一种低寄生电感与低热阻的倒装嵌入式SiC功率模块设计与评估

Design and Evaluation of a Face-Down Embedded SiC Power Module With Low Parasitic Inductance and Low Thermal Resistance

作者	Xinnan Sun · Min Chen · Bodong Li · Fengze Hou · Dongbo Zhang · Jie Li · Yifei Du · Feng Jiang
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2023年3月
技术分类	功率器件技术
技术标签	SiC器件功率模块宽禁带半导体热仿真
相关度评分	★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词	SiC MOSFET 功率模块寄生电感热阻倒装结构高频高温

语言:

中文摘要

本文提出了一种用于高频、高温应用场景的嵌入式碳化硅（SiC）功率模块。通过采用倒装结构及铜连接块，显著降低了寄生电感并提升了散热性能。仿真结果表明，该设计有效优化了开关特性，为提升功率密度提供了技术路径。

English Abstract

This letter proposed an embedded silicon carbide (SiC) power module with low parasitic inductance and low thermal resistance for high-frequency and high-temperature applications. The SiC mosfets were oriented in a face-down configuration with Cu connecting blocks, contributing to better switching performance and heat dissipation. The simulation results showed that the total parasitic inductance wa...

SunView 深度解读

该技术对阳光电源的核心业务具有极高价值。在组串式逆变器和PowerTitan系列储能PCS中，高频化与高功率密度是核心竞争力。倒装嵌入式SiC模块能显著降低开关损耗和寄生电感，有助于减小磁性元件体积，提升整机效率。建议研发团队关注该封装技术在下一代高压、大电流PCS产品中的应用，以解决高频化带来的散热瓶颈，进一步巩固阳光电源在SiC应用领域的领先地位。