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寄生振荡对宽禁带器件开关损耗贡献的评估
Evaluation of Switching Loss Contributed by Parasitic Ringing for Fast Switching Wide Band-Gap Devices
| 作者 | Zheyu Zhang · Ben Guo · Fei Wang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 SiC器件 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 宽禁带器件 寄生振荡 开关损耗 桥臂结构 解析模型 高速开关 |
语言:
中文摘要
宽禁带（WBG）器件在高速开关过程中常伴随寄生振荡，这在高频应用中会显著增加开关损耗。本文研究了桥臂配置下寄生振荡对WBG器件开关损耗的影响，并建立了一个考虑寄生参数的分析模型，旨在准确评估和优化高频电力电子变换器的效率。
English Abstract
Parasitic ringing is commonly observed during the high-speed switching of wide band-gap (WBG) devices. Additional loss contributed by parasitic ringing becomes a concern especially for high switching frequency applications. This paper investigates the effects of parasitic ringing on the switching loss of WBG devices in a phase-leg configuration. An analytical switching loss model considering paras...
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SunView 深度解读
该研究对阳光电源的核心业务至关重要。随着SiC等宽禁带器件在组串式光伏逆变器和PowerTitan系列储能变流器（PCS）中的广泛应用，开关频率的提升是实现产品高功率密度和小型化的关键。然而，寄生振荡带来的额外损耗和电磁干扰（EMI）是设计难点。本文提出的分析模型可指导研发团队在PCB布局和驱动电路设计阶段更精准地评估损耗，优化散热设计。建议在下一代高频化逆变器及储能PCS的开发中，引入该模型以提升整机效率，并降低功率模块在高速开关下的应力，从而提高产品长期运行的可靠性。