← 返回
不同芯片尺寸和厚度的600V氧化镓二极管的开关特性
Switching Properties of 600 V Ga2O3 Diodes With Different Chip Sizes and Thicknesses
| 作者 | Florian Wilhelmi · Yuji Komatsu · Shinya Yamaguchi · Yuki Uchida · Tadashi Kase · Shinji Kunori · Andreas Lindemann |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2023年7月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | 宽禁带半导体 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 氧化镓 Ga2O3 肖特基二极管 开关特性 电力电子 Buck变换器 续流二极管 |
语言:
中文摘要
本文研究了氧化镓(Ga2O3)器件在电力电子领域的应用,重点分析了600V β-Ga2O3肖特基二极管的开关特性。文章首次评估了其作为续流二极管在400V转200V、功率达2kW的Buck变换器中的表现,为超宽禁带半导体在功率转换中的应用提供了实验依据。
English Abstract
Gallium oxide (Ga2O3) devices are currently under investigation regarding their application in power electronics, but so far little research has been done on their switching properties. This article analyzes different types of new 600 V $\beta$-Ga2O3 Schottky diodes, including their first evaluation as freewheeling diodes in a 400 to 200 V buck converter with an output power up to 2 kW and switchi...
S
SunView 深度解读
氧化镓作为超宽禁带半导体材料,具备极高的击穿电场强度,在未来高压、高效率功率变换领域具有巨大潜力。对于阳光电源而言,该技术若实现商业化,可显著提升组串式光伏逆变器及储能变流器(PCS)的功率密度与效率,进一步降低损耗。建议研发团队持续跟踪其在高温环境下的可靠性表现及封装散热技术,评估其在下一代高频、高压功率模块中的应用前景,以保持在电力电子核心器件技术上的前瞻性布局。