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一种低功耗的硅-碳化硅达林顿晶体管对
A Si-SiC Darlington Transistor Pair With Low Consumption
| 作者 | Linyuan Liao · Zhenhui Wu · Zhixiong Yang · Rongzhou Zeng · Jiaojiao Liang · Jun Wang · Z. John Shen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年6月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC BJT Si-SiC混合达林顿晶体管对 HDTP 驱动损耗 开关损耗 电力电子 半导体器件 |
语言:
中文摘要
碳化硅双极型晶体管（SiC BJT）作为第三代半导体器件，因其高驱动损耗限制了商业化应用。本文提出了一种由输入硅（Si）BJT和输出SiC BJT组成的硅-碳化硅混合达林顿晶体管对（HDTP），通过共射极连接，旨在有效降低开关损耗，提升功率转换效率。
English Abstract
Silicon carbide bipolar transistor (SiC BJT) is third-generation semiconductor devices, but due to the high driving loss (Edri), SiC BJT has not been widely studied and commercialized. To solve this problem, a Si-SiC hybrid Darlington transistor pair (HDTP) is proposed, which is composed of an input Si BJT and an output SiC BJT connected by a common emitter. Moreover, the switch loss (ESW) of the ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有重大意义。在光伏组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）中，降低开关损耗是提升整机效率和功率密度的关键。Si-SiC混合拓扑通过结合Si器件的驱动优势与SiC器件的高效开关特性，有望在不显著增加成本的前提下，优化逆变器及PCS的散热设计，提升系统可靠性。建议研发团队关注该混合驱动方案在兆瓦级储能PCS中的应用潜力，以进一步降低系统全生命周期成本（LCOE）。