逆变器和储能变流器(PCS)的成本,提升市场竞争力。建议研发团队评估该拓扑在PowerTita...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 4.0

650V p-GaN HEMT单脉冲非钳位电感开关

UIS)失效机理与分析

Siyang Liu · Sheng Li · Chi Zhang · Ningbo Li 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年11月

本文首次揭示了肖特基栅极p-GaN HEMT在单脉冲非钳位电感开关(UIS)下的耐受物理机制与失效机理。与Si/SiC器件不同,p-GaN HEMT通过将负载电感的能量存储在输出电容中来承受浪涌电流,而非通过雪崩击穿。

解读: GaN器件凭借高开关频率和高效率,是阳光电源未来提升户用光伏逆变器及小型化充电桩功率密度的关键技术方向。本文深入分析了p-GaN HEMT在极端工况下的UIS失效机理,对于优化逆变器功率模块的驱动电路设计、过压保护策略及可靠性评估具有重要指导意义。建议研发团队在后续高频化产品设计中,重点关注GaN器...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

宽温度范围内SiC MOSFET负栅压限制的深度解析

Deep Understanding of Negative Gate Voltage Restriction for SiC MOSFETs Under Wide Temperature Range

Ximing Chen · Xuan Li · Bangbing Shi · Junmiao Xiang 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年8月

本文深入揭示了SiC MOSFET在宽温度范围(高达300°C)及不同栅压下的栅极可靠性问题。通过将SiC MOSFET的栅极结构拆解为N型JFET和P型沟道区域,研究了在相同制造工艺和热预算下的物理机制,为提升SiC功率器件在极端工况下的可靠性提供了理论依据。

解读: SiC MOSFET是阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩提升功率密度和效率的核心器件。该研究揭示的负栅压限制与高温可靠性机理,对阳光电源优化驱动电路设计、提升极端环境下的器件寿命预测具有重要指导意义。建议研发团队在设计高功率密度产品时,参考该研究关于栅极结构与热应力的...

功率器件技术 IGBT 功率模块 热仿真 ★ 5.0

基于液态金属热界面材料的压接式IGBT器件热接触电阻优化

Thermal Contact Resistance Optimization of Press-Pack IGBT Device Based on Liquid Metal Thermal Interface Material

Xiao Wang · Hui Li · Ran Yao · Wei Lai 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

在压接式IGBT(PP-IGBT)器件中,热接触电阻通常占总热阻的50%以上,严重影响散热并导致结温升高。本文提出了一种通过填充液态金属热界面材料来优化PP-IGBT热接触电阻的方法,旨在降低器件热阻,提升散热性能。

解读: 该技术对阳光电源的集中式逆变器及大功率储能系统(如PowerTitan系列)至关重要。PP-IGBT作为高压大功率应用的核心器件,其散热性能直接决定了系统的功率密度和长期运行可靠性。通过引入液态金属优化热接触电阻,可有效降低器件结温,从而提升逆变器在极端工况下的输出能力,或在同等散热条件下实现更紧凑...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

一种基于单片GaN集成电路的电源电压不敏感双晶体管PTAT/CTAT温度传感器

A Supply Voltage Insensitive Two-Transistor Temperature Sensor With PTAT/CTAT Outputs Based on Monolithic GaN Integrated Circuits

Ang Li · Fan Li · Kaiwen Chen · Yuhao Zhu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年9月

本文提出了一种基于氮化镓(GaN)MIS-HEMT的单片集成双晶体管(2T)温度传感器。通过调节耗尽型(D-mode)和增强型(E-mode)器件的栅极尺寸比,实现了传感器输出在PTAT(与绝对温度成正比)和CTAT(与绝对温度成反比)模式间的转换,且具备良好的电源电压不敏感特性。

解读: 随着阳光电源在光伏逆变器和储能系统(如PowerTitan系列)中对功率密度和效率要求的不断提升,GaN等宽禁带半导体技术的应用前景广阔。该研究提出的单片集成温度传感器方案,有助于实现GaN功率模块内部的高精度实时热监测。对于阳光电源而言,该技术可集成至下一代高频、高功率密度逆变器或充电桩的驱动电路...

功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

通过针对性优化封装提升压接式IGBT模块的短路耐受能力

Improving Short-Circuit Withstand Capability by Targeted Optimization Package for Press-Pack IGBT Module

Renkuan Liu · Hui Li · Xiaorong Luo · Ran Yao 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月

本文针对压接式IGBT(PP-IGBT)模块提出了一种电-热-机械(ETM)多物理场瞬态有限元模型,并设计了一种针对性优化封装(TOP)以提升其短路耐受能力(SCWC)。通过对3.3kV/50A PP-IGBT的建模与耦合关系分析,验证了该优化方案在极端工况下的可靠性提升效果。

解读: 压接式IGBT(PP-IGBT)因其高可靠性和失效短路特性,是阳光电源大功率集中式光伏逆变器及PowerTitan系列大型储能PCS的核心功率器件。本文提出的ETM多物理场耦合建模方法,能够精准评估高压大功率器件在短路故障下的热机械应力,对提升阳光电源核心产品的极端工况可靠性具有重要指导意义。建议研...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

基于高纯度4H-SiC光导半导体开关的低导通电阻与高峰值电压传输效率研究

Low ON-Resistance and High Peak Voltage Transmission Efficiency Based on High-Purity 4H-SiC Photoconductive Semiconductor Switch

Xun Sun · Longfei Xiao · Chongbiao Luan · Zhuoyun Feng 等11人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年2月

碳化硅(SiC)作为宽禁带半导体,在高性能高压器件领域具有显著优势。本文制备了沟道长度为0.5mm的平面结构4H-SiC光导半导体开关(PCSS),通过线性工作模式验证了其在微波产生及高压功率传输中的可行性与卓越性能,为下一代高功率电子器件提供了技术参考。

解读: 该研究聚焦于4H-SiC材料在高压开关领域的应用,对阳光电源的核心业务具有重要参考价值。随着光伏逆变器和储能PCS向更高电压等级(如1500V及以上)和更高功率密度演进,SiC器件已成为提升系统效率的关键。PCSS技术虽目前多用于脉冲功率领域,但其对SiC材料特性的深度挖掘,有助于阳光电源在下一代高...

功率器件技术 SiC器件 ★ 5.0

具有高电流诱导磁化翻转比的二维WTe2/Cr3Te4异质结构

Two-dimensional WTe2/Cr3Te4 heterostructures with high current-induced magnetization switching ratio

Kun He · Bailing Li · Sumei Wu · Chen Yi 等8人 · Applied Physics Letters · 2025年7月 · Vol.127

本文研究了二维WTe2/Cr3Te4异质结构中的电流诱导磁化翻转效应。该结构结合了拓扑非平庸的单层WTe2与本征铁磁半导体Cr3Te4,展现出优异的自旋轨道力矩效率和高磁化翻转比率。通过第一性原理计算与微磁模拟相结合,揭示了界面强自旋轨道耦合与电荷-自旋转换机制对增强翻转效率的关键作用。结果表明,此类异质结构在低功耗自旋电子器件中具有重要应用潜力。

解读: 该二维异质结构的高效电流诱导磁化翻转特性对阳光电源的功率器件技术创新具有重要启发。WTe2/Cr3Te4结构的高自旋轨道力矩效率可用于开发新型磁控开关器件,有望在SiC功率模块中实现更快速的开关特性和更低的损耗。这一技术可优化ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的功率变换效率,特别是在高频开关应用...

拓扑与电路 LLC谐振 SiC器件 双向DC-DC ★ 5.0

面向SiC双向LLC便携式充电器高压应用的双向同步整流在线计算控制

Bidirectional Synchronous Rectification on-Line Calculation Control for High Voltage Applications in SiC Bidirectional LLC Portable Chargers

Haoran Li · Shengdong Wang · Zhiliang Zhang · Jingfei Zhang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年5月

针对700V总线电压下SiC双向LLC变换器面临的高dv/dt(35kV/μs)及高共模噪声挑战,本文提出了一种适用于300kHz高频运行的数字双向同步整流在线计算控制策略。该方法在保证高效率的同时,有效解决了高压环境下的同步整流控制难题。

解读: 该技术对阳光电源的电动汽车充电桩及储能系统(如PowerStack、PowerTitan)具有重要参考价值。随着储能PCS及充电桩向高压化(800V平台)、高频化(SiC应用)发展,高dv/dt带来的EMI及同步整流控制精度问题是提升效率的关键。该在线计算控制策略可优化阳光电源双向DC-DC变换器的...

电动汽车驱动 ★ 4.0

SnO2薄膜上Ni肖特基接触的形成及准垂直型肖特基势垒二极管

Formation of Ni Schottky contact and quasi-vertical Schottky barrier diode on SnO2 thin film

Fengxin Liu · Qi Zhang · Yue Chen · Qiang Li 等6人 · Applied Physics Letters · 2025年4月 · Vol.126

报道了在SnO2薄膜上形成的Ni肖特基接触及其准垂直型肖特基势垒二极管。通过材料生长与器件制备工艺优化,实现了良好的整流特性与低漏电流。该研究为宽禁带半导体器件的发展提供了实验依据和技术支持。

解读: 该SnO2基肖特基势垒二极管技术对阳光电源功率器件应用具有重要参考价值。Ni/SnO2肖特基接触的低漏电流和良好整流特性可应用于SG系列光伏逆变器和ST储能变流器的功率模块保护电路,作为快速恢复二极管替代方案。准垂直结构设计思路可借鉴至SiC/GaN器件封装优化,降低通态压降和开关损耗。SnO2宽禁...

拓扑与电路 DC-DC变换器 LLC谐振 GaN器件 ★ 4.0

一种用于1kV输入1MHz GaN LLC变换器同步整流的无传感器模型驱动方案

A Sensorless Model-Based Digital Driving Scheme for Synchronous Rectification in 1-kV Input 1-MHz GaN LLC Converters

Xinyi Zhu · Haoran Li · Zhiliang Zhang · Zhibin Li 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月

针对1kV高压输入、1MHz高频工作的GaN LLC变换器,eGaN HEMT极快的开关速度导致dv/dt高达200kV/μs,给同步整流(SR)带来严峻挑战。本文提出一种基于模型的无传感器SR驱动方案,旨在优化稳态效率及互补控制性能。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及储能系统(如PowerTitan/PowerStack)的DC-DC变换环节具有重要参考价值。随着光伏与储能系统向高压化(1500V系统)、高功率密度方向发展,LLC变换器的高频化是提升效率的关键。GaN器件在高压高频下的同步整流驱动挑战,直接影响变换器的损耗控制。建...

储能系统技术 储能系统 GaN器件 ★ 4.0

抑制陷阱效应的氮化镓HEMT沟道温度测量与热阻表征模型

Trap-suppressed channel temperature measurement and thermal resistance characterization model for GaN HEMTs

Suzhou Laboratory · Qing Zhu · Ke Xu · Yue Hao · Applied Physics Letters · 2025年9月 · Vol.127

针对氮化镓高电子迁移率晶体管(GaN HEMTs)中陷阱效应对沟道温度测量的干扰问题,提出了一种抑制陷阱效应的沟道温度提取与热阻表征模型。该模型通过动态栅压调控技术有效抑制表面和界面陷阱的充放电行为,结合电学法精确提取稳态与瞬态沟道温度,并建立与陷阱密度相关的热阻解析模型。实验结果表明,该方法显著降低了传统电学测温中的误差,提升了高温工作条件下器件热特性的表征精度,为GaN HEMTs的热管理设计提供了可靠依据。

解读: 该GaN HEMT热阻精确表征技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。在ST系列储能变流器和SG光伏逆变器中,GaN器件因高频高效特性被广泛采用,但陷阱效应导致的温度测量误差直接影响热管理设计可靠性。该模型通过动态栅压调控抑制陷阱充放电,可精确提取沟道温度,为阳光电源优化GaN功率模块散热设计、提升...

风电变流技术 储能系统 多物理场耦合 可靠性分析 ★ 5.0

基于坐标变换的级联风电系统中QAB变换器灵活功率解耦控制

Flexible Power Decoupling Control for QAB Converters in Cascaded Wind Power Systems by Coordinate Transformation

Xin Peng · Xibo Yuan · Yonglei Zhang · Chen Wei 等7人 · IET Power Electronics · 2025年7月 · Vol.18

本文提出一种基于坐标变换的级联风电系统中QAB变换器的灵活功率解耦控制策略。该方法通过优化QAB变换器绕组电流应力,有效降低器件热应力,提升系统运行效率与可靠性。所提控制策略在实现功率解耦的同时,增强了系统在动态工况下的稳定性,适用于新型级联式风力发电系统。

解读: 该QAB变换器功率解耦控制技术对阳光电源储能与风电产品线具有重要应用价值。通过坐标变换实现的灵活功率解耦控制,可优化ST系列储能变流器的多绕组变压器设计,降低PowerTitan大型储能系统中功率器件的热应力。该技术的动态稳定性提升特性,也可应用于公司风电变流器产品的功率控制优化。此外,其多物理场耦...

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