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基于动态阈值电压提取的SiC MOSFET在线结温测量
Online Junction Temperature Measurement for SiC MOSFET Based on Dynamic Threshold Voltage Extraction
| 作者 | Xi Jiang · Jun Wang · Hengyu Yu · Jianjun Chen · Zhong Zeng · Xin Yang · Z. John Shen |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年4月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 结温 在线监测 阈值电压 电力电子 可靠性 功率器件 |
语言:
中文摘要
本文提出了一种基于动态阈值电压的SiC MOSFET在线结温监测方法。该方法不依赖于负载电流变化，消除了复杂校准过程，为关键电力电子变换器的可靠运行提供了有效的结温估计方案。
English Abstract
The online junction temperature monitoring of power devices is a viable technique to ensure the reliable operation of mission-critical power electronic converters. This article provides a potential approach for the junction temperature estimation of SiC MOSFETs based on the dynamic threshold voltage. The proposed method is independent of load current variation, which eliminates the complicated cal...
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SunView 深度解读
该技术对阳光电源的核心产品线具有极高价值。随着公司在组串式逆变器、PowerTitan储能系统及电动汽车充电桩中大规模应用SiC MOSFET以提升功率密度和效率，结温的精准在线监测是提升系统可靠性、实现预测性维护的关键。该方法无需负载电流校准，易于集成至iSolarCloud平台或嵌入式控制系统中，有助于优化功率模块的热设计，延长设备在极端工况下的使用寿命，并为实现更精细化的功率器件健康管理提供技术支撑。