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一种用于并联SiC JFET/Si MOSFET共源共栅结构的低成本新型拓扑以平衡开通电流与结温
A Low-Cost Novel Structure for Paralleled SiC JFET/Si MOSFET Cascodes to Balance Turn-on Current and Junction Temperature
| 作者 | Cheng Zhao · Laili Wang · Xu Yang · Yongmei Gan · Hong Zhang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年12月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC JFET Si MOSFET 共源共栅 (Cascode) 并联运行 电流不平衡 结温 电力电子 |
语言:
中文摘要
SiC JFET/Si MOSFET共源共栅结构（SSC）因其低导通电阻和快速开关特性在电力电子领域极具潜力。针对大电流应用中多SSC并联时，由于布局不对称导致的开通电流不平衡及结温差异问题，本文提出了一种低成本的新型结构，旨在优化并联器件间的电流分配，提升系统可靠性。
English Abstract
SiC JFET/Si mosfet Cascodes (SSCs) are promising because of their small on-resistance and fast switching speed. Parallel operation of multiple SSCs is popular for high-current applications. However, the practical layout can hardly be absolutely symmetric. The mismatches from layout will cause turn-on current imbalance among paralleled SSCs. The maximum current stress will be aggravated for some SS...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）具有重要参考价值。随着碳化硅（SiC）在光伏和储能领域的高频化应用，多管并联是提升功率密度的关键。该研究提出的电流平衡技术可有效解决并联器件因布局寄生参数不匹配导致的应力集中问题，有助于提升阳光电源大功率模块的可靠性与热设计水平。建议研发团队关注该拓扑在模块化PCS设计中的应用，以降低驱动电路复杂度并优化系统散热布局。