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拓扑与电路 DAB SiC器件 双向DC-DC 功率模块 ★ 5.0

基于串联SiC MOSFET的中压双有源桥变换器分析与设计

Analysis and Design for Medium Voltage Dual Active Bridge Converter Based on Series-Connected SiC MOSFETs

作者 Runtian Chen · Chushan Li · Heng Fang · Rui Lu · Chengmin Li · Wenxi Yao · Wuhua Li · Xiangning He
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2023年12月
技术分类 拓扑与电路
技术标签 DAB SiC器件 双向DC-DC 功率模块
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 中压 双有源桥 (DAB) SiC MOSFET 串联连接 电压均衡 零电压开关 (ZVS) 缓冲电路 效率
语言:

中文摘要

本文提出了一种基于串联SiC MOSFET的中压双有源桥(DAB)变换器,旨在实现器件间的低电压差与高效率。通过利用零电压开关(ZVS)特性,重新设计了串联SiC MOSFET的电压平衡缓冲电路,显著降低了缓冲电阻损耗,提升了变换器整体性能。

English Abstract

In this article, a series-connected SiC MOSFETs-based medium voltage (MV) dual active bridge (DAB) converter featuring a low voltage difference among devices and high efficiency is proposed. In the developed DAB converter, the zero voltage switching-on characteristic is used to redesign the voltage balancing snubber circuits of the series-connected SiC MOSFETs. The snubber resistance is greatly re...
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SunView 深度解读

该技术对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及中压光伏并网方案具有重要价值。随着储能系统向高压化、大功率化发展,通过串联SiC MOSFET实现中压DAB变换器,可有效简化系统拓扑,减少对复杂多电平结构的依赖,并提升功率密度与转换效率。建议研发团队关注该电压平衡控制策略,将其应用于下一代高压储能变流器(PCS)的DC-DC级,以优化系统成本并提升在极端工况下的可靠性。