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碳化硅JFET双向开关寄生振荡的分析与建模
Analysis and Modeling of SiC JFET Bi-Directional Switches Parasitic Oscillation
| 作者 | Lina Wang · Junyi Yang · Haobo Ma · Zeyuan Wang · Kabir Oladele Olanrewaju · Pat Wheeler |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC JFET 双向开关 寄生振荡 电力电子 建模 稳定性 可靠性 |
语言:
中文摘要
基于碳化硅（SiC）结型场效应晶体管（JFET）的双向开关在矩阵变换器、多电平变换器及固态断路器等电力电子电路中应用潜力巨大。然而，其寄生振荡现象直接影响电路的稳定性和可靠性。本文针对该寄生振荡进行建模与分析，旨在为提升电力电子系统的可靠性提供理论支撑。
English Abstract
Silicon carbide (SiC) junction field-effect transistor (JFET) based bi-directional switches (BDSs) have great potential in the construction of several power electronic circuits, including matrix converters, multi-level converters, solid state breakers, and so on. Parasitic oscillation in SiC JFET-based BDSs has direct impact on the stability and reliability of these circuits. Proper handling of pa...
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SunView 深度解读
SiC器件是提升阳光电源逆变器及储能PCS功率密度与效率的核心技术。该研究针对SiC JFET双向开关的寄生振荡建模，对公司开发高频、高效率的组串式逆变器及PowerTitan系列储能变流器具有重要参考价值。通过掌握寄生振荡机理，研发团队可优化驱动电路设计与PCB布局，从而降低电磁干扰（EMI），提升功率模块在极端工况下的可靠性。建议在下一代高压储能PCS及多电平拓扑研发中，重点关注宽禁带半导体在双向功率流控制下的动态特性优化。