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无线大功率传输中SiC MOSFET结温波动抑制策略的分析、设计与实现
Analysis, Design, and Implementation of Junction Temperature Fluctuation Tracking Suppression Strategy for SiC MOSFETs in Wireless High-Power Transfer
| 作者 | Ruoyin Wang · Linlin Tan · Chengyun Li · Tianyi Huang · Haoze Li · Xueliang Huang |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2021年1月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 热仿真 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 无线电能传输 结温 热管理 可靠性 电力电子 |
语言:
中文摘要
为提升电动汽车无线充电（WPT）系统的可靠性并减少SiC MOSFET的热疲劳失效，本文提出了一种结温波动抑制策略。针对当前WPT系统缺乏主动热管理的问题，文章分析并设计了相应的控制方案，旨在通过抑制结温波动来延长功率器件的使用寿命。
English Abstract
In order to improve system reliability and reduce device thermal fatigue failure in multiload wireless power transfer (WPT) systems for electric vehicles, the implementation of the junction temperature fluctuation suppression strategy for SiC MOSFETs is necessary. However, current methods are relatively lacking, and active thermal management has not been used in WPT systems. In this article, the r...
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SunView 深度解读
该研究聚焦于SiC MOSFET的主动热管理，对阳光电源的功率器件应用具有重要参考价值。在阳光电源的电动汽车充电桩及高功率密度光伏/储能逆变器（如PowerTitan系列）中，SiC器件已广泛应用。通过引入结温波动抑制策略，可有效降低器件热应力，显著提升系统在极端工况下的可靠性与使用寿命。建议研发团队关注该主动热管理算法，将其集成至iSolarCloud智能运维平台或逆变器底层控制中，以实现对功率模块健康状态的实时监测与寿命预测。