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利用强耦合外部谐振器类比无源PT对称抑制SiC MOSFET振荡
Ringing Suppression of SiC MOSFET Using a Strongly Coupled External Resonator Through Analogy With Passive PT-Symmetry
| 作者 | Kenichi Yatsugi · Koshi Oishi · Hideo Iizuka |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年3月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 寄生振荡 PT对称 宽禁带半导体 开关振荡 电力电子 谐振器 |
语言:
中文摘要
针对宽禁带半导体器件开关过程中产生的寄生振荡问题，本文提出了一种基于无源PT对称原理的强耦合外部谐振器抑制方案。相比传统的RC缓冲电路，该方法在有效抑制振荡的同时，避免了因RC电路带来的额外短路电流及损耗，为提升高频电力电子系统的开关性能提供了新思路。
English Abstract
Suppressing parasitic ringing, unwanted oscillation caused by switching, sufficiently and reliably, is of great importance in wide bandgap semiconductor devices. RC-circuits inserted in parallel with switching devices have been widely used to suppress such parasitic ringing in power electronics circuits due to simple configurations. However, short-circuit current would flow through power lines if ...
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SunView 深度解读
随着阳光电源组串式逆变器及PowerTitan储能系统向更高功率密度和更高开关频率演进，SiC MOSFET的应用已成为提升效率的关键。该研究提出的振荡抑制技术，可直接优化阳光电源高频功率模块的EMI性能与开关损耗，有助于减小滤波器体积，提升整机功率密度。建议研发团队在下一代高频SiC逆变器与PCS模块设计中，评估该谐振器方案在抑制电压尖峰与电磁干扰方面的可行性，以进一步提升产品可靠性。