找到 50 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
功率器件技术 SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 ★ 5.0

通过分布式栅极阻尼网络优化多芯片SiC堆叠DBC功率模块的开关损耗

Switching Loss Optimization for Multichip SiC Stacked DBC Power Modules Through Distributed Gate Damping Networks

Xiaoshuang Hui · Puqi Ning · Tao Fan · Yuhui Kang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

针对多芯片并联SiC MOSFET模块中寄生振荡和高开关损耗问题,本文提出了一种在堆叠DBC封装中集成高阻值(30–40 Ω)嵌入式电阻的分布式栅极阻尼网络。该架构有效抑制了开关过程中的振荡,并降低了开关损耗,为高功率密度功率模块的设计提供了新思路。

解读: 该技术对阳光电源的核心业务具有极高的参考价值。随着阳光电源组串式逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统向更高功率密度和更高电压等级(如1500V/2000V)演进,SiC器件的应用已成为提升效率的关键。该分布式栅极阻尼网络技术能有效解决大电流并联下的寄生振荡难题,有助于优化逆变器...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

考虑沟道与体二极管动态特性的碳化硅MOSFET第三象限特性模型

Third Quadrant Characteristic Model of Silicon Carbide MOSFET Considering Channel and Body-Diode Dynamics

Ning Wang · Jianzhong Zhang · Yaqian Zhang · Fujin Deng · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年3月

本文提出了一种碳化硅(SiC)MOSFET第三象限特性模型,能够精确预测其反向导通行为。该模型详细考虑了浮空衬底效应、界面态效应及温度敏感效应,从而有效评估从源极到漏极的I-V轨迹。

解读: 该研究对于阳光电源的核心产品线(如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩)具有极高价值。随着公司产品向高功率密度和高效率演进,SiC MOSFET已成为关键功率器件。该模型能帮助研发团队更精确地评估SiC器件在死区时间内的反向导通损耗及动态应力,优化驱动电路设计,从而提升逆变...

拓扑与电路 DAB DC-DC变换器 三电平 ★ 5.0

基于三电平NPC的DAB变换器高效可靠控制策略综述

Overview of Efficient and Reliable Control Strategies for Three-Level NPC-Based DAB Converters

Chaochao Song · Ning Wang · Ariya Sangwongwanich · Frede Blaabjerg 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月

双有源桥(DAB)变换器因其高功率密度、软开关特性及双向功率传输能力,在直流输电领域应用广泛。随着中压直流(MVDC)系统的发展,基于三电平中点钳位(NPC)结构的DAB变换器成为研究热点,本文综述了其高效与可靠的控制策略。

解读: 该技术对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack系列)及中压直流接入场景具有重要指导意义。三电平NPC拓扑能有效降低功率器件的电压应力,提升系统效率和功率密度,是实现高压大功率储能PCS的关键技术路径。建议研发团队关注该拓扑下的软开关优化控制及多电平调制策略,以进一步降低储能...

拓扑与电路 功率模块 有限元仿真 储能变流器PCS ★ 5.0

一种基于格子玻尔兹曼方法的电力电子电容器布局与母排结构高效电磁求解器

A Novel Lattice Boltzmann Based Electromagnetic Solver for Efficient Evaluation of Capacitor Layout and Busbar Structure in Power Electronics

Xiaoshuang Hui · Puqi Ning · Tao Fan · Yuhui Kang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年12月

母排寄生参数决定了电力电子变换器的动态性能,因此迫切需要针对电容器布局和母排结构优化的评估方法。为克服传统有限元分析(FEA)在计算效率上的局限性,本文提出了一种基于格子玻尔兹曼方法(LBM)的电磁求解器,用于高效评估电力电子系统中的电磁特性。

解读: 该研究提出的LBM电磁求解器对阳光电源的核心业务具有极高价值。在PowerTitan/PowerStack储能系统及组串式逆变器开发中,母排的寄生电感优化直接影响功率模块(IGBT/SiC)的开关应力和EMI性能。相比传统FEA,该方法能显著缩短高功率密度产品研发周期,特别是在大电流母排设计和电容布...

电动汽车驱动 ★ 5.0

纳米晶高频变压器振动与噪声特性的仿真与实验验证

Simulation and Experimental Verification of Vibration and Noise Characteristics of Nanocrystalline High-Frequency Transformer

Pengning Zhang · Yajin Yang · Ze Liu · Ning Wang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月

高频变压器(HFT)是电力电子变压器的核心部件,但高频变压器在正常运行过程中的振动和噪声问题较为严重。因此,本文对高频变压器的振动噪声特性进行了研究。首先,研究了高频变压器的振动机理,推导了引起高频变压器振动的电磁力模型,并建立了高频变压器的电磁 - 机械 - 声学多物理场耦合模型。然后,基于该模型研究分析了高频变压器在正弦波和方波激励下的振动和噪声特性。结果表明,当激励频率为 5 kHz 时,正弦波激励下的主要振动频率为 10 kHz。对于方波激励,主要频率为 10、20 和 30 kHz,声...

解读: 从阳光电源的业务角度来看,这项关于纳米晶高频变压器振动噪声特性的研究具有重要的工程应用价值。高频变压器是我司光伏逆变器、储能变流器及电力电子变压器等核心产品的关键部件,其振动噪声问题直接影响产品的市场竞争力和用户体验。 该研究建立的电磁-机械-声学多物理场耦合模型,为我司产品设计提供了重要的理论工...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

考虑失效模式的SiC MOSFET短路动态模型

Short-Circuit Dynamic Model of SiC MOSFET Considering Failure Modes

Ning Wang · Jianzhong Zhang · Fujin Deng · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月

本文提出了一种紧凑模型,用于精确预测SiC MOSFET的短路动态特性。通过构建短路测试平台,在无需物理参数的情况下采集数据,测量了安全状态与失效状态下的短路轨迹,并分析了栅极氧化层的累积退化过程。

解读: SiC器件是阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩提升功率密度与效率的核心。该研究提出的短路动态模型及失效分析方法,对优化逆变器及PCS的短路保护策略、提升极端工况下的可靠性具有重要指导意义。建议研发团队将其应用于iSolarCloud智能运维平台,通过模型预测实现对功率...

拓扑与电路 功率模块 机器学习 深度学习 ★ 5.0

基于知识感知人工神经网络的高频磁芯损耗建模

High-Frequency Core Loss Modeling Based on Knowledge-Aware Artificial Neural Network

Junyun Deng · Wenbo Wang · Zhansheng Ning · Prasanth Venugopal 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年2月

高频磁芯损耗建模对电力电子磁性元件设计至关重要。现有方法难以兼顾速度与精度:传统解析法速度快但精度低,基于损耗图的建模法精度高但依赖海量数据。本文提出一种知识感知人工神经网络模型,有效平衡了建模效率与预测准确性。

解读: 磁性元件是阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能变流器及风电变流器中的核心损耗源。该研究提出的知识感知神经网络建模方法,能显著提升高频磁性元件设计的精度与效率,缩短研发周期。建议研发团队将其应用于高功率密度逆变器及储能PCS的磁性元件优化设计中,通过结合物理知识与AI算法,降低磁芯损耗,提升...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

考虑热失控现象的SiC MOSFET雪崩动力学模型

Avalanche Dynamics Model of SiC MOSFET Considering Thermal Runaway Phenomenon

Ning Wang · Jianzhong Zhang · Fujin Deng · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年8月

本文提出了一种高精度的平面型SiC MOSFET紧凑型SPICE模型,用于预测雪崩动力学过程。该模型创新性地考虑了动态雪崩电阻,能够准确模拟安全状态下的雪崩轨迹,并描述了器件内部的热失控现象。

解读: SiC MOSFET是阳光电源组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩提升功率密度与效率的核心器件。该模型对雪崩动力学及热失控的精确模拟,直接有助于提升阳光电源在极端工况下的功率模块可靠性设计。建议研发团队利用该模型优化逆变器在过压冲击下的保护策略,并将其集成至功率模块的寿命预测与...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

考虑转移特性沟道动力学的改进型SiC MOSFET模型

Improved SiC MOSFET Model Considering Channel Dynamics of Transfer Characteristics

Ning Wang · Jianzhong Zhang · Fujin Deng · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年1月

本文提出了一种改进的SiC MOSFET模型,能够准确预测其在宽运行范围内的动态特性。该模型综合考虑了温度敏感效应(TSE)、短沟道效应(SCE)及界面态效应,并设计了相应的动态转移特性测试平台以验证模型精度。

解读: SiC MOSFET是阳光电源新一代组串式逆变器、PowerTitan系列储能变流器及高功率密度充电桩的核心功率器件。该模型通过精确刻画TSE和SCE效应,能显著提升阳光电源在产品设计阶段对功率模块热应力和开关损耗的仿真精度,从而优化散热设计与驱动电路参数。建议研发团队将此模型集成至iSolarCl...

储能系统技术 储能系统 电池管理系统BMS 双向DC-DC ★ 5.0

基于L2C3谐振拓扑的双向恒流组串到单体电池均衡器

Bidirectional Constant Current String-to-Cell Battery Equalizer Based on L2C3 Resonant Topology

Zhengqi Wei · Haoyu Wang · Yiqing Lu · Dongdong Shu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年1月

本文提出了一种新型双向L2C3谐振变换器,用于电池均衡系统。该架构具备恒定均衡电流和固定频率控制特性,可实现稳定的均衡速度,并优化了能量流动路径,有效提升了电池组的均衡效率与控制灵活性。

解读: 该技术对阳光电源的储能业务(如PowerTitan、PowerStack系列)具有重要参考价值。电池均衡是提升大规模储能系统寿命和安全性的核心技术,L2C3谐振拓扑提供的恒流特性有助于优化BMS(电池管理系统)的均衡策略,减少能量损耗并缩短均衡时间。建议研发团队评估该拓扑在大型储能集装箱内电池簇均衡...

拓扑与电路 储能变流器PCS 双向DC-DC LLC谐振 ★ 5.0

一种用于CLLC双向变换器的耦合电感方案及优化电流检测方法

A Coupled Inductor Scheme for CLLC Bidirectional Converter and Optimized Current Detection Method

Min Chen · Dongbo Zhang · Ning Chen · Bodong Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月

本文提出了一种用于CLLC双向变换器的耦合谐振电感结构,有效减少了磁性元件的数量与体积,并抑制了寄生参数引起的振荡。同时,提出了一种基于磁元件电压检测的优化电流检测方法,避免了昂贵且笨重的电流传感器使用。

解读: 该技术对阳光电源的储能业务(如PowerTitan、PowerStack及ST系列PCS)具有极高的应用价值。CLLC拓扑是实现高效双向能量转换的核心,通过耦合电感技术,可显著提升PCS的功率密度并降低磁性元件成本,符合当前储能系统向高集成度、低成本演进的趋势。此外,无传感器电流检测方案能够降低硬件...

拓扑与电路 DAB 双向DC-DC 单相逆变器 ★ 5.0

一种基于差分电容设计的输入并联输出串联DAB馈电单相VSI二次谐波抑制方法

A Second-Harmonic Suppression Method Based on Differentiated-Capacitance Design for Input-Parallel Output-Series DAB Fed Single-Phase VSI

Zhenchao Li · Yan Zhang · Jinjun Liu · Ziyin Wang 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年10月

在单相逆变器中,瞬时功率以两倍工频脉动,导致直流母线产生二次谐波电压。传统方案依赖大容量电解电容或额外辅助电路,限制了系统寿命、效率及功率密度。本文提出一种基于输入并联输出串联(IPOS)双有源桥(DAB)变换器的差分电容设计方法,有效抑制二次谐波。

解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及小型储能系统(如PowerStack系列)具有重要参考价值。单相系统中的二次谐波抑制是提升功率密度和可靠性的关键瓶颈。通过IPOS DAB拓扑优化及差分电容设计,可显著减小直流侧电解电容体积,从而提升逆变器整体寿命与功率密度。建议研发团队评估该方案在单相户用储能变流...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

考虑开关轨迹包络的SiC MOSFET非线性电容模型

Nonlinear Capacitance Model of SiC MOSFET Considering Envelope of Switching Trajectory

Ning Wang · Jianzhong Zhang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年7月

本文针对SiC MOSFET提出了一种基于开关轨迹包络的非线性电容建模方法。该方法区别于传统全数据提取法,显著降低了模型复杂度,并有效避免了仿真过程中的发散问题,为高频电力电子变换器的动态特性预测提供了更高效的建模手段。

解读: SiC器件是阳光电源新一代组串式逆变器、PowerTitan储能变流器及高功率密度充电桩的核心组件。该建模方法通过简化非线性电容模型,能显著提升仿真精度与收敛速度,有助于研发团队在设计阶段更精准地评估开关损耗与电磁干扰(EMI)。建议在研发高频化、高功率密度产品时引入该模型,以优化驱动电路设计,提升...

拓扑与电路 双向DC-DC LLC谐振 储能变流器PCS ★ 5.0

基于谐振电感电压的CLLC双向变换器同步整流技术

Synchronous Rectification Based on Resonant Inductor Voltage for CLLC Bidirectional Converter

Ning Chen · Min Chen · Bodong Li · Xiaoqing Wang 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年1月

同步整流(SR)是降低CLLC双向谐振变换器二次侧导通损耗、提升效率的有效手段,但其驱动信号确定较为困难。本文针对现有理论计算、电压检测及电流检测方法的不足,提出了一种基于谐振电感电压的SR驱动策略,旨在优化CLLC变换器的效率表现。

解读: 该技术对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack系列)及户用储能PCS产品具有重要意义。CLLC拓扑是实现高效率双向能量变换的核心,通过优化同步整流驱动策略,可显著降低变换器在充放电过程中的导通损耗,提升系统整体转换效率。建议研发团队在下一代高功率密度储能变流器设计中引入该控...

拓扑与电路 三电平 单相逆变器 模型预测控制MPC ★ 5.0

基于模型预测的单相三电平逆变器电压平衡控制

Model Predictive-Based Voltage Balancing Control for Single-Phase Three-Level Inverters

Yonglu Liu · Xiangxu Mao · Guangfu Ning · Hanbing Dan 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年11月

中点电压平衡对单相三电平逆变器的安全运行至关重要。本文提出了一种基于模型预测的电压平衡方法,通过选择合适的冗余小矢量来平衡直流侧电压,并显著减少了电压传感器的使用数量,降低了系统硬件成本与复杂度。

解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及工商业三电平组串式逆变器产品线具有重要价值。三电平拓扑在提升逆变效率和减小滤波体积方面优势明显,但中点电位平衡一直是控制难点。该研究提出的无传感器或少传感器模型预测控制(MPC)方案,不仅能降低BOM成本,还能提升系统在复杂电网环境下的鲁棒性。建议研发团队评估该算法...

拓扑与电路 LLC谐振 双向DC-DC 储能变流器PCS ★ 5.0

基于谐振CLLC电路时域模型的优化数字同步整流方案

An Optimized Digital Synchronous Rectification Scheme Based on Time-Domain Model of Resonant CLLC Circuit

Bodong Li · Min Chen · Xiaoqing Wang · Ning Chen 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年9月

针对谐振CLLC电路副边不控整流带来的高导通损耗问题,本文提出了一种基于时域模型的优化数字同步整流(SR)方案。通过精确确定副边谐振电流的过零点,利用MOSFET替代二极管,有效降低了导通损耗,提升了变换效率。

解读: CLLC拓扑是阳光电源储能系统(如PowerTitan、PowerStack系列)及双向DC-DC变换器的核心拓扑。该研究提出的高精度同步整流方案,能显著降低系统在充放电过程中的导通损耗,直接提升储能变流器(PCS)的整机效率,对于优化产品能效指标、降低散热成本具有重要意义。建议研发团队在下一代高功...

拓扑与电路 三电平 PWM控制 单相逆变器 ★ 5.0

单相三电平NPC变换器的统一SVPWM算法及优化

Unified SVPWM Algorithm and Optimization for Single-Phase Three-Level NPC Converters

Shunliang Wang · Junpeng Ma · Bi Liu · Ning Jiao 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年7月

本文针对单相三电平中点钳位(NPC)变换器,提出了一种统一的空间矢量脉宽调制(SVPWM)设计方法。相比传统的载波调制,该方法通过SVPWM的灵活性有效优化了谐波特性,改善了功率质量,为提升变换器的输出性能提供了理论支撑。

解读: 该技术对阳光电源的户用光伏逆变器及小型工商业储能PCS产品线具有重要参考价值。单相三电平NPC拓扑在提升效率和减小滤波体积方面优势显著,通过优化SVPWM算法,可进一步降低输出谐波,提升电能质量,满足日益严格的并网标准。建议研发团队将其应用于新一代高功率密度单相逆变器设计中,以优化中点电压平衡控制,...

拓扑与电路 光伏逆变器 储能变流器PCS 功率模块 ★ 5.0

一种具有外部磁场抗扰性、低磁场辐射及高差模电感特性的共模电感

A Common Mode Inductor With External Magnetic Field Immunity, Low-Magnetic Field Emission, and High-Differential Mode Inductance

Yongbin Chu · Shuo Wang · Ning Zhang · Dianbo Fu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年12月

本文提出了一种用于电磁干扰(EMI)抑制的堆叠式共模(CM)电感。该结构由两个绕线方向相反、磁芯及匝数相同的共模电感组成。该设计具有三大优势:一是显著降低了对外部磁场的敏感度;二是减少了磁场辐射;三是提升了差模电感性能,有效优化了电力电子系统的EMI滤波效果。

解读: 电磁兼容性(EMC)是阳光电源组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能系统设计的核心挑战。该堆叠式共模电感设计能有效提升系统在复杂电磁环境下的抗干扰能力,并降低EMI滤波器的体积,有助于提升产品功率密度。建议研发团队在下一代高功率密度逆变器及储能变流器(PCS)的EMI滤波器设计...

拓扑与电路 IGBT 功率模块 光伏逆变器 ★ 5.0

功率逆变器IGBT H桥平面母排寄生电感建模研究

Develop Parasitic Inductance Model for the Planar Busbar of an IGBT H Bridge in a Power Inverter

Ning Zhang · Shuo Wang · Hui Zhao · IEEE Transactions on Power Electronics · 2015年12月

本文分析了基于IGBT桥开关状态和直流母线电容配置的平面母排电流路径,建立了包含自感和互感的母排电路模型。通过对不同开关状态下的电感模型进行分析与简化,为功率变换器的高频设计提供了理论支撑。

解读: 该研究直接关系到阳光电源组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)的核心功率密度提升。随着功率模块开关频率的提高,母排寄生电感引起的电压尖峰是限制IGBT可靠性的关键因素。通过精确的寄生电感建模,研发团队可优化母排叠层结构,有效抑制开关过电压,从而降低对缓冲电路的依...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 DC-DC变换器 ★ 4.0

基于单片集成氮化镓蓝宝石二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器

1000 V, 10 MHz Voltage Multiplier Based on Monolithically Integrated GaN-on-Sapphire Diode Bridge IC

Zineng Yang · Xin Yang · Hehe Gong · Hongchang Cui 等15人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年4月

本文展示了一种基于单片集成氮化镓(GaN-on-Sapphire)二极管桥IC的1000V、10MHz倍压器。研究填补了GaN器件在千伏级高频应用中的空白,验证了单片集成技术在实现高压、高频功率转换方面的潜力。

解读: 该研究展示了GaN器件在千伏级高压与超高频应用中的突破,对阳光电源的未来产品研发具有重要参考价值。在组串式逆变器和户用储能PCS领域,随着功率密度的不断提升,传统硅基器件已接近性能瓶颈,引入GaN-on-Sapphire等宽禁带半导体技术有助于进一步缩小磁性元件体积,提升整机效率。建议研发团队关注该...

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