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基于Si MOSFET与GaN HEMT的功率变换器辐射电磁干扰分析与比较
Analysis and Comparison of the Radiated Electromagnetic Interference Generated by Power Converters With Si MOSFETs and GaN HEMTs
| 作者 | Yingjie Zhang · Shuo Wang · Yongbin Chu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年8月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | GaN HEMT Si MOSFET 辐射 EMI 开关电压 寄生振荡 电力变换器 电磁干扰 |
语言:
中文摘要
本文基于等效噪声电压源构成，分析了GaN HEMT与Si MOSFET参数及负载条件对辐射电磁干扰（EMI）的影响。研究重点涵盖了开关电压的上升/下降沿、零电压开关压降以及寄生振荡等因素对辐射EMI的贡献。
English Abstract
In this article, the effects of the parameters of GaN HEMTs and Si mosfets and the load conditions on the radiated electromagnetic interference (EMI) are analyzed based on the compositions of the equivalent noise voltage sources. These compositions include the rising and falling edges of the switching voltages, the zero-voltage-switching voltage drops and the parasitic ringing. The radiated EMI fr...
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SunView 深度解读
随着阳光电源在户用光伏逆变器及充电桩产品中对高功率密度和高效率的追求，GaN等宽禁带半导体器件的应用日益广泛。本文深入分析了GaN器件带来的高频开关噪声及辐射EMI机理，对公司研发团队在优化PCB布局、抑制寄生参数及提升电磁兼容性（EMC）设计方面具有重要指导意义。建议在后续的组串式逆变器及充电桩高频化设计中，重点关注GaN器件带来的EMI挑战，通过改进驱动电路及滤波设计，确保产品在满足严苛EMI标准的同时，发挥宽禁带器件的性能优势。