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利用动态场重构法研究开关条件下IGBT芯片的变形波动
Investigation of Deformation Fluctuation of IGBT Chips Under Switching Conditions Using the Dynamic Field Reconstruction Method
| 作者 | Jiahao Wang · Libing Bai · Cong Chen · Jie Zhang · Quan Zhou · Lulu Tian · Jun Luo · Wei Huang · Yuhua Cheng |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年2月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | IGBT 功率模块 可靠性分析 多物理场耦合 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | IGBT 电力电子模块 电-热-力耦合 动态变形 场重构技术 开关工况 激光扫描位移测量 |
语言:
中文摘要
IGBT芯片是功率电子模块的核心组件。研究电-热-机械耦合引起的IGBT芯片变形特性具有重要意义。本文开发了一种基于扫描激光位移测量的场重构技术，用于精确捕捉开关条件下的动态变形。
English Abstract
Insulated gate bipolar transistor (IGBT) chips are crucial core components in power electronic modules. It is of great significance to investigate the deformation characteristics of IGBT chips induced by the electro-thermal-mechanical coupling. In this article, a field reconstruction technique based on scanning laser displacement measurement is developed to accurately capture the dynamic deformati...
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SunView 深度解读
IGBT是阳光电源组串式/集中式光伏逆变器、PowerTitan/PowerStack储能PCS及风电变流器的核心功率器件。该研究提出的动态场重构技术，能够深入揭示IGBT在极端开关工况下的热机械应力分布，对于提升阳光电源核心功率模块的寿命预测精度、优化封装散热设计及提高产品在复杂电网环境下的可靠性具有直接指导意义。建议将此方法引入研发阶段的可靠性测试流程，以优化高功率密度产品的热管理策略，降低现场故障率。