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由单个GaN HEMT控制并联SiC JFET构建的1200V/22mΩ常闭型SiC/GaN共源共栅器件的静态与动态特性
Static and Dynamic Characteristics of a 1200-V/22 -mΩ Normally-Off SiC/GaN Cascode Device Built With Parallel-Connected SiC JFETs Controlled by a Single GaN HEMT
| 作者 | Gang Lyu · Jiahui Sun · Jin Wei · Kevin J. Chen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 GaN器件 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC-JFET GaN-HEMT 共源共栅配置 混合功率开关 宽禁带 电力电子 高压器件 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种SiC-JFET/GaN-HEMT混合功率开关。通过单个低压增强型GaN-HEMT控制多个并联的高压1200V SiC-JFET，实现了共源共栅（Cascode）配置下的电流容量扩展，且仅需一套驱动电路，简化了高功率密度变换器的设计。
English Abstract
A silicon carbide junction field effect transistors (SiC-JFETs) /gallium-nitride high electron mobility transistor (GaN-HEMT) hybrid power switch is proposed with scaled-up current rating enabled by parallel-connected high-voltage (HV, i.e., 1200 V) SiC-JFETs controlled by a single low-voltage enhanced-mode GaN-HEMT in a cascode configuration. Only one set of gate driver (for the GaN HEMT) is requ...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的组串式逆变器及PowerTitan储能系统具有重要价值。通过SiC与GaN的混合封装，可有效提升1200V电压等级下的功率密度与开关效率，降低系统损耗。建议研发团队关注该共源共栅结构在多路并联应用中的均流特性与热管理，这有助于进一步缩小逆变器与PCS模块的体积，提升整机效率，特别是在追求极致功率密度的工商业光伏及储能场景中具有显著的应用潜力。