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SiC MOSFET体二极管温度相关反向恢复特性用于半桥开关损耗评估
Temperature-Dependent Reverse Recovery Characterization of SiC MOSFETs Body Diode for Switching Loss Estimation in a Half-Bridge
| 作者 | Debiprasad Nayak · Ravi Kumar Yakala · Manish Kumar · Sumit Kumar Pramanick |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2022年5月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 功率模块 宽禁带半导体 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 体二极管 反向恢复 开关损耗 硬开关 结温 半桥 |
语言:
中文摘要
在硬开关MOSFET变换器中，开通损耗是总开关损耗的主要部分。在半桥配置中，随着结温升高，互补MOSFET体二极管的反向恢复效应会导致开通损耗进一步增加。在设计初期准确评估不同工况下的开关损耗对于优化变换器效率和热管理至关重要。
English Abstract
In a hard switched mosfet based converter, turn-on energy losses is predominant in the total switching loss. At higher junction temperature the turn-on energy loss further increases due to the reverse recovery effect of the complementary mosfets body diode in a half-bridge configuration. Estimation of the switching loss under different operating conditions at an early design stage is essential for...
S
SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源的核心产品线，如组串式光伏逆变器和PowerTitan/PowerStack储能系统。随着公司产品向高功率密度和高效率演进，SiC MOSFET已成为提升逆变器效率的关键。该文献提出的温度相关损耗评估模型，能显著提升研发阶段对SiC功率模块热设计和效率预测的精度，有助于优化散热系统设计，降低高温工况下的损耗，从而提升产品在极端环境下的可靠性与转换效率，对下一代高频、高效电力电子变换器的开发具有重要的工程指导意义。