找到 21 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
拓扑与电路 SiC器件 三电平 功率模块 ★ 5.0

基于混合换流的Si/SiC混合三电平ANPC逆变器主动损耗平衡控制方案

Hybrid Commutation-Based Active Loss-Balancing Control Scheme for Si/SiC Hybrid Three-Level ANPC Inverters

Huizi Zhuge · Yuhang Zou · Li Zhang · Xiao Shen 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月

SiSiC混合使用是提升三电平有源中点钳位(3L-ANPC)逆变器效率与功率密度的有效手段,但SiC器件间的损耗不平衡会缩短逆变器寿命并增加散热设计难度。本文提出了一种基于混合换流的主动损耗平衡控制方案,旨在解决上述不平衡问题,优化系统可靠性与热管理。

解读: 该技术对阳光电源的组串式及集中式光伏逆变器产品线具有极高的参考价值。随着光伏逆变器向高功率密度和高效率演进,Si/SiC混合拓扑已成为平衡成本与性能的关键路径。该研究提出的主动损耗平衡控制方案,能够有效解决混合功率模块在长期运行中的热应力不均问题,直接提升逆变器在极端工况下的可靠性。建议研发团队在下...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

一种低功耗的硅-碳化硅达林顿晶体管对

A Si-SiC Darlington Transistor Pair With Low Consumption

Linyuan Liao · Zhenhui Wu · Zhixiong Yang · Rongzhou Zeng 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年6月

碳化硅双极型晶体管(SiC BJT)作为第三代半导体器件,因其高驱动损耗限制了商业化应用。本文提出了一种由输入硅(Si)BJT和输出SiC BJT组成的硅-碳化硅混合达林顿晶体管对(HDTP),通过共射极连接,旨在有效降低开关损耗,提升功率转换效率。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有重大意义。在光伏组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)中,降低开关损耗是提升整机效率和功率密度的关键。Si-SiC混合拓扑通过结合Si器件的驱动优势与SiC器件的高效开关特性,有望在不显著增加成本的前提下,优化逆变器及PCS的散热...

拓扑与电路 光伏逆变器 单相逆变器 PWM控制 ★ 5.0

基于谐波含量分析的双模式单相逆变器LC滤波器参数设计方法

LC Filter Parameters Design Method Based on Harmonic Contents Analysis for Dual-Mode Single-Phase Inverter

Di Kang · Hongliang Wang · Xiaojun Deng · Yang Jiang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年4月

本文针对采用双模式控制的两级式单相逆变器,提出了一种改进的LC滤波器参数设计方法。双模式控制能有效适应宽输入电压范围并提升效率,同时改善输出电压波形。传统设计方法在双模式下存在局限性,本文通过谐波含量分析,为优化滤波器参数提供了更合理的理论依据。

解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心产品线,特别是户用光伏逆变器及小型储能变流器(PCS)。在户用场景中,逆变器常面临宽电压输入范围,采用双模式控制可显著提升轻载及全功率段的转换效率。本文提出的LC滤波器参数优化方法,有助于阳光电源在保证电能质量(THD)的前提下,进一步减小磁性元件体积,降低系统成本,并...

控制与算法 三电平 三相逆变器 模型预测控制MPC ★ 5.0

基于有限状态机的三电平三相逆变器非过量ΔV及低复杂度模型预测控制

Nonexcessive-ΔV and Low Complexity Model Predictive Control Based on Finite-State Machine for Three-Level Three-Phase Inverters

Hanbin Zhou · Jian Yang · Liansheng Huang · Dongran Song 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月

针对三电平三相逆变器,提出了一种基于有限状态机(FSM)的模型预测控制(MPC)方法。该方法利用FSM状态转移图作为操作准则,有效避免了过度的电压跳变(ΔV)。通过参考电压矢量和前一时刻的最优矢量,将候选电压矢量限制在五个以内,显著降低了计算复杂度。

解读: 该技术对阳光电源的组串式及集中式光伏逆变器产品线具有极高应用价值。三电平拓扑是阳光电源大功率逆变器的主流架构,该研究提出的FSM-MPC方法通过优化电压矢量选择,在保证输出电能质量的同时,显著降低了控制算法的计算负担,有助于提升逆变器在复杂电网环境下的动态响应速度。建议研发团队将其应用于新一代高功率...

拓扑与电路 DAB DC-DC变换器 储能变流器PCS ★ 5.0

一种用于直流配电网的具有双向故障处理和高效能量转换的多模块隔离式DC/DC变换器

A Multiple Modular Isolated DC/DC Converter With Bidirectional Fault Handling and Efficient Energy Conversion for DC Distribution Network

Yu Wang · Si-Zhe Chen · Yizhen Wang · Lin Zhu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年11月

本文提出了一种基于混合双有源桥(HDAB)的多模块隔离式双向DC/DC变换器方案,旨在解决中高压直流配电网中的电压转换、电气隔离及双向功率传输问题。该方案通过模块化设计提升了系统的可靠性与故障处理能力,并优化了能量转换效率。

解读: 该技术方案与阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及中高压直流侧并网技术高度契合。HDAB拓扑及其模块化设计能够显著提升储能变流器(PCS)在直流耦合系统中的功率密度与转换效率。对于阳光电源而言,该研究提出的故障处理机制可增强PCS在复杂电网环境下的保护能力,建议研发团队...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

Si/SiC混合开关在宽功率范围下结温平衡的主动栅极延迟时间控制

Active Gate Delay Time Control of Si/SiC Hybrid Switch for Junction Temperature Balance Over a Wide Power Range

Zongjian Li · Jun Wang · Linfeng Deng · Zhizhi He 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年5月

本文研究了Si/SiC混合开关的栅极延迟时间控制策略。针对传统固定延迟时间方案在不同工况下性能受限的问题,提出了一种主动控制方法,旨在优化混合开关的电气与热性能,实现宽功率范围内的结温平衡,从而提升功率变换器的可靠性与效率。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)具有重要参考价值。随着碳化硅(SiC)器件在高性能逆变器中的渗透率提升,Si/SiC混合封装方案是平衡成本与效率的有效路径。通过主动栅极延迟控制实现结温平衡,可显著提升功率模块的可靠性,延长产品寿命,并优化...

功率器件技术 SiC器件 IGBT 功率模块 ★ 5.0

宽温应用下1.2kV SiC功率MOSFET与Si IGBT动态性能温度依赖性对比研究

Temperature Dependence of Dynamic Performance Characterization of 1.2-kV SiC Power mosfets Compared With Si IGBTs for Wide Temperature Applications

Jinwei Qi · Xu Yang · Xin Li · Kai Tian 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年9月

本文研究了1.2kV SiC MOSFET在宽温条件下的动态性能,并与Si IGBT进行了对比。由于SiC材料的优越性,其在实现高功率密度和高效率转换方面具有巨大潜力。研究极端温度下的开关特性对于保障电力转换系统的安全与持续运行至关重要。

解读: 该研究直接关联阳光电源的核心功率变换技术。随着公司在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器中大规模应用SiC器件以提升功率密度和效率,理解SiC在极端温度下的动态特性对于优化驱动电路设计、提升系统热管理能力及可靠性至关重要。建议研发团队利用该研究结论,完善SiC模块的选型标准及驱动参...

电动汽车驱动 SiC器件 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

电动汽车应用中SiC逆变器轴电压的分析与抑制

Analysis and Suppression of Shaft Voltage in SiC-Based Inverter for Electric Vehicle Applications

Yang Han · Haifeng Lu · Yongdong Li · Jianyun Chai · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年7月

SiC MOSFET的应用提升了电动汽车逆变器的开关频率并减轻了重量,但其高频开关特性会导致电机驱动系统中的轴电压升高,从而影响系统可靠性。本文深入研究了SiC器件高频开关对轴电压的影响机制,并提出了相应的抑制策略。

解读: 该研究直接关联阳光电源电动汽车充电桩及电机驱动相关技术储备。SiC器件的高频化是提升逆变器功率密度和效率的关键,但带来的轴电压及EMI问题是系统可靠性的核心挑战。建议在阳光电源的EV驱动及车载电源产品研发中,引入该文的轴电压抑制模型,优化功率模块的封装设计与驱动电路布局,以提升产品在复杂工况下的长期...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

硅基氮化镓单片半桥功率集成电路动态导通电阻的原位测量与物理机制

In Situ Measurement and Physical Mechanism of Dynamic RON in GaN-on-Si Monolithic Half-Bridge Power IC

Xin Yang · Hongchang Cui · Zineng Yang · Matthew Porter 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年1月

动态导通电阻(RON)是GaN高电子迁移率晶体管(HEMTs)的关键稳定性问题。在导电硅衬底上的GaN单片半桥中,由于背栅效应,高侧(HS)器件的动态RON比分立HEMT更严重。本文提出了一种原位测量方法,揭示了其物理机制,为提升高频功率集成电路的可靠性提供了理论支撑。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及微型逆变器领域对功率密度要求的不断提升,GaN器件的应用已成为技术演进的重要方向。该研究揭示的单片半桥结构中背栅效应导致的动态RON问题,直接影响高频变换器的效率与长期可靠性。建议研发团队在后续高频化产品设计中,重点评估GaN集成电路的衬底耦合效应,优化驱动电路与布局设...

功率器件技术 DC-DC变换器 GaN器件 宽禁带半导体 ★ 4.0

利用GaN/Si混合开关抑制动态导通电阻以提升Buck变换器效率

Enhancing Buck Converter Efficiency by Using GaN/Si Hybrid Switches to Suppress Dynamic On-State Resistance

Gaoqiang Deng · Xihao Bi · Jingyu Shen · Renkuan Liu 等12人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月

本文证明了采用GaN/Si混合开关的Buck变换器比同规格纯GaN开关具有更高的转换效率。通过将并联GaN HEMT中的一个替换为同电压等级但电阻稍高的Si超结MOSFET,可显著降低总导通损耗并抑制动态导通电阻效应。

解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及小型储能PCS产品具有重要参考价值。在追求高功率密度和高效率的趋势下,GaN器件的动态导通电阻(Current Collapse)一直是限制其在功率变换中应用的关键痛点。通过GaN/Si混合拓扑,可以在不显著增加成本的前提下,优化变换器在不同负载下的效率表现。建议研...

功率器件技术 GaN器件 功率模块 可靠性分析 ★ 4.0

一种用于共源共栅GaN结温分离的多电流方法

A Multi-Currents Method for Junction Temperature Separation of Cascode GaN

Lixin Wu · Erping Deng · Yanhao Wang · Shengqian Xu 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年12月

氮化镓(GaN)功率器件因高电子迁移率在功率转换系统中应用广泛。共源共栅(Cascode)结构因其低成本和优异特性被广泛采用。本文提出了一种多电流方法,用于精确分离Cascode GaN器件的结温,解决了现有技术在复杂结构下结温监测的难题,为提升功率模块的可靠性设计提供了理论支撑。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对功率密度要求的不断提升,GaN器件的应用前景广阔。Cascode GaN结构是实现高频化、小型化的关键技术路径。该文献提出的结温分离方法,能有效提升阳光电源在功率模块热设计和可靠性评估方面的精度,有助于优化iSolarCloud平台下的设备健康管理算法...

拓扑与电路 光伏逆变器 宽禁带半导体 并网逆变器 ★ 4.0

三相三线制混合频率并联逆变系统及其无线同步技术

3P3W Grid-Connected Hybrid-Frequency Parallel Inverter System With Wireless Synchronization

Tsai-Fu Wu · Temir Sakavov · Chien-Chih Hung · Jui-Yang Chiu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年12月

本文探讨了宽禁带/硅(WBG/Si)混合家族中的混合频率并联逆变系统(HbFPIS)。该系统由两个并联逆变器组成:低频大功率逆变器负责高功率输出,高频小功率逆变器负责补偿。通过无线同步技术,该架构优化了系统效率与功率密度,为高性能并网逆变技术提供了新思路。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及集中式逆变器产品线具有重要参考价值。通过结合SiC(宽禁带)与Si(硅基)器件的混合并联架构,可以在不显著增加成本的前提下,提升逆变器的功率密度和转换效率。建议研发团队关注该拓扑在大型地面光伏电站中的应用潜力,特别是如何通过高频小功率模块补偿低频大功率模块的谐波,从而...

功率器件技术 GaN器件 功率模块 可靠性分析 ★ 4.0

一种200mm E-Mode GaN-on-Si功率HEMT可靠性与寿命评估新方法

A Novel Evaluation Methodology for the Reliability and Lifetime of 200 mm E-Mode GaN-on-Si Power HEMTs

Jingyu Shen · Chao Yang · Liang Jing · Ping Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年5月

本文提出了一种针对增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的可靠性与寿命评估新方法。以工业级200mm Si CMOS兼容平台制造的商用100V E-mode GaN-on-Si功率HEMT为例,详细介绍了包括晶圆级可靠性测试(WLRT)在内的评估流程,为宽禁带半导体器件的可靠性验证提供了实用参考。

解读: GaN作为宽禁带半导体,在提升阳光电源户用光伏逆变器及小型化充电桩的功率密度和转换效率方面具有巨大潜力。本文提出的可靠性评估方法对于公司评估GaN器件在工业化应用中的长期稳定性至关重要。建议研发团队参考该评估流程,建立针对GaN功率器件的入库筛选标准,以加速其在下一代高频、高效率户用逆变器及便携式储...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

一种用于并联SiC JFET/Si MOSFET共源共栅结构的低成本新型拓扑以平衡开通电流与结温

A Low-Cost Novel Structure for Paralleled SiC JFET/Si MOSFET Cascodes to Balance Turn-on Current and Junction Temperature

Cheng Zhao · Laili Wang · Xu Yang · Yongmei Gan 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年12月

SiC JFET/Si MOSFET共源共栅结构(SSC)因其低导通电阻和快速开关特性在电力电子领域极具潜力。针对大电流应用中多SSC并联时,由于布局不对称导致的开通电流不平衡及结温差异问题,本文提出了一种低成本的新型结构,旨在优化并联器件间的电流分配,提升系统可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)具有重要参考价值。随着碳化硅(SiC)在光伏和储能领域的高频化应用,多管并联是提升功率密度的关键。该研究提出的电流平衡技术可有效解决并联器件因布局寄生参数不匹配导致的应力集中问题,有助于提升阳光电源大功率模...

拓扑与电路 PWM控制 光伏逆变器 并网逆变器 ★ 4.0

新型并联谐振直流环节逆变器辅助换流电路无功传输损耗的改进调制策略

Improved Modulation Strategy for Reactive Energy Transmission Loss of Auxiliary Commutated Circuit of Novel Parallel RDCL Inverter

Si Li · Ming Yang · Yu Ma · Jiang Long 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年8月

针对新型并联谐振直流环节逆变器(PRDCLI)辅助换流电路(ACC)在运行中存在的无功传输损耗大及电流应力高的问题,本文提出了一种基于不连续脉宽调制(DPWM)的改进调制策略,通过采用锯齿波载波技术,有效降低了系统的能量损耗与器件应力。

解读: 该研究关注谐振直流环节逆变器的损耗优化与调制策略,对于阳光电源的高效组串式逆变器及集中式逆变器研发具有参考价值。通过优化辅助换流电路的调制逻辑,可进一步提升逆变器在全功率范围内的转换效率,降低功率器件的电流应力,从而提升整机可靠性与功率密度。建议研发团队评估该锯齿波DPWM策略在现有高频化逆变器平台...

拓扑与电路 多电平 空间矢量调制SVPWM PWM控制 ★ 4.0

多电平变换器45°坐标系α′β′下的空间矢量调制

Space Vector Modulation in the 45° Coordinates α′β′ for Multilevel Converters

Cui Wang · Qing-Chang Zhong · Nengfei Zhu · Si-Zhe Chen 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年6月

空间矢量调制(SVM)在两电平和三电平变换器中应用广泛,但随着电平数增加,扇区划分、开关状态及序列复杂度呈指数级增长,限制了其在工业高压大功率多电平变换器中的应用。本文提出了一种在45°坐标系下的SVM策略,旨在简化多电平变换器的算法实现难度。

解读: 该研究针对多电平变换器控制算法的简化,对阳光电源的高压大功率产品线(如集中式光伏逆变器、大型储能系统PowerTitan系列)具有重要参考价值。随着光伏与储能系统向更高电压等级和多电平拓扑演进,降低SVM算法的计算复杂度不仅能提升控制响应速度,还能降低对主控芯片(DSP/FPGA)的算力要求,从而优...

功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 4.0

基于能量回馈缓冲电路的串联SiC MOSFET电压均衡控制

Voltage Balancing Control of Series-Connected SiC MOSFETs by Using Energy Recovery Snubber Circuits

Fan Zhang · Xu Yang · Wenjie Chen · Laili Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年10月

为实现更高阻断电压,功率开关常采用串联方式。然而,由于电压分配不均,SiC器件因其超快开关速度,串联应用面临更大挑战。本文提出了一种新型能量回馈缓冲电路拓扑,通过有效的电压均衡控制策略,解决了串联SiC MOSFET在高速开关过程中的电压应力不平衡问题。

解读: 该技术对阳光电源的高压组串式逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。随着光伏系统向1500V甚至更高电压等级演进,利用SiC器件串联技术可有效提升系统功率密度并降低损耗。该能量回馈缓冲电路能解决高压下SiC器件动态均压难题,有助于优化高压功率模块设计。建议研发团队关注该拓...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 4.0

桥臂配置下高压增强型GaN晶体管误导通评估的分析模型

An Analytical Model for False Turn-On Evaluation of High-Voltage Enhancement-Mode GaN Transistor in Bridge-Leg Configuration

Ruiliang Xie · Hanxing Wang · Gaofei Tang · Xu Yang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年8月

与硅基器件相比,增强型氮化镓(E-mode GaN)晶体管具有优异的品质因数,在提升功率变换器开关频率、效率及功率密度方面潜力巨大。本文针对桥臂电路中控制管与同步管的配置,提出了一种评估高压GaN晶体管误导通现象的分析模型,旨在解决高频应用中的可靠性挑战。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品(如PowerStack)中对高功率密度和高效率的追求,GaN器件的应用已成为技术演进的重要方向。该模型对于优化桥臂驱动电路设计、抑制高频开关下的误导通风险具有直接指导意义。建议研发团队在下一代高频紧凑型逆变器及微型逆变器开发中,利用该模型评估GaN器件的...

功率器件技术 GaN器件 IGBT SiC器件 ★ 2.0

硅IGBT、碳化硅MOSFET和氮化镓HEMT在低至10毫开尔文深低温环境下的首次特性表征

First Characterization of Si IGBT, SiC MOSFET, and GaN HEMT at Deep Cryogenic Temperatures Down to 10 Millikelvins

Xin Yang · Zineng Yang · Matthew Porter · Linbo Shao 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月

本文首次研究了Si IGBT、SiC MOSFET和GaN HEMT在深低温(T < 4.2 K)环境下的电气特性。深低温电力电子转换在量子计算、空间探测等领域具有重要意义,但目前缺乏相关器件在高压及动态开关性能方面的研究数据。

解读: 该研究探讨了功率器件在极低温环境下的极限性能,目前阳光电源的核心业务(光伏、储能、风电、充电桩)主要运行在常规环境温度下,该技术尚处于基础物理研究阶段。然而,随着量子计算辅助能源管理及极端环境空间能源系统的兴起,宽禁带半导体(SiC/GaN)在极端工况下的可靠性数据可为未来前瞻性技术储备提供参考。建...

拓扑与电路 功率模块 DC-DC变换器 ★ 2.0

用于构建高效无线电能传输模块的多股PCB绕组分体阻抗调谐

Split Impedance Tuning of Multistrand PCB Windings for Constructing Efficient Wireless Power Transfer Module

Junhua Wang · Xinghong He · Changsong Cai · Yang Si 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月

PCB绕组因其制造简便、高重复性和紧凑尺寸,在无线电能传输(WPT)系统中具有显著优势。本文针对WPT系统中的阻抗匹配挑战,提出了一种多股PCB绕组的分体阻抗调谐方法,旨在优化传输效率并保持参数的一致性,适用于无人机及其他移动设备的紧凑型电源模块。

解读: 该技术主要针对无线电能传输(WPT)领域,虽然阳光电源目前的核心业务聚焦于光伏逆变器、储能系统及电动汽车充电桩,但该研究中关于PCB绕组的优化设计及阻抗调谐方法,对提升功率模块的功率密度和散热性能具有参考价值。在阳光电源的充电桩产品线或未来小型化储能模块的研发中,若涉及高频磁性元件的集成设计,可借鉴...

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