找到 170 条结果 · IEEE Transactions on Power Electronics

排序:
拓扑与电路 三电平 储能变流器PCS 双向DC-DC ★ 5.0

一种具有共享控制电路和单点传感的飞跨电容平衡双向三电平变换器控制

A Bidirectional Three-Level Converter Control With Shared Control Circuit and Single-Point Sensing for Flying Capacitor Balance

Yu-Yu Lin · Yi-Rong Huang · Ching-Jan Chen · Yuan-Chih Lin 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年1月

本文提出了一种新型三电平(TL)变换器控制集成电路(IC),集成了飞跨电容控制环路、自适应恒定导通时间(ACOT)控制及双向运行下的共享控制电路,旨在解决电池充电系统中的飞跨电容平衡问题。通过单点传感(SPS)技术,有效优化了三电平变换器的控制复杂度和性能。

解读: 该技术对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack系列)及PCS产品线具有重要参考价值。三电平拓扑在提升功率密度和效率方面优势显著,但飞跨电容平衡一直是控制难点。本文提出的单点传感(SPS)与共享控制电路方案,能够有效简化硬件设计、降低控制成本并提升系统可靠性。建议研发团队评估...

拓扑与电路 三电平 三相逆变器 PWM控制 ★ 5.0

一种用于ZVS三相三电平T型逆变器的变开关频率混合不连续PWM控制策略

A Variable Switching Frequency Control for ZVS Three-Phase Three-Level T-Type Inverter Using Hybrid Discontinuous PWM

Jianliang Chen · Jie Deng · Lei Ming · Zhen Xin 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年11月

本文提出了一种针对三相三电平T型逆变器的变开关频率零电压开关(ZVS)控制策略。通过采用混合不连续脉宽调制(DPWM)方法,无需额外传感器、辅助电路或电流过零检测,即可在任意负载或调制指数下实现全范围ZVS,有效提升了逆变效率。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器(如SG系列)及工商业光伏逆变器具有重要参考价值。T型三电平拓扑是阳光电源实现高功率密度和高效率的关键技术路径之一。通过引入变开关频率与混合DPWM控制,可进一步降低开关损耗,提升整机效率,特别是在高压直流输入场景下,能显著改善散热设计并降低成本。建议研发团队评估该控制...

功率器件技术 SiC器件 GaN器件 功率模块 ★ 5.0

由单个GaN HEMT控制并联SiC JFET构建的1200V/22mΩ常闭型SiC/GaN共源共栅器件的静态与动态特性

Static and Dynamic Characteristics of a 1200-V/22 -mΩ Normally-Off SiC/GaN Cascode Device Built With Parallel-Connected SiC JFETs Controlled by a Single GaN HEMT

Gang Lyu · Jiahui Sun · Jin Wei · Kevin J. Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年10月

本文提出了一种SiC-JFET/GaN-HEMT混合功率开关。通过单个低压增强型GaN-HEMT控制多个并联的高压1200V SiC-JFET,实现了共源共栅(Cascode)配置下的电流容量扩展,且仅需一套驱动电路,简化了高功率密度变换器的设计。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan储能系统具有重要价值。通过SiC与GaN的混合封装,可有效提升1200V电压等级下的功率密度与开关效率,降低系统损耗。建议研发团队关注该共源共栅结构在多路并联应用中的均流特性与热管理,这有助于进一步缩小逆变器与PCS模块的体积,提升整机效率,特别是...

功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

针对IGBT负载电流和温度变化的低测试成本数字门极驱动器鲁棒门极驱动向量搜索方法

Search Method of Robust Gate Driving Vectors for Digital Gate Drivers With Low Test Cost Against Load Current and Temperature Variations in IGBTs

Ting-Wei Wang · Toshiaki Inuma · Po-Hung Chen · Makoto Takamiya · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年9月

数字门极驱动技术通过主动门极驱动有效平衡了功率器件的开关损耗与电压/电流过冲。然而,最优门极驱动向量(GV)受温度和负载电流影响显著。本文提出一种低测试成本的鲁棒GV搜索方法,旨在解决不同工况下驱动参数复用导致的性能劣化问题。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统)具有极高价值。随着大功率IGBT模块在逆变器中的广泛应用,开关过程中的EMI抑制与损耗优化是提升效率与可靠性的关键。该研究提出的鲁棒门极驱动向量搜索方法,可直接应用于阳光电源的数字驱动电路设计...

储能系统技术 储能变流器PCS 双向DC-DC DC-DC变换器 ★ 5.0

用于储能系统中两级逆变器的具有二次谐波电流抑制功能的电流型移相全桥变换器

Current-Fed Phase-Shifted Full-Bridge Converter With Secondary Harmonic Current Reduction for Two-Stage Inverter in Energy Storage System

Ta-Wei Huang · Huang-Jen Chiu · Guan-Chi Wang · Yu-Chen Chang · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年9月

针对低压大电流、隔离型DC-DC变换器应用,电流型移相全桥(CFPSFB)变换器相比DAB或LLC具有更低的变压器RMS电流,能实现更高效率。本文提出了一种CFPSFB变换器,通过抑制二次谐波电流,优化了储能系统中两级逆变器的性能,实现了全范围零电压开关(ZVS)。

解读: 该技术对阳光电源的ST系列PCS及PowerTitan/PowerStack储能系统具有极高的应用价值。储能变流器在电池侧通常面临低压大电流工况,CFPSFB拓扑通过降低变压器RMS电流,能显著提升系统转换效率并减小磁性元件体积,助力产品实现更高功率密度。文中提出的二次谐波抑制技术对于延长电池寿命、...

可靠性与测试 三电平 并网逆变器 故障诊断 ★ 5.0

一种基于降阶观测器的并网NPC逆变器开关管开路与电流传感器故障同步诊断方法

A Reduced-Order Observer-Based Method for Simultaneous Diagnosis of Open-Switch and Current Sensor Faults of a Grid-Tied NPC Inverter

Shuiqing Xu · Wenzhan Huang · Darong Huang · Hongtian Chen 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月

本文提出了一种针对并网中点钳位(NPC)逆变器的降阶观测器同步诊断策略,用于解决开关管开路和电流传感器故障。通过构建NPC逆变器的增广描述符系统,将电流传感器故障转化为广义状态向量,并利用矩阵变换实现故障解耦,有效提升了系统的故障诊断精度与可靠性。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(如集中式光伏逆变器、大型储能PCS)具有极高的应用价值。NPC三电平拓扑是阳光电源大功率逆变器的主流方案,该故障诊断算法能够显著提升设备在复杂电网环境下的运行可靠性,减少非计划停机,降低运维成本。建议研发团队将其集成至iSolarCloud智能运维平台,通过边缘计算实现...

功率器件技术 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

利用动态场重构法研究开关条件下IGBT芯片的变形波动

Investigation of Deformation Fluctuation of IGBT Chips Under Switching Conditions Using the Dynamic Field Reconstruction Method

Jiahao Wang · Libing Bai · Cong Chen · Jie Zhang 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年2月

IGBT芯片是功率电子模块的核心组件。研究电-热-机械耦合引起的IGBT芯片变形特性具有重要意义。本文开发了一种基于扫描激光位移测量的场重构技术,用于精确捕捉开关条件下的动态变形。

解读: IGBT是阳光电源组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能PCS及风电变流器的核心功率器件。该研究提出的动态场重构技术,能够深入揭示IGBT在极端开关工况下的热机械应力分布,对于提升阳光电源核心功率模块的寿命预测精度、优化封装散热设计及提高产品在复杂电网环境下的可靠性...

控制与算法 光伏逆变器 并网逆变器 PWM控制 ★ 5.0

仅基于逆变器侧电流反馈的LCL滤波器有源阻尼控制

Active Damping Control for LCL Filters With Inverter-Side Current Feedback Only

Wei Chen · Yan Zhang · Yiming Tu · Ke Shen 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年9月

本文提出了一种创新的控制策略,仅利用逆变器侧电流反馈即可同时实现过流保护、注入功率控制和LCL滤波器有源阻尼。该方法有效解决了传统状态变量反馈在LCL谐振抑制中的复杂性,简化了控制系统设计。

解读: 该技术对阳光电源的组串式和集中式光伏逆变器产品线具有重要价值。通过仅依赖逆变器侧电流反馈实现有源阻尼,可有效降低对电网侧电流传感器的依赖,从而降低硬件成本并提高系统可靠性。在弱电网环境下,该控制策略能显著提升逆变器并网的稳定性,减少谐振风险。建议研发团队将其集成至iSolarCloud智能运维平台下...

功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

1200V沟槽型SiC MOSFET重复雪崩应力下的失效机理研究

Investigation of Failure Mechanisms of 1200 V Rated Trench SiC MOSFETs Under Repetitive Avalanche Stress

Xiaochuan Deng · Wei Huang · Xu Li · Xuan Li 等10人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年9月

本文通过实验研究了非对称沟槽(AT)和双沟槽(DT)结构碳化硅(SiC)MOSFET的重复雪崩耐受能力。研究揭示了不同结构的失效机理:AT-MOSFET主要表现为热诱导疲劳或场氧化层击穿,而DT-MOSFET则表现为电场诱导的栅氧化层退化或击穿。

解读: SiC MOSFET是阳光电源组串式逆变器及PowerTitan系列储能PCS实现高功率密度和高效率的核心器件。1200V SiC器件在复杂工况下的雪崩耐受能力直接决定了系统的可靠性。本文揭示的AT与DT结构失效机理,对阳光电源在器件选型、驱动电路保护设计及功率模块封装优化具有重要指导意义。建议研发...

功率器件技术 IGBT 功率模块 热仿真 ★ 5.0

基于液态金属热界面材料的压接式IGBT器件热接触电阻优化

Thermal Contact Resistance Optimization of Press-Pack IGBT Device Based on Liquid Metal Thermal Interface Material

Xiao Wang · Hui Li · Ran Yao · Wei Lai 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年5月

在压接式IGBT(PP-IGBT)器件中,热接触电阻通常占总热阻的50%以上,严重影响散热并导致结温升高。本文提出了一种通过填充液态金属热界面材料来优化PP-IGBT热接触电阻的方法,旨在降低器件热阻,提升散热性能。

解读: 该技术对阳光电源的集中式逆变器及大功率储能系统(如PowerTitan系列)至关重要。PP-IGBT作为高压大功率应用的核心器件,其散热性能直接决定了系统的功率密度和长期运行可靠性。通过引入液态金属优化热接触电阻,可有效降低器件结温,从而提升逆变器在极端工况下的输出能力,或在同等散热条件下实现更紧凑...

拓扑与电路 DAB DC-DC变换器 PWM控制 ★ 5.0

一种用于双有源桥DC-DC变换器的抛物线载波简易移相调制方法

A Simple Phase-Shift Modulation Using Parabolic Carrier for Dual Active Bridge DC–DC Converter

Yunting Liu · Xiaorui Wang · Wei Qian · Ameer Janabi 等9人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年8月

双有源桥(DAB)变换器的功率传输与移相角呈非线性关系。传统控制器需通过在线求解二次方程或查表获取移相角,前者计算效率低,后者占用存储空间。本文提出一种基于抛物线载波的简易移相调制方法,通过硬件调制实现线性化控制,显著降低了计算复杂度。

解读: 该技术对阳光电源的储能系统(如PowerTitan、PowerStack)及电动汽车充电桩业务具有重要意义。DAB变换器是双向储能变流器(PCS)的核心拓扑,该研究提出的抛物线载波调制方法能够简化控制算法,降低对DSP/MCU的算力要求,从而提升PCS的动态响应速度和控制精度。建议研发团队在后续的储...

功率器件技术 SiC器件 三相逆变器 宽禁带半导体 ★ 5.0

基于SiC MOSFET的三相两电平逆变器最优非对称变死区时间建模与实现

Modeling and Implementation of Optimal Asymmetric Variable Dead-Time Setting for SiC MOSFET-Based Three-Phase Two-Level Inverters

Lei Zhang · Xibo Yuan · Jiahang Zhang · Xiaojie Wu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年12月

死区时间设置直接影响SiC MOSFET电压源变换器的效率、电能质量及可靠性。传统固定死区时间在SiC器件输出电容及体二极管续流作用下,会导致严重的输出电压畸变和额外损耗。本文提出了一种最优非对称变死区时间设置方法,通过建模分析有效降低了开关损耗与电压失真,提升了变换器整体性能。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器(PCS)具有重要意义。随着公司产品全面向SiC功率器件切换以提升功率密度和效率,非对称变死区控制技术能有效解决SiC器件在高频开关下的电压畸变问题,进一步降低损耗并提升电能质量。建议研发团队在下一代高频化逆变器及P...

拓扑与电路 LLC谐振 SiC器件 宽禁带半导体 ★ 5.0

一种具有分裂谐振槽和矩阵变压器的1-kV输入SiC LLC变换器

A 1-kV Input SiC LLC Converter With Split Resonant Tanks and Matrix Transformers

Xiaoyong Ren · Zhi-Wei Xu · Zhiliang Zhang · Haoran Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年11月

本文提出了一种采用矩阵平面变压器的1-kV输入SiC LLC变换器,旨在实现高效率与高功率密度。针对1-kV高压输入下SiC MOSFET快速开关(140 ns)产生的11.8 kV/μs高dv/dt,分析了其通过变压器寄生电容产生的位移电流问题,并提出了优化方案。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及储能系统(如PowerTitan、PowerStack)具有重要参考价值。随着光伏系统向1500V直流侧电压演进,高压SiC器件的应用已成为提升功率密度和效率的关键。文中提到的矩阵变压器技术和对高dv/dt下寄生参数的抑制策略,可直接应用于阳光电源大功率DC-DC变换...

拓扑与电路 DC-DC变换器 光伏逆变器 ★ 5.0

基于耦合电感的升压变换器拓扑研究

Research on Topology of the High Step-Up Boost Converter With Coupled Inductor

Si Chen · Luowei Zhou · Quanming Luo · Wei Gao 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年11月

本文综述了光伏及燃料电池系统中高增益耦合电感升压变换器的拓扑结构与推导方法,旨在梳理各类变换器之间的内在联系与演化路径,为高性能电力电子变换器的设计提供理论指导。

解读: 该研究聚焦于高增益DC-DC变换器拓扑,对阳光电源的核心业务具有重要参考价值。在组串式逆变器(如SG系列)中,提高DC-DC级的升压比能有效提升光伏组件的适配范围,降低对组件串联数量的限制,从而提升系统整体效率。此外,该技术路线可优化PowerStack等储能系统中的PCS拓扑设计,通过耦合电感技术...

储能系统技术 储能变流器PCS 储能系统 多电平 ★ 5.0

基于级联多电平变换器的混合储能系统有功功率控制

The Active Power Control of Cascaded Multilevel Converter Based Hybrid Energy Storage System

Wei Jiang · Chengwei Zhu · Chen Yang · Lei Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年8月

级联多电平变换器(CMC)因其结构简单、电能质量高及输出电压等级高等优点,被广泛应用于储能系统。然而,由于非对称功率分配问题,CMC在混合储能系统(HESS)中的应用面临挑战。本文提出了一种用于CMC型HESS的新型拓扑结构,旨在解决功率分配与控制难题。

解读: 该研究针对级联多电平变换器(CMC)在混合储能系统中的功率分配难题,对阳光电源PowerTitan及ST系列大功率储能变流器(PCS)具有重要参考价值。随着储能系统向高压化、大容量化发展,CMC拓扑能有效降低输出谐波并提升系统效率。建议研发团队关注该拓扑在处理异构电池(如锂电+超级电容)混合储能场景...

功率器件技术 IGBT 功率模块 故障诊断 ★ 5.0

一种具有温度补偿集电极电流检测功能的智能IGBT栅极驱动IC

A Smart IGBT Gate Driver IC With Temperature Compensated Collector Current Sensing

Jingxuan Chen · Wei Jia Zhang · Andrew Shorten · Jingshu Yu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年5月

传统的IGBT电流检测与保护技术通常依赖分流电阻等分立传感器,且需接入高压侧,集成难度大。本文提出了一种集成集电极电流检测电路与片上CPU的智能IGBT栅极驱动IC,实现了电流的精确感知与温度补偿,有效提升了功率模块的集成度与保护性能。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能系统及风电变流器)具有极高的应用价值。通过将电流检测与保护逻辑集成至驱动IC,可显著缩小功率模块体积,提升系统功率密度。同时,片上CPU提供的实时电流监测与温度补偿功能,能有效增强逆变器在极端工况下...

储能系统技术 储能系统 电池管理系统BMS 机器学习 ★ 5.0

一种结合灰色模型与遗传算法的锂离子电池荷电状态估计新方法

A Novel State-of-Charge Estimation Method of Lithium-Ion Batteries Combining the Grey Model and Genetic Algorithms

Lin Chen · Zhengzheng Wang · Zhiqiang Lu · Junzi Li 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年10月

为保障电动汽车电池安全运行并优化能量利用,准确估计荷电状态(SoC)至关重要。本研究提出了一种基于灰色模型(GM)与遗传算法(GA)的SoC估计新方法,无需依赖高计算复杂度的电池高保真模型,实现了高效的SoC预测。

解读: 该研究提出的轻量化SoC估计算法对阳光电源的储能业务具有重要价值。在PowerTitan和PowerStack等大型储能系统中,BMS的计算资源有限,该方法无需高保真模型即可实现高精度SoC估计,有助于提升电池组的一致性管理和全生命周期利用率。建议研发团队评估该算法在嵌入式BMS控制器中的移植可行性...

控制与算法 微电网 下垂控制 MPPT ★ 5.0

直流微电网中光伏电源的V-dp/dv下垂控制

V– dp/dv Droop Control for PV Sources in DC Microgrids

Hongda Cai · Ji Xiang · Wei Wei · Michael Z. Q. Chen · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年9月

直流微电网与光伏电源具有天然的兼容性。然而,随着光伏渗透率的提高,传统的最大功率点跟踪(MPPT)电流源控制模式可能引发过电压等问题。本文提出了一种V-dp/dv下垂控制策略,使光伏电源能够在直流微电网中实现最大功率点运行的同时,有效参与电压调节,解决过电压难题。

解读: 该技术对阳光电源的组串式逆变器及工商业储能系统(PowerStack系列)具有重要参考价值。在直流微电网应用场景下,传统的MPPT控制在电网轻载时易导致直流母线过压,该V-dp/dv下垂控制策略能有效提升系统稳定性。建议研发团队将其集成至iSolarCloud智能运维平台及逆变器控制固件中,以增强阳...

功率器件技术 GaN器件 宽禁带半导体 功率模块 ★ 5.0

最大化650V p-GaN栅极HEMT性能:动态导通电阻表征与电路设计考量

Maximizing the Performance of 650-V p-GaN Gate HEMTs: Dynamic RON Characterization and Circuit Design Considerations

Hanxing Wang · Jin Wei · Ruiliang Xie · Cheng Liu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年7月

本文系统表征了650V/13A增强型p-GaN栅极功率晶体管。重点评估了静态与动态(开关)条件下的导通电阻(RON)和阈值电压(VTH)。研究发现动态RON对栅极驱动电压(VGS)的依赖性与静态RON存在显著差异,为高频高效电力电子变换器的设计提供了关键参考。

解读: 随着阳光电源在户用光伏逆变器及小型化储能系统(如PowerStack)中对高功率密度和高效率的需求日益增加,GaN器件的应用已成为技术演进的关键。本文对650V p-GaN器件动态RON的深入表征,直接指导了高频开关电路的设计与驱动优化,有助于降低逆变器损耗并缩小体积。建议研发团队在下一代高频组串式...

可靠性与测试 IGBT 功率模块 可靠性分析 ★ 5.0

窄结温波动对IGBT模块芯片连接焊料层影响的实验研究

Experimental Investigation on the Effects of Narrow Junction Temperature Cycles on Die-Attach Solder Layer in an IGBT Module

Wei Lai · Minyou Chen · Li Ran · Shengyou Xu 等8人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年2月

本文研究了功率模块在小幅度结温波动(ΔTj)下的老化效应。通过对未老化和已老化模块进行功率循环测试,揭示了其失效机理,旨在为后续模块可靠性特征捕捉及寿命模型推导提供实验依据。

解读: IGBT模块是阳光电源组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能变流器及风电变流器的核心功率器件。该研究聚焦于小幅度结温波动下的焊料层失效机理,对提升阳光电源产品在复杂电网环境下的长寿命设计至关重要。建议研发团队将此实验结论融入iSolarCloud的寿命预测模型中,优...

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