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基于能量回馈缓冲电路的串联SiC MOSFET电压均衡控制

Voltage Balancing Control of Series-Connected SiC MOSFETs by Using Energy Recovery Snubber Circuits

作者 Fan Zhang · Xu Yang · Wenjie Chen · Laili Wang
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2020年10月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 拓扑与电路
相关度评分 ★★★★ 4.0 / 5.0
关键词 SiC MOSFET 串联连接 电压平衡 能量回馈 缓冲电路 功率半导体 开关速度
语言:

中文摘要

为实现更高阻断电压,功率开关常采用串联方式。然而,由于电压分配不均,SiC器件因其超快开关速度,串联应用面临更大挑战。本文提出了一种新型能量回馈缓冲电路拓扑,通过有效的电压均衡控制策略,解决了串联SiC MOSFET在高速开关过程中的电压应力不平衡问题。

English Abstract

Power semiconductor switches are usually connected in series to achieve higher blocking voltage. However, the series-operation of semiconductor devices is not easy due to unequal voltage sharing. In comparison with silicon (Si) devices, series-connecting silicon carbide (SiC) devices are even more challenging due to their ultrafast switching speed. In this article, a novel snubber circuit topology...
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SunView 深度解读

该技术对阳光电源的高压组串式逆变器及大型储能系统(如PowerTitan系列)具有重要参考价值。随着光伏系统向1500V甚至更高电压等级演进,利用SiC器件串联技术可有效提升系统功率密度并降低损耗。该能量回馈缓冲电路能解决高压下SiC器件动态均压难题,有助于优化高压功率模块设计。建议研发团队关注该拓扑的损耗与体积平衡,探索其在超高压逆变器及大功率PCS中的工程化应用,以进一步提升产品效率与可靠性。