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900 V 10 mΩ SiC MOSFET的精确量热开关损耗测量

Accurate Calorimetric Switching Loss Measurement for 900 V 10 mΩ SiC mosfets

作者 Jon Azurza Anderson · Christoph Gammeter · Lukas Schrittwieser · Johann W. Kolar
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2017年12月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 功率模块 可靠性分析 宽禁带半导体
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 量热法测量 开关损耗 SiC MOSFET 电力电子 精度分析 硬开关 软开关
语言:

中文摘要

本文提出并评估了三种精确(±20%)的量热法开关损耗测量方法,相比传统量热法,该方法能以更快的速度(20-25分钟/点)测量硬开关和软开关损耗。文中对开关损耗测量数据的准确性进行了全面分析,为后续开关损耗数据的准确性评估设定了基准。

English Abstract

This letter presents and evaluates three accurate ($\pm$ 20 %) calorimetric switching loss measurement methods, which are capable of measuring hard- and soft-switching losses at high speed (20–25 min/point) compared to other calorimetric methods. A comprehensive switching loss measurement data accuracy analysis is done, setting the benchmark for the accuracy analysis of switching loss data. The hi...
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SunView 深度解读

随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan及PowerStack储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和转换效率,开关损耗的精确评估至关重要。该文献提出的高精度量热测量方法,能够有效解决SiC器件在高频、高压工况下损耗测量误差大的痛点。建议研发团队将其应用于新一代高频功率模块的选型与验证中,特别是针对高压SiC器件的损耗建模,这将直接优化逆变器及PCS产品的热设计,提升整机效率并降低散热成本,从而增强阳光电源产品在市场中的竞争力。