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900 V 10 mΩ SiC MOSFET的精确量热开关损耗测量
Accurate Calorimetric Switching Loss Measurement for 900 V 10 mΩ SiC mosfets
Jon Azurza Anderson · Christoph Gammeter · Lukas Schrittwieser · Johann W. Kolar · IEEE Transactions on Power Electronics · 2017年12月
本文提出并评估了三种精确（±20%）的量热法开关损耗测量方法，相比传统量热法，该方法能以更快的速度（20-25分钟/点）测量硬开关和软开关损耗。文中对开关损耗测量数据的准确性进行了全面分析，为后续开关损耗数据的准确性评估设定了基准。
解读: 随着阳光电源在组串式逆变器、PowerTitan及PowerStack储能系统中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和转换效率，开关损耗的精确评估至关重要。该文献提出的高精度量热测量方法，能够有效解决SiC器件在高频、高压工况下损耗测量误差大的痛点。建议研发团队将其应用于新一代高频功率模块的...
模块化多电平变换器连续降阶模型的局限性与精度分析
Limitations and Accuracy of a Continuous Reduced-Order Model for Modular Multilevel Converters
Andres M. Lopez · Daniel E. Quevedo · Ricardo P. Aguilera · Tobias Geyer 等5人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2018年7月
本文分析了模块化多电平变换器（MMC）降阶模型的局限性，阐明了其模型精度与运行频率及变换器参数之间的关系。虽然降阶模型简化了MMC的分析并提供了行为洞察，但其精度受多种因素制约。
解读: MMC拓扑在大型光伏电站及高压直流输电（HVDC）领域具有重要应用潜力。阳光电源在大型集中式逆变器及储能系统（如PowerTitan系列）中，对变换器的动态响应和控制精度要求极高。本文提出的降阶模型精度分析方法，有助于研发团队在进行大规模并网系统仿真时，在计算效率与控制精度之间取得平衡。建议在开发高...