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考虑转移特性沟道动力学的改进型SiC MOSFET模型
Improved SiC MOSFET Model Considering Channel Dynamics of Transfer Characteristics
| 作者 | Ning Wang · Jianzhong Zhang · Fujin Deng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 转移特性 温度敏感效应 短沟道效应 界面态效应 动态建模 电力电子 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种改进的SiC MOSFET模型，能够准确预测其在宽运行范围内的动态特性。该模型综合考虑了温度敏感效应（TSE）、短沟道效应（SCE）及界面态效应，并设计了相应的动态转移特性测试平台以验证模型精度。
English Abstract
An improved SiC MOSFET model is proposed in this article, which predicts the dynamics accurately in the wide operation range of the SiC mosfet. The temperature-sensitive effect (TSE), the short channel effect (SCE), and the interface state effect are comprehensively taken into consideration in the modeling of the transfer characteristics. A dynamic test platform of transfer characteristics is desi...
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SunView 深度解读
SiC MOSFET是阳光电源新一代组串式逆变器、PowerTitan系列储能变流器及高功率密度充电桩的核心功率器件。该模型通过精确刻画TSE和SCE效应，能显著提升阳光电源在产品设计阶段对功率模块热应力和开关损耗的仿真精度，从而优化散热设计与驱动电路参数。建议研发团队将此模型集成至iSolarCloud的数字孪生系统或仿真平台中，以提升对极端工况下SiC器件可靠性的预测能力，进一步优化产品转换效率与功率密度。