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基于SiC MOSFET的三相两电平逆变器最优非对称变死区时间建模与实现
Modeling and Implementation of Optimal Asymmetric Variable Dead-Time Setting for SiC MOSFET-Based Three-Phase Two-Level Inverters
| 作者 | Lei Zhang · Xibo Yuan · Jiahang Zhang · Xiaojie Wu · Yonglei Zhang · Chen Wei |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年12月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 三相逆变器 宽禁带半导体 PWM控制 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET Dead-time setting Voltage-source converters Power quality Switching loss Output capacitance Inverter efficiency |
语言:
中文摘要
死区时间设置直接影响SiC MOSFET电压源变换器的效率、电能质量及可靠性。传统固定死区时间在SiC器件输出电容及体二极管续流作用下，会导致严重的输出电压畸变和额外损耗。本文提出了一种最优非对称变死区时间设置方法，通过建模分析有效降低了开关损耗与电压失真，提升了变换器整体性能。
English Abstract
Efficiency, power quality, and reliability of SiC MOSFET-based voltage-source converters are significantly affected by the dead-time settings. The conventional fixed dead-time setting can induce large output voltage loss and additional energy loss due to the output capacitance of the SiC MOSFETs and the SiC Schottky barrier diodes or the freewheeling of the diodes, which will be more serious under...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan/PowerStack储能变流器（PCS）具有重要意义。随着公司产品全面向SiC功率器件切换以提升功率密度和效率，非对称变死区控制技术能有效解决SiC器件在高频开关下的电压畸变问题，进一步降低损耗并提升电能质量。建议研发团队在下一代高频化逆变器及PCS产品中引入该自适应死区优化算法，以提升产品在弱电网环境下的并网性能，并降低对输出滤波器的设计要求，从而优化系统成本与体积。