找到 7 条结果

排序:
电动汽车驱动 储能系统 SiC器件 IGBT ★ 4.0

基于单相IGBT开路故障下二极管导通残流统一模型的三相SPMSM容错后无传感器控制

Postfault Sensorless Control of Three-Phase SPMSM Based on Unified Model of Diode-Through Residual Current Under Single-Phase IGBT Open-Circuit Fault

Zeliang Zhang · Guangzhao Luo · Xinyu Li · Yuxuan Du 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年3月

针对经典三相半桥电机驱动在开路故障下的无传感器控制难题,提出一种利用IGBT开路相中反电动势与二极管导通残流相关性的方法。首先建立残流模型,并设计适用于不同转速的统一采样策略。基于该统一模型构建相位反电动势观测器,实现故障后转子速度与位置的精确估计。实验验证表明,该方法在稳态下估计误差为0.3 rad,加减速过程中为0.5 rad,具有良好的动态与稳态性能。

解读: 该IGBT开路故障下的无传感器容错控制技术对阳光电源电动汽车驱动产品线具有重要应用价值。研究提出的二极管导通残流统一模型可直接应用于车载OBC充电机和电机驱动系统,通过反电动势观测器实现故障后的位置估计,避免增加冗余传感器成本。该方法在稳态0.3rad、动态0.5rad的估计精度可保障ST系列储能变...

风电变流技术 储能系统 ★ 5.0

基于数据驱动升维线性潮流的风电场无模型最优电压-无功控制

Model-free Optimal Volt-VAR Control of Wind Farm Based on Data-driven Lift-dimension Linear Power Flow

Li GuoZhaoning LiuZhongguan WangXialin LiYixin LiuYuxuan ZhangXiaodi ZangChengshan Wang · 中国电机工程学会热电联产 · 2025年1月 · Vol.45

提出一种基于数据驱动潮流的风电场无功与电压优化控制方法。该方法无需风电场先验参数信息,具有无模型特性。基于Koopman算子方法,通过状态空间映射与升维线性化构建并网风电场的潮流模型。考虑风电机组及静止无功发生器(SVG)等无功设备,建立基于全局灵敏度的无功电压线性优化控制模型。以最小化无功调节量为目标,结合节点电压与无功注入的灵敏度关系,实现无功功率的最优分配,有效降低有功损耗,并满足风电场快速电压响应需求。基于宁夏某风电场历史数据验证了方法在参数不准确情况下的可行性。相比基于模型的方法,所提...

解读: 该数据驱动的无模型电压-无功控制技术对阳光电源的储能和光伏产品线具有重要应用价值。特别适用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的电网支撑功能优化。通过Koopman算子方法实现的无模型控制,可提升PowerTitan大型储能系统的电压调节性能,减少对系统参数依赖。该方法的全局灵敏度优化思路可用于...

电动汽车驱动 储能系统 GaN器件 DAB ★ 5.0

一种实现氮化镓单级车载充电机全范围零电压开关的多目标优化调制策略

A Multi-Objective Optimization Modulation Strategy for Achieving Full-Range ZVS in GaN-Based Single-Stage On-Board Charger

Wenhui Li · Yuxuan Li · Jiancheng Zhao · Junzhong Xu 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年6月

为提升电动汽车充电系统的功率密度与效率,Boost型集成双有源桥(BI-DAB)变换器备受关注。然而,传统调制策略的零电压开关(ZVS)范围有限且优化灵活性不足,影响效率并制约其应用。本文提出一种软硬件结合的多目标优化调制策略,通过建立完整的ZVS模型并考虑励磁电感的影响,结合励磁电感优化设计与移相调控,实现全范围ZVS运行。该策略还支持无缝模式切换,有效实现功率因数校正与准最优电流应力。实验研制了2 kW/150 kHz的GaN基BI-DAB样机,峰值效率达96.6%,总谐波畸变率为1.5%。

解读: 该GaN基BI-DAB全范围ZVS调制策略对阳光电源车载充电机产品线具有重要应用价值。通过软硬件协同的多目标优化,实现全工况ZVS运行,峰值效率96.6%、THD仅1.5%,可直接应用于阳光电源OBC产品的功率密度提升与效率优化。其励磁电感优化设计与移相调控相结合的方法,为ST储能变流器的双向DC-...

储能系统技术 储能系统 宽禁带半导体 SiC器件 ★ 5.0

高功率中高压WBG功率模块协同设计框架:3.3kV/200A线键合低电感SiC半桥模块案例研究

Co-design Framework for High Power, Medium/High Voltage WBG Power Modules: Case Study with 3.3 kV/200 A Wire-Bonded Low-Inductance SiC Half-Bridge Module

Yang Li · Shiyue Deng · Yuxuan Wu · Mustafeez-ul-Hassan 等6人 · IEEE Journal of Emerging and Selected Topics in Power Electronics · 2025年9月

提出一种高功率高压宽禁带WBG功率模块封装协同设计框架,可泛化以反映器件技术、封装配置和电压等级的多样化设计需求。除常见的热、电、机械多学科协同优化外,所提框架特别强调中高压MV/HV设计考虑,引入封装与装配工艺开发工具包PA-PDK概念,并在功率模块封装开发过程中集成可靠性设计DfR。通过3.3kV/200A线键合低电感碳化硅SiC半桥模块案例研究验证协同设计框架有效性,为此类协同设计框架实施提供参考。

解读: 该WBG功率模块协同设计框架研究对阳光电源SiC功率模块开发有全面指导价值。中高压设计考虑、PA-PDK概念和DfR集成的系统化方法与阳光电源在1500V及以上光伏系统和中压储能系统中应用SiC器件的技术路线高度契合。3.3kV/200A低电感SiC半桥模块案例为阳光ST系列储能变流器和SG系列光伏...

储能系统技术 储能系统 ★ 5.0

基于在线注入功率补偿的二次电弧抑制效果仿真研究

Simulation Study on the Suppression Effect on Secondary Arcs Based on Online Injection Power Compensation

Haoxi Cong · Yuxuan Wang · Xuefeng Hu · Xuan Zhang 等6人 · IEEE Transactions on Power Delivery · 2025年1月

特高压输电线中的二次电弧问题严重威胁电力系统稳定性。本文提出一种基于注入功率补偿的抑制方法,结合电弧动态演化模型与注入功率补偿模型,通过仿真验证了其有效性。分析了初始恢复电压梯度、故障位置、线路长度及补偿延迟时间等关键因素对抑制效果的影响。结果表明,相较于两组高速接地开关方案,该方法使恢复电压降低24.7%,并将600 km以内线路的平均电弧持续时间缩短22%。故障位置在线路两端时效果更优,其他因素增强则削弱抑制效果。该方法前景良好,但仍需进一步实验验证其可行性。

解读: 该二次电弧抑制技术对阳光电源PowerTitan大型储能系统的电网接入具有重要参考价值。特高压输电线路的二次电弧问题直接影响储能系统并网稳定性,文中提出的注入功率补偿方法可启发ST系列储能变流器的故障穿越策略优化。具体应用包括:1)在构网型GFM控制中集成动态电弧模型,提升故障恢复速度;2)优化Po...

控制与算法 ★ 4.0

基于可迁移代理模型与多目标优化的高效LDMOS设计

Efficient LDMOS Design via Transferable Surrogate Models and Multi-Objective Optimization

Hongyu Tang · Chenggang Xu · Xiaoyun Huang · Yuxuan Zhu 等6人 · IEEE Electron Device Letters · 2025年7月

优化横向双扩散金属氧化物半导体(LDMOS)性能需要在硅极限约束下平衡击穿电压(BV)和比导通电阻(<inline-formula xmlns:mml="http://www.w3.org/1998/Math/MathML" xmlns:xlink="http://www.w3.org/1999/xlink"> <tex-math notation="LaTeX">$\text {R}_{\text {on},\text {sp}}$ </tex-math></inline-formula>)。...

解读: 从阳光电源的业务视角来看,这项基于机器学习的LDMOS优化技术具有重要的战略价值。LDMOS(横向双扩散金属氧化物半导体)器件是光伏逆变器和储能变流器中功率转换电路的核心元件,其击穿电压与导通电阻的平衡直接影响系统的效率、可靠性和成本。 该技术的核心创新在于利用深度神经网络替代传统TCAD仿真,将...

电动汽车驱动 SiC器件 ★ 4.0

集成高K栅介质与分裂栅的4H-SiC超级结MOSFET

4H-SiC superjunction MOSFET with integrated high-K gate dielectric and split gate

Jiafei Yao1Zhengfei Yang1Yuxuan Dai1Ziwei Hu1Man Li2Kemeng Yang2Jing Chen2Maolin Zhang2Jun Zhang2Yufeng Guo2 · 半导体学报 · 2025年1月 · Vol.46

本文提出一种集成高K(HK)栅介质与分裂栅(SG)的4H-SiC超级结MOSFET(HKSG-SJMOS)。该器件采用高K介质作为包围源极连接分裂栅与金属栅的栅介质,优化漂移区电场分布,形成低阻导电通道,提升击穿电压(BV)并降低比导通电阻(Ron,sp)。分裂栅结构结合高K介质有效减小栅-漏电容(Cgd)与栅-漏电荷(Qgd),改善开关特性。仿真结果表明,相较于传统器件,HKSG-SJMOS的优值(FOM=BV²/Ron,sp)提升110.5%,高频优值(Ron,sp·Cgd)降低93.6%,...

解读: 该HKSG-SJMOS技术对阳光电源功率器件应用具有重要价值。其110.5%的FOM提升和93.6%的Ron,sp·Cgd降低,可直接应用于ST系列储能变流器和SG系列光伏逆变器的SiC功率模块设计,显著降低导通损耗和开关损耗(开通/关断损耗分别减少38.3%/31.6%)。高K介质与分裂栅结构有效...