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用于300-kHz SiC双向CLLC变换器数字同步整流的考虑MOSFET结电容的多谐波频域模型
Multiharmonic Frequency-Domain Model With MOSFET Junction Capacitance for Digital Synchronous Rectification in 300-kHz SiC Bidirectional CLLC Converters
| 作者 | Haoran Li · Xin Wang · Cungang Hu · Xirui Zhu · Xi Tang · Zhiliang Zhang · Wenping Cao |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2026年4月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | SiC器件 双向DC-DC LLC谐振 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | CLLC变换器 同步整流 SiC MOSFET 结电容 频域模型 高频功率变换 |
语言:
中文摘要
传统CLLC同步整流（SR）依赖硬件检测或时域模型，易受SiC器件高dv/dt干扰且精度受限。本文提出一种考虑MOSFET结电容的多谐波频域模型，旨在解决高频下SiC体二极管导通压降高带来的损耗问题，实现高精度同步整流控制。
English Abstract
Hardware detections or complex time-domain models are generally adopted in conventional CLLC synchronous rectification (SR). However, they are vulnerable to high dv/dt generated by SiC power devices, or encounter challenges in achieving high-precision SR because of the fitting method limitations. High-precision SR is crucial as the forward voltage of SiC mosfets body diode can be five times higher...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及户用储能中的双向DC-DC变换器具有重要价值。随着储能系统向高功率密度和高效率演进，300kHz高频化是必然趋势。该模型通过精确的频域建模优化同步整流，能显著降低SiC MOSFET在高频运行下的开关损耗和体二极管导通损耗，提升系统整体转换效率。建议研发团队在下一代高频储能变流器（PCS）设计中引入该控制策略，以应对高dv/dt带来的EMI挑战，并提升轻载下的效率表现。