← 返回
SiC MOSFET开关振荡消除的RC缓冲电路优化设计分析方法
Analytical Method for RC Snubber Optimization Design to Eliminate Switching Oscillations of SiC MOSFET
| 作者 | Xin Yang · Mengwei Xu · Qiao Li · Ziru Wang · Min He |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 开关振荡 RC 缓冲电路 双端口网络 高速开关 可靠性 电力电子 |
语言:
中文摘要
SiC MOSFET的高速开关特性与低阻尼特性易引发开关振荡，严重影响系统可靠性。本文通过将SiC MOSFET与二极管视为双端口网络，对开通与关断过程中的振荡进行精确分析，并提出了一种RC缓冲电路的优化设计方法，以有效抑制振荡并提升电力电子系统的可靠性。
English Abstract
The switching oscillations caused by the high-speed switching and low-damping characteristics of SiC mosfet seriously deteriorate its high-reliability applications. By viewing from the terminals of both SiC mosfet and diode for the turn-on and turn-off oscillation not only the two-port networks be formed to carry out more accurate analysis about the system characteristics but also the characterist...
S
SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源的核心功率变换技术。随着公司组串式逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统及风电变流器向高功率密度、高开关频率演进，SiC器件的应用日益广泛。该文提出的RC缓冲电路优化设计方法，能有效解决SiC MOSFET高速开关带来的电压尖峰与振荡问题，直接提升功率模块的电磁兼容性（EMC）与长期运行可靠性。建议研发团队在下一代高频化SiC逆变器与PCS产品设计中引入该双端口网络分析法，以优化驱动电路布局，降低开关损耗，并减少对复杂EMI滤波器的依赖。