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电动汽车应用中SiC逆变器轴电压的分析与抑制
Analysis and Suppression of Shaft Voltage in SiC-Based Inverter for Electric Vehicle Applications
| 作者 | Yang Han · Haifeng Lu · Yongdong Li · Jianyun Chai |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年7月 |
| 技术分类 | 电动汽车驱动 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 电动汽车 逆变器 轴电压 可靠性 高速开关 电机驱动系统 |
语言:
中文摘要
SiC MOSFET的应用提升了电动汽车逆变器的开关频率并减轻了重量，但其高频开关特性会导致电机驱动系统中的轴电压升高，从而影响系统可靠性。本文深入研究了SiC器件高频开关对轴电压的影响机制，并提出了相应的抑制策略。
English Abstract
SiC mosfets allow a higher frequency, lighter weight inverter over their Si counterparts for electric vehicle (EV) applications. However, using SiC-based EV traction inverters is likely to increase the shaft voltage in an ac motor drive system, which significantly affects the reliability of the system. This paper investigates the impact of high-speed switching of SiC devices and high switching fre...
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SunView 深度解读
该研究直接关联阳光电源电动汽车充电桩及电机驱动相关技术储备。SiC器件的高频化是提升逆变器功率密度和效率的关键，但带来的轴电压及EMI问题是系统可靠性的核心挑战。建议在阳光电源的EV驱动及车载电源产品研发中，引入该文的轴电压抑制模型，优化功率模块的封装设计与驱动电路布局，以提升产品在复杂工况下的长期运行可靠性。同时，该研究对优化充电桩内部高频功率变换模块的电磁兼容设计具有重要的参考价值。