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一种200mm E-Mode GaN-on-Si功率HEMT可靠性与寿命评估新方法
A Novel Evaluation Methodology for the Reliability and Lifetime of 200 mm E-Mode GaN-on-Si Power HEMTs
| 作者 | Jingyu Shen · Chao Yang · Liang Jing · Ping Li · Hao Wu · Zhiyong Huang · Shengdong Hu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | GaN器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | E-mode GaN-on-Si HEMT 可靠性 寿命 电力电子 200 mm CMOS平台 WLRT |
语言:
中文摘要
本文提出了一种针对增强型AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的可靠性与寿命评估新方法。以工业级200mm Si CMOS兼容平台制造的商用100V E-mode GaN-on-Si功率HEMT为例，详细介绍了包括晶圆级可靠性测试（WLRT）在内的评估流程，为宽禁带半导体器件的可靠性验证提供了实用参考。
English Abstract
In this article, a novel evaluation methodology for the reliability and lifetime of E-mode AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMTs) has been proposed. A practical example of reliability evaluation is presented for commercial 100 V E-mode GaN-on-Si power HEMTs, which are fabricated on an industrial 200 mm Si CMOS compatible technology platform. First, wafer-level reliability test (WLRT)...
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SunView 深度解读
GaN作为宽禁带半导体，在提升阳光电源户用光伏逆变器及小型化充电桩的功率密度和转换效率方面具有巨大潜力。本文提出的可靠性评估方法对于公司评估GaN器件在工业化应用中的长期稳定性至关重要。建议研发团队参考该评估流程，建立针对GaN功率器件的入库筛选标准，以加速其在下一代高频、高效率户用逆变器及便携式储能产品中的导入，确保产品在严苛环境下的长寿命运行。