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桥臂配置下高压增强型GaN晶体管误导通评估的分析模型

An Analytical Model for False Turn-On Evaluation of High-Voltage Enhancement-Mode GaN Transistor in Bridge-Leg Configuration

作者 Ruiliang Xie · Hanxing Wang · Gaofei Tang · Xu Yang · Kevin J. Chen
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2017年8月
技术分类 功率器件技术
技术标签 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析
相关度评分 ★★★★ 4.0 / 5.0
关键词 增强型GaN 桥臂结构 误导通 功率变换器 开关频率 功率密度 可靠性
语言:

中文摘要

与硅基器件相比,增强型氮化镓(E-mode GaN)晶体管具有优异的品质因数,在提升功率变换器开关频率、效率及功率密度方面潜力巨大。本文针对桥臂电路中控制管与同步管的配置,提出了一种评估高压GaN晶体管误导通现象的分析模型,旨在解决高频应用中的可靠性挑战。

English Abstract

Compared with the state-of-the-art Si-based power devices, enhancement-mode Gallium Nitride (E-mode GaN) transistors have better figures of merit and exhibit great potential in enabling higher switching frequency, higher efficiency, and higher power density for power converters. The bridge-leg configuration circuit, consisting of a controlling switch and a synchronous switch, is a critical compone...
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SunView 深度解读

随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能产品(如PowerStack)中对高功率密度和高效率的追求,GaN器件的应用已成为技术演进的重要方向。该模型对于优化桥臂驱动电路设计、抑制高频开关下的误导通风险具有直接指导意义。建议研发团队在下一代高频紧凑型逆变器及微型逆变器开发中,利用该模型评估GaN器件的驱动参数,以提升系统在极端工况下的可靠性,并为未来宽禁带半导体在全产品线的规模化应用提供理论支撑。