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硅超结MOSFET与碳化硅肖特基二极管对的详细分析开关瞬态模型
A Detailed Analytical Switching Transient Model for Silicon Superjunction MOSFET and SiC Schottky Diode Pair
| 作者 | Manish Mandal · Shamibrota Kishore Roy · Kaushik Basu |
| 期刊 | IEEE Transactions on Power Electronics |
| 出版日期 | 2024年10月 |
| 技术分类 | 功率器件技术 |
| 技术标签 | SiC器件 宽禁带半导体 PFC整流 功率模块 |
| 相关度评分 | ★★★★ 4.0 / 5.0 |
| 关键词 | 硅超结 MOSFET SiC 肖特基二极管 开关暂态 解析模型 功率因数校正 器件特性 开关动力学 |
语言:
中文摘要
硅超结MOSFET（Si SJMOS）与碳化硅肖特基二极管（SiC SBD）组合因高可靠性和性价比，常用于单相PFC应用。本文针对Si SJMOS与宽禁带器件在开关动态上的差异，提出了一种改进的分析模型，用于深入研究其开关瞬态过程。
English Abstract
With high reliability and good cost-performance ratio, silicon superjunction mosfets (Si SJMOS) and SiC SBD pair is often preferred in commercial single-phase power factor correction applications. Switching dynamics of Si SJMOS are different compared to 650$\,$V wide bandgap devices due to differences in device characteristics. This article presents an improved analytical model to study the switch...
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SunView 深度解读
该研究对于阳光电源的户用光伏逆变器及充电桩产品线具有重要参考价值。在单相PFC电路中，Si SJMOS与SiC SBD的混合应用是平衡成本与效率的关键方案。通过该分析模型，研发团队能更精确地预测开关损耗与电磁干扰（EMI），从而优化PCB布局与驱动电路设计。建议在户用组串式逆变器及充电桩的功率模块设计中，利用该模型指导器件选型与驱动参数优化，以提升整机转换效率并降低热应力，进一步增强产品的市场竞争力。