SiC功率模块中硅基RC缓冲器的异构集成以降低寄生振荡噪声

Heterogeneous Integration of Silicon-Based RC Snubber in SiC Power Module for Parasitic Oscillation Noise Reduction

作者	Yu Zhou · Yuting Jin · He Xu · Haoze Luo · Wuhua Li · Xiangning He
期刊	IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期	2023年6月
技术分类	功率器件技术
技术标签	SiC器件功率模块宽禁带半导体热仿真
相关度评分	★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词	SiC 功率模块寄生振荡 EMI 噪声 RC 缓冲电路异构集成开关速度热降额

语言:

中文摘要

由于SiC器件开关速度快且电容较小，寄生振荡已成为SiC变换器中高频EMI噪声的主要来源。直流母线缓冲器是经济有效的噪声抑制方案，但现有陶瓷电容存在温度限制和热降额问题。本文提出了一种在SiC功率模块内异构集成硅基RC缓冲器的方法，有效解决了噪声抑制与热稳定性之间的矛盾。

English Abstract

Due to the increased switching speed and reduced device capacitance, the parasitic oscillation of the switching device has become the primary high-frequency electromagnetic interference (EMI) noise source in SiC converters. The dc-link snubber offers a potential to mitigate the noise in a cost-efficient way. However, the temperature limits and thermal de-ratings of the existing ceramic capacitor h...

SunView 深度解读

该技术对阳光电源的SiC组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）具有重要价值。随着公司产品向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件带来的EMI和寄生振荡问题日益突出。将RC缓冲器异构集成至功率模块内部，不仅能显著提升电磁兼容性（EMC）表现，还能优化模块的热设计，降低对外部滤波器的依赖，从而减小整机体积并提升可靠性。建议研发团队评估该集成方案在下一代高频SiC功率模块中的应用可行性，以进一步提升产品在复杂电网环境下的抗干扰能力。