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一种可重构电路策略及其在环境能量收集低功耗整流器中的应用
A Reconfigurable Circuit Strategy and Its Application in Low-Power Rectifier for Ambient Energy Harvesting
Zhongqi He · Haoming He · Liping Yan · Changjun Liu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2025年11月
针对环境电磁能量收集系统输入功率低的问题，本文提出一种可重构电路策略。通过优化肖特基二极管的整流效率，解决低功耗整流器中器件反向击穿电压低及转换效率受限的难题，提升微波转直流的能量转换性能。
解读: 该研究聚焦于极低功率环境下的能量收集与整流电路优化，主要涉及微功率电子学领域。对于阳光电源而言，该技术与当前主流的光伏逆变器、储能系统（PowerTitan/PowerStack）或风电变流器等大功率电力电子设备存在较大差异。然而，该研究中关于肖特基二极管的选型策略及可重构电路设计思路，可为阳光电源...
基于数据手册参数的SiC MOSFET与肖特基二极管对开通损耗的解析估算
Analytical Estimation of Turn on Switching Loss of SiC mosfet and Schottky Diode Pair From Datasheet Parameters
Shamibrota Kishore Roy · Kaushik Basu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年9月
在设计初期估算开关损耗对于确定开关频率及选择功率器件至关重要。相比仿真或双脉冲实验，基于栅极电荷法的解析估算方法计算最为快速简便。本文提出了一种针对SiC MOSFET与肖特基二极管组合的开通损耗解析估算方法。
解读: 该研究直接服务于阳光电源核心产品线（如组串式逆变器、PowerTitan储能系统及风电变流器）的研发。随着SiC器件在高效能逆变器及高功率密度PCS中的广泛应用，准确的损耗估算模型能显著缩短产品开发周期，优化散热设计。建议研发团队将此解析模型集成至iSolarCloud配套的仿真工具链中，以提升对S...
基于肖特基二极管非线性阻抗特性的超宽输入功率范围紧凑型整流器
Compact Rectifiers With Ultra-wide Input Power Range Based on Nonlinear Impedance Characteristics of Schottky Diodes
Zhongqi He · Jing Lan · Changjun Liu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2021年7月
本文提出两种利用二极管非线性阻抗特性实现超宽输入功率范围的高效射频整流器。每个整流器包含两个分别工作在高、低功率水平的子整流器，无需功率分配器或耦合器即可实现非线性功率分配策略。
解读: 该研究聚焦于射频（RF）领域的高频整流技术，通过利用肖特基二极管的非线性特性优化功率范围。虽然阳光电源的核心业务（光伏逆变器、储能PCS、充电桩）主要集中在工频或中高频电力电子变换领域，而非射频领域，但其提出的“无耦合器非线性功率分配”设计思路，对于提升阳光电源在充电桩功率模块或小型化户用逆变器中的...
硅超结MOSFET与碳化硅肖特基二极管对的详细分析开关瞬态模型
A Detailed Analytical Switching Transient Model for Silicon Superjunction MOSFET and SiC Schottky Diode Pair
Manish Mandal · Shamibrota Kishore Roy · Kaushik Basu · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年10月
硅超结MOSFET（Si SJMOS）与碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）组合因高可靠性和性价比，常用于单相PFC应用。本文针对Si SJMOS与宽禁带器件在开关动态上的差异，提出了一种改进的分析模型，用于深入研究其开关瞬态过程。
解读: 该研究对于阳光电源的户用光伏逆变器及充电桩产品线具有重要参考价值。在单相PFC电路中，Si SJMOS与SiC SBD的混合应用是平衡成本与效率的关键方案。通过该分析模型，研发团队能更精确地预测开关损耗与电磁干扰（EMI），从而优化PCB布局与驱动电路设计。建议在户用组串式逆变器及充电桩的功率模块设...
DC-DC变换器中变压器漏感与肖特基二极管电容间振荡分析
Analysis of Oscillation Between Transformer Leakage Inductance and Schottky Diode Capacitance in DC–DC Converters
Ivo Barbi · IEEE Transactions on Power Electronics · 2024年8月
本文分析了隔离型DC-DC变换器输出级肖特基二极管上的瞬态电压振荡问题。该振荡源于高频变压器漏感与二极管非线性、电压相关电容之间的相互作用。研究重点针对带有输出LC滤波器的变换器，如移相ZVS-PWM变换器等。
解读: 该研究对于阳光电源的组串式光伏逆变器（DC/DC升压级）及储能变流器（PCS）中的隔离型DC-DC拓扑具有重要参考价值。在PowerTitan等大功率储能系统中，高频变压器漏感引起的电压尖峰会增加功率器件的电压应力，影响系统可靠性。通过深入理解漏感与二极管结电容的谐振机理，研发团队可优化PCB布局与...
通过增加等离子体扩展层提高SiC MPS二极管的浪涌电流能力
Improving Surge Current Capability of SiC Merged PiN Schottky Diode by Adding Plasma Spreading Layers
Na Ren · Jiupeng Wu · Li Liu · Kuang Sheng · IEEE Transactions on Power Electronics · 2020年11月
本文提出了一种在碳化硅（SiC）MPS二极管中引入等离子体扩展层（PSL）的新型结构设计。与传统MPS二极管中孤立的P+岛设计不同，该结构通过P+等离子体扩展层连接P+岛，有效促进了双极电流的扩展，从而显著提升了器件的浪涌电流承受能力。
解读: 该研究直接针对SiC功率器件的核心痛点——浪涌电流能力，这对阳光电源的高功率密度光伏逆变器和储能变流器（PCS）至关重要。在PowerTitan等储能系统及组串式逆变器中，SiC器件常面临电网侧故障带来的浪涌冲击。采用具备PSL结构的SiC MPS二极管，可提升系统在极端工况下的可靠性，降低对过流保...
不同芯片尺寸和厚度的600V氧化镓二极管的开关特性
Switching Properties of 600 V Ga2O3 Diodes With Different Chip Sizes and Thicknesses
Florian Wilhelmi · Yuji Komatsu · Shinya Yamaguchi · Yuki Uchida 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年7月
本文研究了氧化镓（Ga2O3）器件在电力电子领域的应用，重点分析了600V β-Ga2O3肖特基二极管的开关特性。文章首次评估了其作为续流二极管在400V转200V、功率达2kW的Buck变换器中的表现，为超宽禁带半导体在功率转换中的应用提供了实验依据。
解读: 氧化镓作为超宽禁带半导体材料，具备极高的击穿电场强度，在未来高压、高效率功率变换领域具有巨大潜力。对于阳光电源而言，该技术若实现商业化，可显著提升组串式光伏逆变器及储能变流器（PCS）的功率密度与效率，进一步降低损耗。建议研发团队持续跟踪其在高温环境下的可靠性表现及封装散热技术，评估其在下一代高频、...
利用高频交流LED驱动器从极低直流电压供电
On Supplying LEDs From Very Low DC Voltages With High-Frequency AC-LED Drivers
Ignacio Castro · Aitor Vazquez · Daniel G. Aller · Manuel Arias 等6人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2019年6月
本文研究了在1.2至2V极低电压下驱动白光LED的技术。提出了一种创新拓扑，通过将LED作为负载并替代传统变换器（如Buck、Boost等）中的肖特基二极管，同时短路变换器输出端，使LED兼具负载与整流二极管的功能，从而实现高效驱动。
解读: 该研究探讨了极低电压下的功率变换拓扑优化，核心在于通过器件复用（LED兼作整流管）提升效率。虽然阳光电源的核心业务集中在光伏逆变器、储能PCS及充电桩等大功率电力电子领域，与该文研究的微功率LED驱动应用场景差异较大，但其提出的“器件功能复用”和“拓扑简化”设计思路，对于阳光电源在户用光伏逆变器或充...
通过衬底减薄和结面冷却提高Ga$_{2}$O$_{3}$肖特基二极管的散热能力和电流额定值
Improving the Heat Dissipation and Current Rating of Ga$_{2}$O$_{3}$ Schottky Diodes by Substrate Thinning and Junction-Side Cooling
Florian Wilhelmi · Yuji Komatsu · Shinya Yamaguchi · Yuki Uchida 等7人 · IEEE Transactions on Power Electronics · 2023年6月
氧化镓（Ga$_{2}$O$_{3}$）作为功率电子材料具有广阔前景，但其低热导率引发了散热管理挑战。本文评估了Ga$_{2}$O$_{3}$肖特基二极管的不同封装策略，对比了600μm标准厚度与200μm减薄大面积β-Ga$_{2}$O$_{3}$二极管在陶瓷基板上的散热性能，验证了减薄工艺与结面冷却对提升器件电流承载能力的关键作用。
解读: Ga$_{2}$O$_{3}$作为超宽禁带半导体，在未来高压、高功率密度电力电子应用中潜力巨大。对于阳光电源的组串式光伏逆变器和PowerTitan储能系统而言，提升功率密度是核心竞争力。该研究提出的衬底减薄与结面冷却技术，能有效解决宽禁带器件在高功率密度设计下的热瓶颈问题。建议研发团队关注Ga$_...
基于P3HT:PCBM界面的SiC肖特基二极管中势垒非均匀性在宽温度范围内的分析
Analysis of barrier inhomogeneity in SiC schottky diodes with P3HT: PCBM interfaces over a wide temperature range
Tamer Güzel · Journal of Materials Science: Materials in Electronics · 2025年8月 · Vol.36.0
由于金属-半导体界面对于肖特基二极管电学特性具有重要影响，相关研究持续受到关注。本研究制备了结构为Au/P3HT:PCBM/6H-SiC/Al的肖特基二极管，并在80–375 K的宽温度范围内分析了其电流-电压特性。利用这些特性，结合热电子发射模型、Cheung-Cheung函数和Norde函数，计算了二极管的理想因子（n）、势垒高度（Φb）、串联电阻（Rs）和饱和电流（Io）等参数，并考察了这些参数之间的相互关系。通过Richardson图提取了Richardson常数（A*）。此外，基于高斯...
解读: 该SiC肖特基二极管界面特性研究对阳光电源功率器件应用具有重要价值。研究揭示的势垒不均匀性及温度特性分析,可指导ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器中SiC器件的选型与热设计优化。宽温区(80-375K)电流-电压特性数据为三电平拓扑中SiC二极管的可靠性评估提供理论依据,有助于提升PowerTi...