找到 26 条结果 · 电动汽车驱动
温度依赖的静电、线性度及模拟/射频性能研究
Temperature-dependent electrostatic, linearity, and analog/RF performance of GaN HEMT
Gain GBW: · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年9月 · Vol.36.0
温度对用于高功率应用的高频AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）的性能和可靠性具有重大影响。尽管已有大量研究，但这些器件在宽温度范围内的多偏置行为仍缺乏充分理解。本研究通过从-40℃到150℃的温度范围内系统地分析直流特性、静电特性、非线性特性以及模拟/射频参数，填补了这一空白。通过对导通态与截止态电流、亚阈值特性、跨导（gm）及其导数，并结合三阶互调失真（IMD3）、1 dB压缩点（1-dB CP）和总谐波失真（THD）等参数进行评估，同时考察增益（Av）和栅极-漏极电容（Cgd）等...
解读: 该GaN HEMT温度特性研究对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究揭示的-40至150℃宽温范围内跨导、非线性失真(IMD3/THD)及射频性能退化规律,可直接指导ST系列PCS和SG逆变器中GaN器件的热管理设计与多工况优化。特别是温升导致的开态电流下降、关态漏电增加特性,为三电平拓扑的开关损...
面向碳化硅电流源逆变器的过电压保护方案
Over-voltage Protection Scheme for SiC-based Current Source Inverters
Sneha Narasimhan · Subhashish Bhattacharya · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年7月
电流源逆变器（CSI）因其具备四象限运行、短路保护能力以及直流链路无需电解电容等固有优势，常用于大功率中压场合。宽禁带（WBG）器件的兴起推动了CSI在中压固态变压器、电动汽车、牵引系统及可再生能源系统中的重新应用。然而，直流链路电感电流突变引发的过电压问题严重影响系统可靠性，尤其在快速开关器件下需在数微秒内完成保护。本文分析现有过电压保护（OVP）方案的局限性，提出两种可在三相上实现更低钳位电压的OVP方案，并确保系统电压不超额定值。基于SiC MOSFET和二极管搭建了3.3 kV CSI实...
解读: 该SiC电流源逆变器过电压保护技术对阳光电源多条产品线具有重要应用价值。在ST系列储能变流器中，CSI拓扑的四象限运行和短路保护能力可提升系统可靠性，所提OVP方案能有效抑制直流侧电感电流突变引发的过电压，保障SiC器件安全运行。在PowerTitan大型储能系统中，无电解电容的直流链路设计可延长系...
一种具有高可靠性的可配置SC型双源逆变器拓扑
A New Configurable SC-based Dual Source Inverter Topology with Improved Reliability
Mohammad Anas Anees · Saad Mekhilef · Marif Daula Siddique · Marizan Mubin 等6人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年6月
本文提出了一种可配置的十五电平双电源中性点钳位逆变器拓扑结构，该拓扑对电源故障和开关故障具有可靠的应对能力。该拓扑有两个直流电源、四个电容，总共包含六个单向开关和四个双向开关。采用电平移相脉宽调制（PWM）来生成所需数量的电平。所提出的拓扑即使在出现电源故障和开关故障时，也能够令人满意地生成多电平输出波形。在PLECS中进行了功率损耗分析，以证明所提出的多电平逆变器（MLI）具有较高的效率。通过获取开关故障率，表明该MLI的可靠性得到了提高。此外，针对不同的故障情况进行了开关故障分析，以展示系统...
解读: 该可配置双源逆变器拓扑对阳光电源储能与充电产品线具有重要应用价值。其开关电容多电平技术可应用于ST系列储能变流器，通过冗余路径设计提升系统容错能力，在功率模块故障时维持降额运行，契合PowerTitan大型储能系统的高可靠性需求。双源架构适配光储融合场景，可优化ESS集成方案中的直流母线管理。十五电...
电压源逆变器供电同步磁阻电机开路故障的统一诊断与定位方法
Unified Diagnosis and Localization Method of Open Switch Faults in Voltage Source Inverters-Fed Synchronous Reluctance Motors
Muhammad Salman · Jacopo Riccio · Sejir Khojet El Khil · Pericle Zanchetta 等5人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年6月
故障诊断与定位对于维持电机驱动系统的完整性和优化维护措施至关重要。本文介绍了一种用于快速诊断和定位驱动同步磁阻电机驱动器的功率变换器中半导体开关开路故障的新方法。通过探索创新的诊断技术，强调了基于信号的方法在准确识别故障方面的有效性。提出了一种基于功率诊断方法来检测开关开路故障的新算法。该方法既能实现准确快速的诊断，又能实现故障定位。通过仿真和实验数据对该技术的性能进行了评估，证明了其在提高电机驱动系统可靠性方面的有效性。
解读: 从阳光电源的业务视角来看，该论文提出的功率变换器开关故障统一诊断与定位方法具有重要的技术参考价值。尽管研究对象聚焦于同步磁阻电机驱动系统，但其核心技术路径——基于功率信号的半导体开关故障诊断算法——与公司光伏逆变器、储能变流器等核心产品的可靠性保障需求高度契合。 在光伏逆变器领域，IGBT等功率开...
SOI n-p-n双栅TFET中物理局域化界面陷阱的统计变异性
Statistical variability of physically localized interface traps in SOI n-p-n DG TFETs
Himangshu Lahkar · Anurag Medhi · Deepjyoti Deb · Ratul Kr. Baruah · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年2月 · Vol.36.0
MOS器件中的界面陷阱可靠性是半导体器件领域中一个重要的关注点。随着具有微缩尺寸的新器件结构的出现，引入能够预测界面陷阱可靠性的方法变得尤为关键。本文通过统计变异性方法，研究了界面陷阱对隧穿场效应晶体管（TFET）低功耗性能的影响。隧穿场效应晶体管（TFET）依靠量子力学隧穿机制工作，已成为低功耗应用中有前景的器件。界面陷阱是位于半导体-氧化物界面处的能量局域态，能够捕获载流子，从而影响器件的低功耗性能。根据其在能带隙中的位置，这些陷阱可分为受主型或施主型。本文研究了这些陷阱对绝缘体上硅（SOI...
解读: 该界面陷阱可靠性统计分析方法对阳光电源SiC/GaN功率器件应用具有重要参考价值。TFET低功耗特性与电动汽车驱动系统OBC充电模块、ST系列PCS储能变流器的待机损耗优化需求高度契合。文中界面陷阱对阈值电压和开关电流的影响机制,可指导三电平拓扑中SiC MOSFET的栅极氧化层可靠性设计,通过TC...
中压变换器中IGBT功率器件故障后退化分析
Postfault Degradation Analysis of IGBT Power Devices in Medium Voltage Converters
Guilherme Salvador Ferreira · Victor Hugo Soares Lopes · Anderson V. Rocha · Andriamaharavo Mamianja Rakotozafy 等5人 · IEEE Transactions on Industry Applications · 2025年1月
模块化设计在中压变流器中得到了广泛应用，它为故障发生后更换一组受损设备提供了一种简便方法，使系统能够快速恢复运行。例如，将功率半导体器件布置成变流器相模块，可使系统仅在更换有缺陷的相模块时停止运行，而有缺陷的相模块可送回供应商处进行维修。然而，相模块内故障功率半导体器件的指示通常仅由门极驱动器给出，并且在停机期间借助万用表进行简单的在线测试。本文证明，任何一相中的一个扁平封装绝缘栅双极型晶体管（IGBT）功率半导体器件发生故障都可能导致后果升级，而且基本测试可能不足以发现其他相模块中性能下降的器...
解读: 该IGBT故障后退化分析技术对阳光电源中压储能系统（PowerTitan）和SG系列大功率光伏逆变器具有重要应用价值。针对模块化多电平拓扑（如ST系列储能变流器采用的三电平结构），研究揭示的邻近器件潜在退化机理可优化故障后维护策略：不仅更换损坏模块，还需评估相邻IGBT的健康状态。电热耦合仿真方法可...
栅极开关不稳定性下1700 V平面栅SiC MOSFET的退化依赖性分析与建模
Degradation Dependency Analysis and Modeling of 1700 V Planar-Gate SiC MOSFETs Under Gate Switching Instability
Cen Chen · Zicheng Wang · Xuerong Ye · Yifan Hu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年11月
碳化硅（SiC）金属 - 氧化物 - 半导体场效应晶体管（MOSFET）在各种电力电子应用中日益普及。然而，与栅极氧化物相关的重大可靠性问题阻碍了它们的广泛应用。交变栅极偏置下的阈值电压漂移，通常称为栅极开关不稳定性（GSI），对可靠性构成了重大挑战。鉴于碳化硅 MOSFET 在功率转换器中广泛使用，与传统的偏置温度不稳定性相比，研究 GSI 具有实际意义。本研究系统地探究了 1700 V 平面栅碳化硅 MOSFET 对栅极偏置、温度和开关时间等因素的依赖性，并基于物理解释给出了加速因子的形式。...
解读: 从阳光电源的业务场景来看，这项关于1700V平面栅SiC MOSFET栅极开关不稳定性（GSI）的研究具有重要的工程应用价值。在我们的大功率光伏逆变器和储能变流器产品中，1700V级SiC MOSFET正逐步替代传统IGBT成为核心功率器件，其高频开关特性和低损耗优势能够显著提升系统效率和功率密度。...
电动汽车应用中SiC逆变器轴电压的分析与抑制
Analysis and Suppression of Shaft Voltage in SiC-Based Inverter for Electric Vehicle Applications
Yang Han · Haifeng Lu · Yongdong Li · Jianyun Chai · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年7月
SiC MOSFET的应用提升了电动汽车逆变器的开关频率并减轻了重量，但其高频开关特性会导致电机驱动系统中的轴电压升高，从而影响系统可靠性。本文深入研究了SiC器件高频开关对轴电压的影响机制，并提出了相应的抑制策略。
解读: 该研究直接关联阳光电源电动汽车充电桩及电机驱动相关技术储备。SiC器件的高频化是提升逆变器功率密度和效率的关键，但带来的轴电压及EMI问题是系统可靠性的核心挑战。建议在阳光电源的EV驱动及车载电源产品研发中，引入该文的轴电压抑制模型，优化功率模块的封装设计与驱动电路布局，以提升产品在复杂工况下的长期...
浸没式冷却SiC T型牵引逆变器——热性能评估
An Immersion Cooled SiC T-Type Traction Inverter–Thermal Performance Evaluation
Yiju Wang · Reza Ilka · James Camp · JiangBiao He · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年2月
本文针对SiC三相三电平T型牵引逆变器，对比评估了新型浸没式冷却技术与传统散热器及冷板冷却方法的性能。研究表明，浸没式冷却在提升功率密度、效率及可靠性方面具有显著优势，为电动汽车驱动系统的热管理提供了优化方案。
解读: 该研究对阳光电源的电动汽车充电桩及未来车载电力电子产品具有重要参考价值。T型三电平拓扑与SiC器件的结合是提升功率密度的关键路径，而浸没式冷却技术能有效解决高功率密度下的散热瓶颈。建议研发团队关注该冷却技术在充电桩功率模块中的应用潜力，以进一步缩小设备体积并提升转换效率。此外，文中涉及的热性能评估方...
基于镓掺杂实现高阈值稳定性的GeSe基选择器专用存储器
High-Threshold-Stability GeSe-Based Selector-Only Memory Enabled by Gallium Doping
Yaru Zhang · Jinyu Wen · Chuanqi Yi · Lun Wang 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年10月
仅选择器存储器（SOM）利用 Ovonic 阈值开关（OTS）器件中的阈值电压（$V_{th}$）漂移来存储数据，因其低延迟、高密度和成本效益高，已成为一种颇具前景的存储级存储器（SCM）候选方案。然而，$V_{th}$的不稳定性，包括可变性和漂移，仍然是一个主要的可靠性挑战。在此，我们提出一种镓（Ga）掺杂策略来增强$V_{th}$的稳定性。在双势阱 OTS 模型的指导下，我们采用从头算分子动力学（AIMD）计算，分析了各种掺杂剂对 SOM 材料中决定$V_{th}$稳定性的配位数（CNs）和...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，这项基于镓掺杂GeSe的选择器存储器技术虽属半导体存储领域，但其底层技术原理对我司储能系统和智能化产品具有重要参考价值。 该技术的核心突破在于通过镓掺杂显著提升了阈值电压的稳定性，这与我司储能系统中电池管理系统（BMS）和功率控制单元面临的挑战存在相似性。储能系统要求在宽...
高温反向偏压应力下p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的退化机理
Degradation Mechanisms of p-GaN Gate AlGaN/GaN High-Electron-Mobility Transistors Under High-Temperature Reverse Bias Stress
Chengbing Pan · Wenbo Wang · Ruomeng Zhang · Xinyuan Zheng 等6人 · IEEE Transactions on Electron Devices · 2025年7月
p型氮化镓（p - GaN）栅极氮化铝镓/氮化镓（AlGaN/GaN）高电子迁移率晶体管（HEMT）在包括电动汽车、雷达等在内的许多应用领域具有广阔前景。然而，p - GaN栅极AlGaN/GaN HEMTs的阈值电压（ ${V}_{\text {TH}}$ ）不稳定性和动态导通电阻（ ${R}_{\text {DSON}}$ ）退化问题仍然令人担忧。在此，对p - GaN栅极AlGaN/GaN HEMTs的阈值电压和动态 ${R}_{\text {DSON}}$ 的退化行为进行了系统研究。在高...
解读: 从阳光电源的业务视角来看，该论文揭示的p-GaN栅极AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）退化机制研究具有重要的战略价值。作为新一代宽禁带半导体器件，GaN功率器件凭借其高开关频率、低导通损耗和高温工作能力，正成为光伏逆变器和储能变流器实现高功率密度、高效率的关键技术路径。 该研究系统阐...
一种用于功率模块的新型瞬态热表征系统
A Novel Transient Thermal Characterization System for Power Modules
Shuhei Fukunaga · Tsuyoshi Funaki · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年4月
功率模块的热设计对确保工业应用中的长期可靠性至关重要。静态测试方法利用功率器件I-V特性随温度变化的关系，表征模块封装的瞬态热阻。随着现代功率模块散热性能的提升，精确的瞬态热表征要求准确捕捉其快速且微小的电压响应。本文提出一种先进的瞬态热表征系统，以精确捕获功率模块的快速微弱电信号，实现准确的热特性分析。通过实验对比传统系统，并结合数值仿真验证，结果表明所研制系统的优越性能。
解读: 该瞬态热表征技术对阳光电源功率模块设计具有重要应用价值。在ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中，功率模块的热管理直接影响系统可靠性和寿命。该系统能精确捕捉SiC/GaN器件的快速微弱电压响应，为三电平拓扑的热设计提供准确数据支撑。可应用于PowerTitan储能系统和1500V光伏系统的功率模块...
无线充电系统磁耦合机构的热分析与优化
Thermal Analysis and Optimization of the Magnetic Coupler for Wireless Charging System
Jun Ma · Zhenjie Li · Yiqi Liu · Mingfei Ban 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年12月
无线充电系统（WCS）中的温升问题限制了其可靠性与材料寿命。本文提出了一种针对WCS磁耦合机构的热设计与优化方法，利用电磁-热耦合仿真预测稳态温度，并结合多目标优化算法，有效提升了系统的热性能与设计效率。
解读: 该研究聚焦于无线充电系统的核心磁耦合部件，其热分析与优化方法对阳光电源电动汽车充电桩业务具有重要参考价值。随着大功率无线充电技术的发展，磁耦合机构的散热设计直接影响充电效率与设备可靠性。建议将文中的电磁-热耦合仿真方法引入充电桩研发流程，优化磁性元件布局与散热结构，以提升产品在高功率密度下的长期运行...
电动汽车辅助电源模块综述：挑战、拓扑与未来趋势
A Review of Electric Vehicle Auxiliary Power Modules: Challenges, Topologies, and Future Trends
Cun Wang · Pengfei Zheng · Jennifer Bauman · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年9月
辅助电源模块（APM）是电动汽车的关键组件，负责将动力电池的高压电转换为低压电以供车载负载及12V电池使用。随着电动汽车行业发展，APM设计面临功率等级提升、电压范围拓宽、可靠性增强及高功率密度等严峻挑战。
解读: APM技术与阳光电源的电动汽车充电桩业务高度相关。随着高压平台（800V）成为趋势，APM设计中对SiC等宽禁带半导体及高频拓扑的应用，与阳光电源充电桩模块的高效化、小型化研发方向一致。建议研发团队关注文中提到的高功率密度拓扑及可靠性评估方法，将其应用于充电桩内部的辅助电源设计，提升整机效率与环境适...
电动汽车电力电子设备中的射流冲击冷却：现状与未来趋势
Jet Impingement Cooling in Power Electronics for Electrified Automotive Transportation: Current Status and Future Trends
Samantha Jones-Jackson · Romina Rodriguez · Ali Emadi · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年9月
电动汽车电力电子设备的高效热管理对提升功率密度与可靠性至关重要。随着宽禁带半导体器件的应用，热流密度显著增加，传统冷板和散热器已难以满足需求。本文综述了射流冲击冷却技术在电动汽车电力电子领域的应用现状及未来发展趋势，探讨了其在应对高热流密度挑战方面的潜力。
解读: 该技术对阳光电源的电动汽车充电桩及车载电力电子产品具有重要参考价值。随着SiC等宽禁带器件在充电桩模块中的普及，功率密度不断提升，传统水冷散热面临瓶颈。射流冲击冷却技术能显著降低功率模块结温，提升系统可靠性。建议研发团队关注该技术在充电桩高功率密度模块中的应用，通过多物理场耦合仿真优化散热流道设计，...
一种用于电动动力总成中开关磁阻电机驱动的多故障诊断新方法
A Novel Multifault Diagnosis Method for SRM Drives in Electrified Powertrains
Nasir Ali · Shuo Qu · Mehdi Narimani · IEEE Transactions on Power Electronics · 2026年1月
开关磁阻电机（SRM）因其容错性和无稀土特性，在铁路和航空等电动交通领域极具潜力。本文针对电动动力总成中电机驱动系统的可靠性问题，提出了一种新型多故障诊断方法，旨在提升系统在复杂工况下的运行稳定性与安全性。
解读: 该研究聚焦于电机驱动系统的故障诊断与可靠性提升，虽然阳光电源目前的核心业务侧重于光伏逆变器、储能PCS及充电桩，但该技术在电动汽车充电桩的功率模块控制及未来可能拓展的电机驱动相关电力电子应用中具有参考价值。特别是其提出的多故障诊断算法，可借鉴应用于阳光电源iSolarCloud智能运维平台，通过提升...
基于容错策略的模块化轮毂电机开路故障及非对称绕组运行下的电磁-热特性改善
Improvement of Electromagnetic-Thermal Characteristics in a Modular In-Wheel Motor Under Open-Circuit Faults and Asymmetric Working Winding Operations Based on Fault-Tolerant Strategy
Yue Tang · William Cai · Ying Xie · Feng Chai 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年10月
本文研究了多单元模块化轮毂电机在开路故障及容错运行下的电磁与热特性。针对故障导致绕组空间不对称引发的性能下降及局部过热问题，提出了优化容错控制策略，旨在提升电机在故障状态下的利用率与功率密度，并改善电磁-热耦合性能。
解读: 该研究聚焦于电机驱动系统的容错控制与多物理场耦合分析，对阳光电源的电动汽车充电桩及相关电力电子驱动技术具有参考价值。虽然阳光电源核心业务为光伏与储能，但其在电力电子拓扑、热管理及故障诊断方面的技术积累与本文相通。建议将文中提出的电磁-热耦合仿真方法及容错控制逻辑，应用于充电桩功率模块的可靠性设计，或...
基于电流分布函数的双凸极电磁电机励磁故障容错控制策略
Fault-Tolerant Control Strategy for Doubly Salient Electromagnetic Machine Based on Current Profile Function Under Loss of Excitation
Lei Xiong · Hongjuan Ge · Bo Zhou · Haizhen Xu 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年2月
双凸极电磁电机（DSEM）在电动汽车和航空领域应用广泛，其可靠性至关重要。本文针对DSEM励磁故障，提出了一种基于电流分布函数的容错控制策略，有效提升了电机在故障状态下的运行可靠性。
解读: 该研究聚焦于电机驱动系统的故障容错控制，与阳光电源的电动汽车充电桩及相关电力电子驱动技术具有技术同源性。虽然阳光电源目前主营业务侧重于光伏逆变器和储能PCS，但该容错控制算法对于提升电力电子变换器在极端工况下的鲁棒性具有参考价值。建议研发团队关注此类基于电流特征的故障诊断与容错控制方法，将其应用于充...
容错开关磁阻电机驱动综述
Fault-Tolerant SRM Drives—A Review
Nasir Ali · Mehdi Narimani · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
电机驱动在航空和电动汽车等安全关键应用中广泛使用，容错性研究至关重要。开关磁阻电机（SRM）以其高鲁棒性和优异的容错能力著称。然而，SRM驱动系统仍可能发生故障，本文综述了SRM驱动系统的故障类型、容错策略及相关研究进展。
解读: 虽然阳光电源目前的核心业务聚焦于光伏逆变器、储能系统及充电桩，但开关磁阻电机（SRM）驱动技术在电动汽车动力总成及工业驱动领域具有潜力。该文章探讨的故障诊断与容错控制策略，对于提升阳光电源电动汽车充电桩及未来可能涉及的电机驱动控制系统的可靠性具有参考价值。建议研发团队关注其容错拓扑设计，以优化功率模...
带位置误差自适应补偿的无位置传感器永磁同步电机驱动在线温度辨识策略
Online Temperature Identification Strategy for Position Sensorless PMSM Drives With Position Error Adaptive Compensation
Shaobo Liu · Qiwei Wang · Guoqiang Zhang · Gaolin Wang 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2022年7月
针对无位置传感器永磁同步电机（PMSM）驱动系统，在线温度辨识对安全运行至关重要。电机温度通常通过定子电阻推算，但该方法易受无位置传感器控制中的位置估计误差影响。本文提出了一种补偿策略，旨在解决位置误差对温度辨识精度的干扰，提升驱动系统的可靠性。
解读: 该文献提出的电机在线温度辨识与位置误差补偿技术，对阳光电源的电动汽车充电桩业务具有参考价值。在充电桩内部的功率变换模块及辅助散热系统中，若涉及电机驱动（如液冷系统水泵或风冷风扇），该算法可提升系统运行的可靠性与热管理精度。此外，该技术体现的“无传感器控制”与“参数在线辨识”思路，也可借鉴应用于阳光电...
第 1 / 2 页