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基于无线电能传输的SiC MOSFET开关振荡缓冲电路优化设计
Optimum Design of Wireless Power Transfer-Based Snubbers for SiC MOSFET Switching Oscillations
| 作者 | Bowang Zhang · Wei Han · Binhong Cao · Weikang Hu · Youhao Hu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 无线电能传输 缓冲电路 开关振荡 寄生阻抗 磁谐振耦合 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于无线电能传输(WPT)的新型缓冲电路,旨在抑制SiC MOSFET在开关过程中因寄生参数引起的振荡。核心创新点在于通过磁谐振耦合,将振荡能量高效转移至优化设计的接收端,从而显著缩短开关振荡时间,提升高频功率变换器的性能。
English Abstract
This letter proposes a novel wireless power transfer (WPT)-based snubber circuit aimed to suppress the ringing of SiC mosfet resulting from parasitic impedances in the switching circuit. The key innovation lies in the artful transfer of the ringing energy to an optimally designed receiver via magnetic resonant coupling. It reveals that the oscillation time of switching ringing can be reduced by up...
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SunView 深度解读
该技术对于阳光电源的核心产品线(如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩)具有极高的应用价值。随着公司产品向更高功率密度和更高开关频率演进,SiC MOSFET的应用日益广泛,但其带来的高频振荡和EMI问题是设计难点。该WPT缓冲方案提供了一种非接触式的能量耗散思路,有助于在不显著增加电路复杂度的前提下,提升SiC器件的开关效率并降低电磁干扰。建议研发团队关注该技术在下一代高频高功率密度逆变器模块中的集成可行性,以优化系统热管理与电磁兼容性。