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基于数据手册参数的SiC MOSFET与肖特基二极管对开通损耗的解析估算
Analytical Estimation of Turn on Switching Loss of SiC mosfet and Schottky Diode Pair From Datasheet Parameters
| 作者 | Shamibrota Kishore Roy · Kaushik Basu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2019年9月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 功率模块 可靠性分析 |
| 相关度评分 | ★★★★★ 5.0 / 5.0 |
| 关键词 | SiC MOSFET 开关损耗 解析估算 数据手册参数 肖特基二极管 功率器件 栅极电荷法 |
语言:
中文摘要
在设计初期估算开关损耗对于确定开关频率及选择功率器件至关重要。相比仿真或双脉冲实验，基于栅极电荷法的解析估算方法计算最为快速简便。本文提出了一种针对SiC MOSFET与肖特基二极管组合的开通损耗解析估算方法。
English Abstract
Estimation of switching loss at the early stages of design is essential for determination of switching frequency and selection of power devices. Analytical estimation similar to gate charge method results in fastest and easiest computation when compared with simulation or double pulse test based experimental approach. This paper presents an analytical estimation method of turn on switching loss of...
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SunView 深度解读
该研究直接服务于阳光电源核心产品线（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）的研发。随着SiC器件在高效能逆变器及高功率密度PCS中的广泛应用，准确的损耗估算模型能显著缩短产品开发周期，优化散热设计。建议研发团队将此解析模型集成至iSolarCloud配套的仿真工具链中，以提升对SiC功率模块在不同工况下的效率预测精度，从而在保证高可靠性的前提下，进一步提升整机功率密度和转换效率。