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基于高纯度4H-SiC光导半导体开关的低导通电阻与高峰值电压传输效率研究
Low ON-Resistance and High Peak Voltage Transmission Efficiency Based on High-Purity 4H-SiC Photoconductive Semiconductor Switch
| 作者 | Xun Sun · Longfei Xiao · Chongbiao Luan · Zhuoyun Feng · Huiru Sha · Yangfan Li · Jian Jiao · Yan Qin · Xiufang Chen · Hongtao Li · Xiangang Xu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 碳化硅 4H-SiC 光导半导体开关 PCSS 宽禁带半导体 高压器件 线性工作模式 |
语言:
中文摘要
碳化硅(SiC)作为宽禁带半导体,在高性能高压器件领域具有显著优势。本文制备了沟道长度为0.5mm的平面结构4H-SiC光导半导体开关(PCSS),通过线性工作模式验证了其在微波产生及高压功率传输中的可行性与卓越性能,为下一代高功率电子器件提供了技术参考。
English Abstract
Silicon carbide (SiC) is a wide-bandgap semiconductor suitable for high-power high-voltage devices, especially the feasibility and superiority of SiC photoconductive semiconductor in microwave generation have been demonstrated via linear operating mode. Here, the photoconductive semiconductor switch (PCSS) with a channel length of 0.5 mm is fabricated as planar structures on high-purity semi-insul...
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SunView 深度解读
该研究聚焦于4H-SiC材料在高压开关领域的应用,对阳光电源的核心业务具有重要参考价值。随着光伏逆变器和储能PCS向更高电压等级(如1500V及以上)和更高功率密度演进,SiC器件已成为提升系统效率的关键。PCSS技术虽目前多用于脉冲功率领域,但其对SiC材料特性的深度挖掘,有助于阳光电源在下一代高压功率模块封装、散热设计及极端工况下的开关损耗优化方面积累前沿技术储备,特别是在提升PowerTitan等大型储能系统及组串式逆变器的功率密度方面具有潜在应用前景。