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基于温度敏感光学参数

TSOP)的SiC功率MOSFET在线结温提取

作者 Chengmin Li · Haoze Luo · Chushan Li · Wuhua Li · Huan Yang · Xiangning He
期刊 IEEE Transactions on Power Electronics
出版日期 2019年10月
技术分类 功率器件技术
技术标签 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 功率模块
相关度评分 ★★★★★ 5.0 / 5.0
关键词 SiC功率MOSFETs 结温 电致发光 温度敏感光学参数 可靠性评估 在线监测 体二极管
语言:

中文摘要

准确获取SiC功率MOSFET的结温对于保障设备安全运行及可靠性评估至关重要。本文提出了一种基于SiC体二极管电致发光现象的在线结温提取方法。研究发现,在体二极管正向导通期间,器件会发出可见蓝光,其强度与结温具有相关性,可用于实现非接触式在线结温监测。

English Abstract

Accurate information of the junction temperature of SiC power mosfets ensures safe operation and helps reliability assessment of the devices. In this paper, an online junction temperature extraction method is proposed based on the electroluminescence phenomenon of the body diode of SiC power mosfets. It is found that during the forward conduction interval of the body diode, visible blue light is e...
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SunView 深度解读

该技术对阳光电源的核心产品线(如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统、风电变流器)具有极高的应用价值。随着公司产品向高功率密度、高效率方向演进,SiC器件的应用日益广泛。该TSOP方法提供了一种非侵入式的在线结温监测手段,能够显著提升逆变器及PCS在极端工况下的热管理精度,优化过温保护策略。建议研发团队关注该技术在功率模块封装集成中的可行性,以提升iSolarCloud智能运维平台对功率器件健康状态的预测能力,从而降低运维成本并延长设备全生命周期可靠性。