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功率器件技术 SiC器件 宽禁带半导体 可靠性分析 ★ 5.0

基于温度敏感光学参数

TSOP)的SiC功率MOSFET在线结温提取

Chengmin Li · Haoze Luo · Chushan Li · Wuhua Li 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年10月

准确获取SiC功率MOSFET的结温对于保障设备安全运行及可靠性评估至关重要。本文提出了一种基于SiC体二极管电致发光现象的在线结温提取方法。研究发现,在体二极管正向导通期间,器件会发出可见蓝光,其强度与结温具有相关性,可用于实现非接触式在线结温监测。

解读: 该技术对阳光电源的核心产品线(如组串式光伏逆变器、PowerTitan储能系统、风电变流器)具有极高的应用价值。随着公司产品向高功率密度、高效率方向演进,SiC器件的应用日益广泛。该TSOP方法提供了一种非侵入式的在线结温监测手段,能够显著提升逆变器及PCS在极端工况下的热管理精度,优化过温保护策略...