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半桥电路中GaN器件抑制误触发振荡的RC缓冲电路分析与设计
Analysis and Design of an RC Snubber Circuit to Suppress False Triggering Oscillation for GaN Devices in Half-Bridge Circuits
| 作者 | Jian Chen · Quanming Luo · Jian Huang · Qingqing He · Pengju Sun · Xiong Du |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN 器件 半桥电路 误触发振荡 RC 缓冲电路 寄生参数 电力电子 电磁干扰 |
语言:
中文摘要
氮化镓（GaN）器件凭借低导通电阻和寄生参数优势被广泛应用，但易引发误触发振荡，导致过冲及电磁干扰。本文针对半桥电路中的GaN器件，分析了误触发振荡机理，并提出了一种RC缓冲电路设计方案，旨在提升系统运行的稳定性与可靠性。
English Abstract
Wide bandgap devices such as gallium nitride (GaN) devices are being widely used due to their low on-resistance and parasitic parameters that can improve system performance compared to Si mosfets. However, these advantages mentioned above can sometimes lead to unexpected behavior in practical systems, such as false triggering oscillation. False triggering oscillation may cause overshoot, electroma...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品中对功率密度要求的不断提升，GaN等宽禁带半导体器件的应用成为技术演进的关键。该文献提出的RC缓冲电路设计方法，能有效解决GaN器件在高频开关过程中的寄生振荡问题，直接提升逆变器和DC-DC变换器的电磁兼容性（EMC）与开关可靠性。建议研发团队在下一代高频化、高功率密度产品（如户用组串式逆变器或微型逆变器）的PCB布局与驱动电路设计中，参考该缓冲电路设计策略，以优化开关波形，降低电压应力，从而提升产品的长期运行可靠性。