找到 10 条结果
寄生振荡对宽禁带器件开关损耗贡献的评估
Evaluation of Switching Loss Contributed by Parasitic Ringing for Fast Switching Wide Band-Gap Devices
Zheyu Zhang · Ben Guo · Fei Wang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年9月
宽禁带（WBG）器件在高速开关过程中常伴随寄生振荡，这在高频应用中会显著增加开关损耗。本文研究了桥臂配置下寄生振荡对WBG器件开关损耗的影响，并建立了一个考虑寄生参数的分析模型，旨在准确评估和优化高频电力电子变换器的效率。
解读: 该研究对阳光电源的核心业务至关重要。随着SiC等宽禁带器件在组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能变流器（PCS）中的广泛应用，开关频率的提升是实现产品高功率密度和小型化的关键。然而，寄生振荡带来的额外损耗和电磁干扰（EMI）是设计难点。本文提出的分析模型可指导研发团队在PCB布局和驱动电路...
利用强耦合外部谐振器类比无源PT对称抑制SiC MOSFET振荡
Ringing Suppression of SiC MOSFET Using a Strongly Coupled External Resonator Through Analogy With Passive PT-Symmetry
Kenichi Yatsugi · Koshi Oishi · Hideo Iizuka · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年3月
针对宽禁带半导体器件开关过程中产生的寄生振荡问题，本文提出了一种基于无源PT对称原理的强耦合外部谐振器抑制方案。相比传统的RC缓冲电路，该方法在有效抑制振荡的同时，避免了因RC电路带来的额外短路电流及损耗，为提升高频电力电子系统的开关性能提供了新思路。
解读: 随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan储能系统向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC MOSFET的应用已成为提升效率的关键。该研究提出的振荡抑制技术，可直接优化阳光电源高频功率模块的EMI性能与开关损耗，有助于减小滤波器体积，提升整机功率密度。建议研发团队在下一代高频SiC逆变器与PCS...
碳化硅JFET双向开关寄生振荡的分析与建模
Analysis and Modeling of SiC JFET Bi-Directional Switches Parasitic Oscillation
Lina Wang · Junyi Yang · Haobo Ma · Zeyuan Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年9月
基于碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）的双向开关在矩阵变换器、多电平变换器及固态断路器等电力电子电路中应用潜力巨大。然而，其寄生振荡现象直接影响电路的稳定性和可靠性。本文针对该寄生振荡进行建模与分析，旨在为提升电力电子系统的可靠性提供理论支撑。
解读: SiC器件是提升阳光电源逆变器及储能PCS功率密度与效率的核心技术。该研究针对SiC JFET双向开关的寄生振荡建模，对公司开发高频、高效率的组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器具有重要参考价值。通过掌握寄生振荡机理，研发团队可优化驱动电路设计与PCB布局，从而降低电磁干扰（EMI），提...
用于抑制桥臂配置中振荡的RC缓冲电路设计解析技术
Analytical Technique for Designing an RC Snubber Circuit for Ringing Suppression in a Phase-Leg Configuration
Kenichi Yatsugi · Katsuya Nomura · Yoshiyuki Hattori · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年6月
本文提出了一种解析技术，用于设计RC缓冲电路以抑制电力变换器核心部件——桥臂配置中的振荡。研究利用双脉冲测试电路分析了RC缓冲电路对振荡的抑制效果，并探讨了桥臂与双脉冲配置中振荡产生的机理。
解读: 该技术对阳光电源的核心产品线具有极高的应用价值。在光伏组串式逆变器、PowerTitan储能变流器及大功率充电桩中，随着SiC等宽禁带半导体器件的应用，高开关速度带来的电压尖峰与振荡是影响EMI性能及器件可靠性的关键挑战。本文提出的解析设计法可替代传统的试错法，帮助研发团队在产品设计初期快速优化缓冲...
通过分布式栅极阻尼网络优化多芯片SiC堆叠DBC功率模块的开关损耗
Switching Loss Optimization for Multichip SiC Stacked DBC Power Modules Through Distributed Gate Damping Networks
Xiaoshuang Hui · Puqi Ning · Tao Fan · Yuhui Kang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月
针对多芯片并联SiC MOSFET模块中寄生振荡和高开关损耗问题，本文提出了一种在堆叠DBC封装中集成高阻值（30–40 Ω）嵌入式电阻的分布式栅极阻尼网络。该架构有效抑制了开关过程中的振荡，并降低了开关损耗，为高功率密度功率模块的设计提供了新思路。
解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高的参考价值。随着阳光电源组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和更高电压等级（如1500V/2000V）演进，SiC器件的应用已成为提升效率的关键。该分布式栅极阻尼网络技术能有效解决大电流并联下的寄生振荡难题，有助于优化逆变器...
PWM逆变器驱动感应电机中SiC器件开关性能评估
Evaluation of Switching Performance of SiC Devices in PWM Inverter-Fed Induction Motor Drives
Zheyu Zhang · Fred Wang · Leon M. Tolbert · Benjamin J. Blalock 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年10月
双脉冲测试（DPT）是评估SiC器件开关特性的标准方法。然而，在PWM逆变器驱动感应电机的实际应用中，SiC器件的开关性能往往劣于DPT测试结果，表现为开关速度变慢、损耗增加及寄生振荡加剧。本文深入探讨了导致这种差异的原因及影响机制。
解读: 该研究对阳光电源的核心产品线（如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能变流器及风电变流器）具有重要指导意义。随着公司产品向高功率密度和高效率演进，SiC器件的应用已成主流。研究指出的实际工况（如电机驱动或长线缆并网）下寄生参数对SiC性能的影响，提示研发团队在进行逆变器设计时，不能仅依赖器件手册...
一种抑制Boost PFC变换器在断续导通模式下寄生振荡的串联二极管方法
A Series Diode Method of Suppressing Parasitic Oscillation for Boost PFC Converter Operated in Discontinuous Conduction Mode
Qiang Li · Kai Yao · Junchao Song · Hairui Xu 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年1月
本文研究了Boost PFC变换器在断续导通模式（DCM）下，电感电流振荡及初始值对输入电流畸变的影响。通过分析寄生参数引起的振荡机理，提出了一种串联二极管抑制方法，有效改善了输入电流质量，提升了变换器的功率因数与效率。
解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及充电桩产品线具有重要参考价值。在户用逆变器和充电桩的前级PFC电路设计中，DCM模式常用于提升轻载效率。通过引入串联二极管抑制寄生振荡，可显著降低输入电流谐波（THD），提升系统电能质量，满足严苛的电网接入标准。建议研发团队在小功率变换器设计中评估该方案，以优化EM...
基于Si MOSFET与GaN HEMT的功率变换器辐射电磁干扰分析与比较
Analysis and Comparison of the Radiated Electromagnetic Interference Generated by Power Converters With Si MOSFETs and GaN HEMTs
Yingjie Zhang · Shuo Wang · Yongbin Chu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年8月
本文基于等效噪声电压源构成，分析了GaN HEMT与Si MOSFET参数及负载条件对辐射电磁干扰（EMI）的影响。研究重点涵盖了开关电压的上升/下降沿、零电压开关压降以及寄生振荡等因素对辐射EMI的贡献。
解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及充电桩产品中对高功率密度和高效率的追求，GaN等宽禁带半导体器件的应用日益广泛。本文深入分析了GaN器件带来的高频开关噪声及辐射EMI机理，对公司研发团队在优化PCB布局、抑制寄生参数及提升电磁兼容性（EMC）设计方面具有重要指导意义。建议在后续的组串式逆变器及充电桩高...
DCM模式下带RC缓冲电路的Boost PFC变换器振荡分析及参数选择原则
Detailed Oscillation Analysis and Parameter Selection Principle for Boost PFC Converter With RC Snubber Operated in DCM
Kai Yao · Hairui Xu · Qiang Li · Yehua Han 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年4月
本文研究了Boost PFC变换器在断续导通模式（DCM）下的寄生振荡问题。寄生参数会导致输入电流畸变，文章详细分析了RC缓冲电路对抑制寄生振荡的作用，并推导了特征根的三种形式，提出了相应的参数选择原则，以优化变换器的性能。
解读: 该研究直接关联阳光电源组串式逆变器及户用光伏产品中的前级Boost升压电路。在光伏逆变器设计中，DCM模式下的寄生振荡是导致EMI超标和电流谐波畸变的主要原因。通过本文提出的RC缓冲参数优化原则，研发团队可有效抑制高频振荡，提升系统电磁兼容性（EMC）表现，并降低功率器件的电压应力。建议在下一代高功...
SiC功率模块中硅基RC缓冲器的异构集成以降低寄生振荡噪声
Heterogeneous Integration of Silicon-Based RC Snubber in SiC Power Module for Parasitic Oscillation Noise Reduction
Yu Zhou · Yuting Jin · He Xu · Haoze Luo 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月
由于SiC器件开关速度快且电容较小，寄生振荡已成为SiC变换器中高频EMI噪声的主要来源。直流母线缓冲器是经济有效的噪声抑制方案，但现有陶瓷电容存在温度限制和热降额问题。本文提出了一种在SiC功率模块内异构集成硅基RC缓冲器的方法，有效解决了噪声抑制与热稳定性之间的矛盾。
解读: 该技术对阳光电源的SiC组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）具有重要价值。随着公司产品向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC器件带来的EMI和寄生振荡问题日益突出。将RC缓冲器异构集成至功率模块内部，不仅能显著提升电磁兼容性（EMC）表现，还能优化模块的热设...