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一种具有分裂谐振槽和矩阵变压器的1-kV输入SiC LLC变换器

A 1-kV Input SiC LLC Converter With Split Resonant Tanks and Matrix Transformers

作者 Xiaoyong Ren · Zhi-Wei Xu · Zhiliang Zhang · Haoran Li · Mingxie He · Jiachen Tang · Qianhong Chen
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2019年11月
技术分类 拓扑与电路
技术标签 LLC谐振 SiC器件 宽禁带半导体 双向DC-DC
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 SiC LLC变换器 平面矩阵变压器 高功率密度 位移电流 寄生电容 高频 1-kV输入
语言:

中文摘要

本文提出了一种采用矩阵平面变压器的1-kV输入SiC LLC变换器,旨在实现高效率与高功率密度。针对1-kV高压输入下SiC MOSFET快速开关(140 ns)产生的11.8 kV/μs高dv/dt,分析了其通过变压器寄生电容产生的位移电流问题,并提出了优化方案。

English Abstract

A 1-kV input SiC LLC converter with the matrix planar transformers is proposed to achieve high efficiency and high power density. With fast switching speed 140 ns of SiC mosfets at 1-kV input voltage, high dv/dt of 11.8 kV/μs can cause large displacement current via the parasitic capacitance between the primary and secondary sides of high-frequency planar transformers. The displacement current via...
S

SunView 深度解读

该技术对阳光电源的组串式逆变器及储能系统(如PowerTitan、PowerStack)具有重要参考价值。随着光伏系统向1500V直流侧电压演进,高压SiC器件的应用已成为提升功率密度和效率的关键。文中提到的矩阵变压器技术和对高dv/dt下寄生参数的抑制策略,可直接应用于阳光电源大功率DC-DC变换模块的设计,有助于在减小体积的同时降低电磁干扰(EMI),提升系统可靠性。建议研发团队关注该拓扑在提升储能PCS效率及降低散热成本方面的潜力。