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一种用于高频振荡抑制和开关电流测量的双功能平面磁耦合电流传感器
A Dual-Function Planar Magnetically Coupled Current Sensor for High-Frequency Oscillation Suppression and Switching Current Measurement
Xiaokang Zhang · Qiao Li · Yun Huang · Guiheng Liu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年1月
本文提出了一种具备双重功能的平面磁耦合电流传感器：抑制高频开关振荡并实现精确的开关电流测量。该传感器集成了基于平面线圈的缓冲电路与谐振补偿积分器。通过磁耦合作用，缓冲电路增强了功率回路阻抗，有效衰减了高频振荡，同时实现了电流传感功能。
解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统具有重要参考价值。随着SiC等宽禁带半导体在高性能逆变器中的广泛应用，高频开关振荡带来的EMI及过压问题日益突出。该传感器将缓冲电路与电流检测集成，既能优化功率回路的电磁兼容性，又能提升电流采样精度，有助于减小系统体积...
一种用于MMC的自激活缓冲电路以改善子模块瞬态电压性能
A Self-Activating Snubber Circuit for MMC to Improve Submodule Transient Voltage Performance
Xiangxi Mu · Xiangyu Zhang · Zhanwei Wang · Sihang Wu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是模块化多电平变换器（MMC）的核心部件。然而，瞬态条件下的关断过电压严重威胁器件可靠性。本文提出了一种新型自激活缓冲电路，旨在有效抑制MMC子模块的关断过电压，提升功率器件的运行可靠性。
解读: 该技术对阳光电源的集中式逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。在大功率电力电子变换器中，IGBT的关断过电压是限制系统功率密度和可靠性的关键瓶颈。通过引入该自激活缓冲电路，可以在不显著增加复杂性的前提下，降低器件电压应力，从而提升系统在电网瞬态故障下的鲁棒性。建议研发团...
基于能量回馈缓冲电路的串联SiC MOSFET电压均衡控制
Voltage Balancing Control of Series-Connected SiC MOSFETs by Using Energy Recovery Snubber Circuits
Fan Zhang · Xu Yang · Wenjie Chen · Laili Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年10月
为实现更高阻断电压，功率开关常采用串联方式。然而，由于电压分配不均，SiC器件因其超快开关速度，串联应用面临更大挑战。本文提出了一种新型能量回馈缓冲电路拓扑，通过有效的电压均衡控制策略，解决了串联SiC MOSFET在高速开关过程中的电压应力不平衡问题。
解读: 该技术对阳光电源的高压组串式逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要参考价值。随着光伏系统向1500V甚至更高电压等级演进，利用SiC器件串联技术可有效提升系统功率密度并降低损耗。该能量回馈缓冲电路能解决高压下SiC器件动态均压难题，有助于优化高压功率模块设计。建议研发团队关注该拓...
一种用于大功率应用中多并联IGBT的RLL均流缓冲电路
An RLL Current Sharing Snubber for Multiple Parallel IGBTs in High Power Applications
Yun Wang · Jiazhi Wang · Fulin Liu · Qianyi Liu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年7月
本文提出了一种用于大功率IGBT并联应用的RLL（电阻-电感-电感）缓冲电路。该电路通过串联电感降低IGBT开通和关断瞬态过程中的电流变化率，从而实现并联IGBT间的电流均衡。相比其他方案，该缓冲电路仅使用无源元件，具有结构简单、成本低且易于实现的优点。
解读: 该技术对阳光电源的大功率组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器（PCS）具有重要参考价值。在大功率模块化设计中，IGBT并联均流是提升系统可靠性和功率密度的关键。RLL缓冲电路通过无源器件实现动态均流，能够有效抑制并联IGBT间的环流及电压尖峰，降低开关损耗，提升大功率变流器的热稳定性和使...
考虑漏感效应的抽头电感变换器统一建模方法
A Unified Modeling Approach to Tapped Inductor Converters Accounting for the Leakage Inductance Effects
Jia Yao · Kewei Li · Kaisheng Zheng · Alexander Abramovitz · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年11月
本文提出了一种针对抽头电感变换器的统一建模方法。该模型充分考虑了耦合磁结构固有的漏感及其相关的缓冲电路效应，并将其纳入非理想抽头电感开关模型中。该方法通过等效子图形式，能够有效建模大多数抽头电感变换器拓扑，为电力电子变换器的精确设计与分析提供了理论支撑。
解读: 抽头电感技术在提升光伏逆变器和储能PCS的升压比及效率方面具有重要应用价值。阳光电源的组串式逆变器及PowerStack/PowerTitan系列储能系统，在处理高功率密度变换时，磁性元件的漏感往往导致电压尖峰和损耗。该建模方法有助于研发团队在设计阶段更精准地评估漏感对开关应力的影响，优化缓冲电路设...
用于7 MW风力发电机组中10 kV IGCT的低损耗反激式缓冲电路
Low Dissipative Snubber Using Flyback-Type Transformer for 10 kV IGCT in 7 MW Wind Turbine Systems
Siamak Shirmohammadi · Yongsug Suh · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年7月
本文针对10 kV集成门极换流晶闸管（IGCT）在7 MW风力发电系统中的应用，提出了一种低损耗反激式缓冲电路。该电路旨在限制IGCT在开关过程中的电流上升率及峰值过电压，解决了传统电阻-电容-二极管（RCD）缓冲电路损耗大的问题，提升了高压大功率变流器的效率与可靠性。
解读: 该技术对阳光电源的风电变流器产品线具有重要的参考价值。随着风电向高压化、大功率化发展，中压IGCT的应用成为提升系统功率密度的关键。该低损耗缓冲电路方案能有效降低高压变流器的开关损耗，提升系统整体效率，并增强IGCT在极端工况下的可靠性。建议研发团队关注该拓扑在未来大功率海上风电变流器中的应用潜力，...
一种用于MMC子模块的Gap-RC缓冲电路以抑制快速瞬态过电压
A Novel Snubber Circuit for MMC Submodule Using Gap-RC to Suppress Fast Transient Overvoltage
Hong Shen · Xiangyu Zhang · Lei Qi · Sheng Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年10月
模块化多电平变换器（MMC）在运行中易受气体绝缘开关设备操作及穿墙套管闪络等瞬态冲击，导致子模块端口承受快速瞬态过电压（FTO），威胁功率器件安全。本文提出了一种基于Gap-RC的附加缓冲电路，用于有效抑制MMC子模块的FTO，提升系统运行可靠性。
解读: 该研究针对MMC拓扑的瞬态过电压防护，对阳光电源的高压大功率储能系统（如PowerTitan系列）及大型光伏电站的集中式逆变器具有重要参考价值。随着光储系统向高压化、大容量化发展，电力电子器件在复杂电网环境下的瞬态耐受能力至关重要。建议研发团队关注该Gap-RC缓冲电路在提升功率模块抗干扰能力方面的...
基于无线电能传输的SiC MOSFET开关振荡缓冲电路优化设计
Optimum Design of Wireless Power Transfer-Based Snubbers for SiC MOSFET Switching Oscillations
Bowang Zhang · Wei Han · Binhong Cao · Weikang Hu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年9月
本文提出了一种基于无线电能传输（WPT）的新型缓冲电路，旨在抑制SiC MOSFET在开关过程中因寄生参数引起的振荡。核心创新点在于通过磁谐振耦合，将振荡能量高效转移至优化设计的接收端，从而显著缩短开关振荡时间，提升高频功率变换器的性能。
解读: 该技术对于阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩）具有极高的应用价值。随着公司产品向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC MOSFET的应用日益广泛，但其带来的高频振荡和EMI问题是设计难点。该WPT缓冲方案提供了一种非接触式的能量耗散思路，有助于在...
SiC MOSFET开关振荡消除的RC缓冲电路优化设计分析方法
Analytical Method for RC Snubber Optimization Design to Eliminate Switching Oscillations of SiC MOSFET
Xin Yang · Mengwei Xu · Qiao Li · Ziru Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年4月
SiC MOSFET的高速开关特性与低阻尼特性易引发开关振荡，严重影响系统可靠性。本文通过将SiC MOSFET与二极管视为双端口网络，对开通与关断过程中的振荡进行精确分析，并提出了一种RC缓冲电路的优化设计方法，以有效抑制振荡并提升电力电子系统的可靠性。
解读: 该研究直接服务于阳光电源的核心功率变换技术。随着公司组串式逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统及风电变流器向高功率密度、高开关频率演进，SiC器件的应用日益广泛。该文提出的RC缓冲电路优化设计方法，能有效解决SiC MOSFET高速开关带来的电压尖峰与振荡问题，直接提升功率模块...
半桥电路中GaN器件抑制误触发振荡的RC缓冲电路分析与设计
Analysis and Design of an RC Snubber Circuit to Suppress False Triggering Oscillation for GaN Devices in Half-Bridge Circuits
Jian Chen · Quanming Luo · Jian Huang · Qingqing He 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年3月
氮化镓（GaN）器件凭借低导通电阻和寄生参数优势被广泛应用，但易引发误触发振荡，导致过冲及电磁干扰。本文针对半桥电路中的GaN器件，分析了误触发振荡机理，并提出了一种RC缓冲电路设计方案，旨在提升系统运行的稳定性与可靠性。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对功率密度要求的不断提升，GaN等宽禁带半导体器件的应用成为技术演进的关键。该文献提出的RC缓冲电路设计方法，能有效解决GaN器件在高频开关过程中的寄生振荡问题，直接提升逆变器和DC-DC变换器的电磁兼容性（EMC）与开关可靠性。建议研发团队在下一代高频...
针对SiC MOSFET的开关损耗优化与钳位能量回馈的过电压及振荡抑制电路
Overvoltage and Oscillation Suppression Circuit With Switching Losses Optimization and Clamping Energy Feedback for SiC MOSFET
Chengzi Yang · Yunqing Pei · Laili Wang · Longyang Yu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年12月
针对SiC MOSFET快速开关导致的严重关断过电压与振荡，缓冲电路是一种经济有效的解决方案。然而，由于缓冲电路在开关过程中解耦了功率回路寄生电感，会导致开通损耗显著增加。本文研究了功率回路寄生电感对开关过程的影响，并提出了一种新型缓冲电路，在抑制过电压与振荡的同时，实现了开关损耗的优化与钳位能量的有效回馈。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。随着PowerTitan系列储能系统及组串式光伏逆变器向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC MOSFET的应用已成为提升效率的关键。该研究提出的缓冲电路方案能够有效解决高频开关带来的电压尖峰与电磁干扰问题，同时通过能量回馈降低损耗，直接提升系统转换...
500 kV/25 kA直流断路器关断过程中杂散电感引起的过电压估计
Overvoltage Estimation by Stray Inductances During Turn-off of a 500 kV/25 kA DC Circuit Breaker
Zhonghao Dongye · Lei Qi · Kexin Liu · Xiaoguang Wei 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
本文研究了直流断路器（DCCB）关断过程中的瞬态特性。研究发现，缓冲电路电感以及金属氧化物避雷器（MOV）的内外杂散电感会导致DCCB两端产生显著过电压，该电压可能超过器件额定值。文章提出了相应的过电压估计方法，对高压直流输电及大功率电力电子设备的保护设计具有重要参考价值。
解读: 该研究关注高压直流系统中的杂散电感与过电压保护，对阳光电源的PowerTitan等大型储能系统及高压直流侧设计具有借鉴意义。虽然阳光电源目前产品多为中低压侧，但随着储能系统向更高电压等级（如1500V及以上）发展，功率模块内部及系统级布线的杂散电感控制成为提升系统可靠性的关键。建议研发团队在设计大功...
一种用于串联SiC MOSFET主动电压平衡的耦合电感改进型RC缓冲电路
A Modified RC Snubber With Coupled Inductor for Active Voltage Balancing of Series-Connected SiC MOSFETs
Chengmin Li · Saizhen Chen · Haoze Luo · Chushan Li 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年10月
SiC MOSFET串联是提升器件阻断电压的有效方案，但动态电压平衡是其面临的核心挑战。本文提出了一种简单、快速且经济的动态电压平衡电路，通过耦合电感改进型RC缓冲器，有效抑制了串联SiC MOSFET间的电压不平衡问题。
解读: 该技术对阳光电源的高压组串式逆变器及大型储能系统（如PowerTitan系列）具有重要意义。随着光伏系统向1500V甚至更高电压等级演进，SiC器件的应用日益广泛。通过该改进型RC缓冲电路，可有效解决多管串联时的动态均压难题，提升系统在高压工况下的可靠性，降低对器件筛选一致性的严苛要求，从而降低系统...
SiC功率模块中硅基RC缓冲器的异构集成以降低寄生振荡噪声
Heterogeneous Integration of Silicon-Based RC Snubber in SiC Power Module for Parasitic Oscillation Noise Reduction
Yu Zhou · Yuting Jin · He Xu · Haoze Luo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月
由于SiC器件开关速度快且电容较小，寄生振荡已成为SiC变换器中高频EMI噪声的主要来源。直流母线缓冲器是经济有效的噪声抑制方案，但现有陶瓷电容存在温度限制和热降额问题。本文提出了一种在SiC功率模块内异构集成硅基RC缓冲器的方法，有效解决了噪声抑制与热稳定性之间的矛盾。
解读: 该技术对阳光电源的SiC组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）具有重要价值。随着公司产品向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件带来的EMI和寄生振荡问题日益突出。将RC缓冲器异构集成至功率模块内部，不仅能显著提升电磁兼容性（EMC）表现，还能优化模块的热设...
使用带有一个有源开关和非耗散关断缓冲器的受控次级整流器的零电压和零电流开关PWM DC-DC变换器
Zero-Voltage and Zero-Current Switching PWM DC–DC Converter Using Controlled Secondary Rectifier With One Active Switch and Nondissipative Turn-Off Snubber
Jaroslav Dudrik · Marek Pastor · Milan Lacko · Robert Zatkovic · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年7月
本文提出了一种在变压器次级侧采用受控整流器的软开关PWM全桥DC-DC变换器。通过引入次级有源开关、新型非耗散能量回收关断缓冲器以及改进的PWM控制算法，实现了主开关的零电压开关（ZVS）和零电流开关（ZCS）条件，有效提升了变换效率。
解读: 该技术通过优化全桥DC-DC拓扑的软开关特性，能显著提升高频变换器的效率并降低开关损耗，对阳光电源的组串式光伏逆变器（如SG系列）及储能变流器（如ST系列PCS）的功率密度提升具有重要参考价值。非耗散缓冲器设计有助于减小散热器体积，符合当前产品轻量化、高功率密度的设计趋势。建议研发团队关注该拓扑在提...
基于串联SiC MOSFET的中压双有源桥变换器分析与设计
Analysis and Design for Medium Voltage Dual Active Bridge Converter Based on Series-Connected SiC MOSFETs
Runtian Chen · Chushan Li · Heng Fang · Rui Lu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年12月
本文提出了一种基于串联SiC MOSFET的中压双有源桥（DAB）变换器，旨在实现器件间的低电压差与高效率。通过利用零电压开关（ZVS）特性，重新设计了串联SiC MOSFET的电压平衡缓冲电路，显著降低了缓冲电阻损耗，提升了变换器整体性能。
解读: 该技术对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及中压光伏并网方案具有重要价值。随着储能系统向高压化、大功率化发展，通过串联SiC MOSFET实现中压DAB变换器，可有效简化系统拓扑，减少对复杂多电平结构的依赖，并提升功率密度与转换效率。建议研发团队关注该电压平衡控制策略...
用于高压应用中串联SiC-MOSFET的单门极驱动与非隔离供电技术
Single-Gate Driving and Nonisolated Power Supply Technology for Series SiC-MOSFETs in High-Voltage Applications
Yu Xiao · Zhixing He · Zongjian Li · Biao Liu 等6人 · IEEE Transactions on Industrial Electronics · 2025年1月
串联碳化硅（SiC）MOSFET在简化高压变流器拓扑与控制方面具有显著优势，但其门极信号传输与驱动电源仍面临高隔离要求和信号串扰难题。本文提出一种基于级联自举电路的非隔离门极驱动拓扑，仅需一个非隔离电源和单一门极信号即可驱动多个串联器件，有效降低系统复杂度。门极信号路径采用光耦隔离，避免了信号串扰；同时引入缓冲电路，在开通过程中实现电压钳位与电容电压自动均压。通过构建6 kV至24 V的四管串联反激变换器实验平台验证了该拓扑的可行性，实验结果表明其在6.05 kV输入、32 kHz开关频率下可稳...
解读: 该单门极驱动与非隔离供电技术对阳光电源高压产品线具有重要应用价值。在ST系列储能变流器和1500V光伏逆变器中，串联SiC-MOSFET可简化多电平拓扑设计，该技术通过级联自举电路实现单信号驱动多器件，显著降低隔离驱动电源数量和成本，同时光耦隔离方案有效解决高压应用中的信号串扰问题。对PowerTi...