← 返回
基于SiC-MOSFET/SBD H桥模块的850-V 100-kW 16-kHz双向隔离DC-DC变换器的设计与性能
Design and Performance of the 850-V 100-kW 16-kHz Bidirectional Isolated DC–DC Converter Using SiC-MOSFET/SBD H-Bridge Modules
| 作者 | Ryo Haneda · Hirofumi Akagi |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2020年10月 |
| 技术分类 | 拓扑与电路 |
| 技术标签 | 双向DC-DC SiC器件 储能变流器PCS 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | 双向隔离型DC-DC变换器 SiC-MOSFET SBD H桥模块 开关损耗 效率提升 CCM |
语言:
中文摘要
本文设计并测试了一款采用最新1.2-kV 400-A SiC-MOSFET/SBD H桥模块的850-V 100-kW 16-kHz双向隔离DC-DC变换器，重点在于提升效率。文章提出了一种在部分负载下采用连续电流模式（CCM）的间歇运行策略，以降低开关损耗。实验结果验证了该方案的有效性。
English Abstract
This article designs, builds, and tests the 850-V 100-kW 16-kHz bidirectional isolated dc-dc converter using the latest 1.2-kV 400-A SiC-MOSFET/SBD H-bridge modules, with focus on efficiency improvement. Here, SBD stands for Schottky barrier diode. It proposes intermittent operation with continuous-current mode (CCM), to reduce switching losses in partial loads. Experimental results verify that th...
S
SunView 深度解读
该技术对阳光电源的储能系统（如PowerTitan、PowerStack）及大功率组串式逆变器具有极高的参考价值。SiC H桥模块的应用能显著提升变换器的功率密度和转换效率，符合阳光电源追求极致能效的研发方向。文中提出的CCM间歇运行策略可优化储能变流器（PCS）在轻载工况下的效率表现，有助于提升产品在全负载范围内的性能指标。建议研发团队评估该模块在下一代高压储能系统中的集成可行性，以进一步降低系统散热需求并缩小体积。